GD450HFX120C6SA、IGBTモジュール、STARPOWER

シンボル

説明

価値

単位

V CES

集合器-放出器の電圧

1200

V

V 総エネルギー

ゲート・エミッター・ボルト

±20

V

IC

コレクタ電流 @ T C=25o C

@ T C= 100o C

680

450

A

ICm

パルスコレクター電流 t p =1ms

900

A

PD

最大電源 消耗 @ T j =175o C

2173

W

シンボル

説明

価値

単位

V RRM

繰り返しのピーク逆電圧

1200

V

IF

ダイオード 連続前向き 賃貸

450

A

IFm

ダイオード最大順方向電流 t p =1ms

900

A

シンボル

説明

価値

単位

T jmax

交差点最大温度

175

o C

T ショウジョウ

交差点の動作温度

-40から+150

o C

T STG

保管温度 航続距離

-40から+125

o C

V ISO

絶縁電圧RMS,f=50Hz,t=1 分

2500

V

シンボル

仕様

試験条件

分。

タイプする

マックス。

単位

V 衛星

収集機から発信機へ

飽和電圧

IC=450A,V 遺伝子組み換え =15V T j =25o C

1.70

2.15

V

IC=450A,V 遺伝子組み換え =15V T j =125o C

1.95

IC=450A,V 遺伝子組み換え =15V T j =150o C

2.00

V 遺伝子組み換え (th)

ゲート発信者の限界値 電圧

IC= 11.3mA,V CE =V 遺伝子組み換え ,T j =25o C

5.2

5.8

6.4

V

ICES

収集家 切断 —オフ

現在の

V CE =V CES ,V 遺伝子組み換え =0V

T j =25o C

1.0

mA

I総エネルギー

ゲート発射器の漏れ 現在の

V 遺伝子組み換え =V 総エネルギー ,V CE =0V T j =25o C

400

nA

バー ゲント

内部ゲート抵抗 アンス

0.7

ω

Cies

入力容量

V CE 電気回路が1Mhzで

V 遺伝子組み換え =0V

46.6

ロープ

Cres

逆転移転

容量

1.31

ロープ

QG

ゲートチャージ

V 遺伝子組み換え =- 15...+15V

3.50

微分

t d (オン )

オンする遅延時間

V CC =600V,I C=450A バー G= 1.3Ω

V 遺伝子組み換え =±15V T j =25o C

203

nS

t バー

昇る時間

64

nS

t d (オフ )

切断する 遅延時間

491

nS

t f

秋の時間

79

nS

Eオン

オン スイッチング

損失

16.1

mJ

Eオフ

切断する

損失

38.0

mJ

t d (オン )

オンする遅延時間

V CC =600V,I C=450A バー G= 1.3Ω

V 遺伝子組み換え =±15V T j = 125o C

235

nS

t バー

昇る時間

75

nS

t d (オフ )

切断する 遅延時間

581

nS

t f

秋の時間

109

nS

Eオン

オン スイッチング

損失

27.8

mJ

Eオフ

切断する

損失

55.5

mJ

t d (オン )

オンする遅延時間

V CC =600V,I C=450A バー G= 1.3Ω

V 遺伝子組み換え =±15V T j = 150o C

235

nS

t バー

昇る時間

75

nS

t d (オフ )

切断する 遅延時間

621

nS

t f

秋の時間

119

nS

Eオン

オン スイッチング

損失

30.5

mJ

Eオフ

切断する

損失

61.5

mJ

ISC

SC データ

t P≤10μs,V 遺伝子組み換え =15V

T j =150o C,V CC =800V V 単数 ≤1200V

1800

A

シンボル

仕様

試験条件

分。

タイプする

マックス。

単位

V F

ダイオード 前向き

電圧

IF =450A,V 遺伝子組み換え =0V,T j =25o C

1.85

2.30

V

IF =450A,V 遺伝子組み換え =0V,T j = 125o C

1.90

IF =450A,V 遺伝子組み換え =0V,T j = 150o C

1.95

Qバー

回収された電荷

V CC =600V,I F =450A

-di/dt=6600A/μs,V 遺伝子組み換え =- 15V T j =25o C

55.2

微分

Iロープ

ピーク逆

回復電流

518

A

Eレス

逆転回復 エネルギー容量

26.0

mJ

Qバー

回収された電荷

V CC =600V,I F =450A

-di/dt=6600A/μs,V 遺伝子組み換え =- 15V T j = 125o C

106

微分

Iロープ

ピーク逆

回復電流

633

A

Eレス

逆転回復 エネルギー容量

47.5

mJ

Qバー

回収された電荷

V CC =600V,I F =450A

-di/dt=6600A/μs,V 遺伝子組み換え =- 15V T j = 150o C

121

微分

Iロープ

ピーク逆

回復電流

661

A

Eレス

逆転回復 エネルギー容量

53.9

mJ

シンボル

仕様

試験条件

分。

タイプする

マックス。

単位

バー 25

定数抵抗

5.0

kΩ

δR/R

偏差 の バー 100

T C= 100 o C,R 100=493.3Ω

-5

5

%

P25

電力

散熱

20.0

mW

B 25/50

B値

バー 2=R 25経験 [B 25/501/T 2—

半角形から

3375

K

B 25/80

B値

バー 2=R 25経験 [B 25/801/T 2—

半角形から

3411

K

B 25/100

B値

バー 2=R 25経験 [B 25/1001/T 2—

半角形から

3433

K

シンボル

仕様

分。

タイプする

マックス。

単位

LCE

流れる誘導力

20

nH

バー CC+EE

モジュール鉛抵抗 ターミナルからチップへ

1.10

mΩ

バー thJC

ケース対ケース (IGBごとに) T) について

ケースへの接点 (DIあたり) オーデ)

0.069

0.108

総量

バー thCH

ケースからヒートシンクへの（per IGBT)

ケースからヒートシンク (pe) ダイオード)

ケースからヒートシンク (Mあたり) 臭い)

0.030

0.046

0.009

総量

分

端末接続トーク 六角ボルトM6 固定トーク スクロール M5

3.0

3.0

6.0

6.0

N.M<br>

G

重量 の モジュール

350

g