GD450HFX120C2SA、IGBTモジュール、STARPOWER

シンボル

説明

価値

ユニット

V CES

集合器-放出器の電圧

1200

V

V 総エネルギー

ゲート・エミッター・ボルト

±20

V

わかった C

コレクタ電流 @ T C =25 o C @ T C =100 o C

704

450

A について

わかった Cm

パルスコレクター電流 t p =1ms

900

A について

P D

最大電源 消耗 @ T vj =175 o C

2307

W について

シンボル

説明

価値

ユニット

V RRM

繰り返しのピーク リバース・ボルト 年齢

1200

V

わかった F

ダイオード 連続前向きCu rrent

450

A について

わかった Fm

ダイオード最大順方向電流 t p =1ms

900

A について

シンボル

説明

価値

ユニット

T vjmax

交差点最大温度

175

o C

T バイト

交差点の動作温度

-40から+150

o C

T STG

保管温度範囲

-40から+125

o C

V ISO

絶縁電圧 RMS,f=50Hz,t =1分

2500

V

シンボル

パラメータ

試験条件

分。

タイプする

マックス。

ユニット

V 衛星

収集機から発信機へ 飽和電圧

わかった C =450A,V 遺伝子組み換え =15V T vj =25 o C

1.70

2.15

V

わかった C =450A,V 遺伝子組み換え =15V T vj =125 について o C

1.95

わかった C =450A,V 遺伝子組み換え =15V T vj =150 について o C

2.00

V 遺伝子組み換え (tH )

ゲート発信者の限界値 圧力は

わかった C =18.0 mA ,V CE = V 遺伝子組み換え , T vj =25 o C

5.6

6.2

6.8

V

わかった CES

収集家 カット -オフ 現在

V CE = V CES ,V 遺伝子組み換え =0V T vj =25 o C

1.0

mA

わかった 総エネルギー

ゲート発射器の漏れ 現在

V 遺伝子組み換え = V 総エネルギー ,V CE =0V T vj =25 o C

400

nA

R ゲント

内部ゲート抵抗 アンス

0.7

ω

C ies

入力容量

V CE 電気回路が1Mhzで V 遺伝子組み換え =0V

46.6

ロープ

C res

逆転移転 容量

1.31

ロープ

Q G

ゲートチャージ

V 遺伝子組み換え =-15...+15V

3.50

微分

t d (on )

オンする遅延時間

V CC =600V,I C =450A R G =1.5Ω,V 遺伝子組み換え =±15V LS =45 nH ,T vj =25 o C

284

nS

t r

昇る時間

78

nS

t 消して

切断する 遅延時間

388

nS

t f

秋の時間

200

nS

E on

オン スイッチング 損失

45.0

mJ

E オフ

切断する 損失

33.4

mJ

t d (on )

オンする遅延時間

V CC =600V,I C =450A R G =1.5Ω,V 遺伝子組み換え =±15V LS =45 nH ,T vj =125 について o C

288

nS

t r

昇る時間

86

nS

t 消して

切断する 遅延時間

456

nS

t f

秋の時間

305

nS

E on

オン スイッチング 損失

60.1

mJ

E オフ

切断する 損失

48.4

mJ

t d (on )

オンする遅延時間

V CC =600V,I C =450A R G =1.5Ω,V 遺伝子組み換え =±15V LS =45 nH ,T vj =150 について o C

291

nS

t r

昇る時間

88

nS

t 消して

切断する 遅延時間

472

nS

t f

秋の時間

381

nS

E on

オン スイッチング 損失

63.5

mJ

E オフ

切断する 損失

52.1

mJ

わかった SC

SC データ

t P ≤10μs V 遺伝子組み換え =15V

T vj =150 について o C,V CC =800V V 単数 ≤1200V

1800

A について

シンボル

パラメータ

試験条件

分。

タイプする

マックス。

ユニット

V F

ダイオード 前向き 圧力は

わかった F =450A,V 遺伝子組み換え =0V,T vj =2 5o C

1.90

2.35

V

わかった F =450A,V 遺伝子組み換え =0V,T vj =125 について o C

2.00

わかった F =450A,V 遺伝子組み換え =0V,T vj =150 について o C

2.05

Q r

回収された電荷

V R =600V,I F =450A

-di/dt=4500A/μs,V 遺伝子組み換え =15V LS =45 nH ,T vj =25 o C

39.4

微分

わかった ロープ

ピーク逆

回復電流

296

A について

E レス

逆転回復 エネルギー

11.8

mJ

Q r

回収された電荷

V R =600V,I F =450A

-di/dt=4100A/μs,V 遺伝子組み換え =15V LS =45 nH ,T vj =125 について o C

58.6

微分

わかった ロープ

ピーク逆

回復電流

309

A について

E レス

逆転回復 エネルギー

17.7

mJ

Q r

回収された電荷

V R =600V,I F =450A

-di/dt=4000A/μs,V 遺伝子組み換え =15V LS =45 nH ,T vj =150 について o C

83.6

微分

わかった ロープ

ピーク逆

回復電流

330

A について

E レス

逆転回復 エネルギー

20.3

mJ

シンボル

パラメータ

分。

タイプする

マックス。

ユニット

L CE

流れる誘導力

20

nH

R CC+EE

モジュールリード抵抗,端末からチップ

0.35

mΩ

R thJC

接合 -オー -事例 (perIGBT ) 交差点 (Dあたり) ヨード)

0.065 0.119

総量

R thCH

ケースからヒートシンクへの（per IGBT) ケースからヒートシンク (pe) ダイオード) ケースからヒートシンク (Mあたり) 臭い)

0.031 0.057 0.010

総量

M

端末接続トーク 六角ボルトM6 固定トーク 六角ボルトM6

2.5 3.0

5.0 5.0

N.M<br>

G

重量 の モジュール

300

g