GD450HFX120C2SA、IGBTモジュール、STARPOWER

シンボル

説明

価値

単位

V CES

集合器-放出器の電圧

1200

V

V 総エネルギー

ゲート・エミッター・ボルト

±20

V

IC

コレクタ電流 @ T C=25o C @ T C=100o C

704

450

A

ICm

パルスコレクター電流 t p =1ms

900

A

PD

最大電源 消耗 @ T vj =175o C

2307

W

シンボル

説明

価値

単位

V RRM

繰り返しのピーク リバース・ボルト 年齢

1200

V

IF

ダイオード 連続前向きCu rrent

450

A

IFm

ダイオード最大順方向電流 t p =1ms

900

A

シンボル

説明

価値

単位

T vjmax

交差点最大温度

175

o C

T バイト

交差点の動作温度

-40から+150

o C

T STG

保管温度範囲

-40から+125

o C

V ISO

絶縁電圧 RMS,f=50Hz,t =1分

2500

V

シンボル

仕様

試験条件

分。

タイプする

マックス。

単位

V 衛星

収集機から発信機へ 飽和電圧

IC=450A,V 遺伝子組み換え =15V T vj =25o C

1.70

2.15

V

IC=450A,V 遺伝子組み換え =15V T vj =125o C

1.95

IC=450A,V 遺伝子組み換え =15V T vj =150o C

2.00

V 遺伝子組み換え (th)

ゲート発信者の限界値 電圧

IC=18.0mA ,V CE =V 遺伝子組み換え , T vj =25o C

5.6

6.2

6.8

V

ICES

収集家 切断 —オフ 現在の

V CE =V CES ,V 遺伝子組み換え =0V T vj =25o C

1.0

mA

I総エネルギー

ゲート発射器の漏れ 現在の

V 遺伝子組み換え =V 総エネルギー ,V CE =0V T vj =25o C

400

nA

バー ゲント

内部ゲート抵抗 アンス

0.7

ω

Cies

入力容量

V CE 電気回路が1Mhzで V 遺伝子組み換え =0V

46.6

ロープ

Cres

逆転移転 容量

1.31

ロープ

QG

ゲートチャージ

V 遺伝子組み換え =-15...+15V

3.50

微分

t d (オン )

オンする遅延時間

V CC =600V,I C=450A バー G=1.5Ω,V 遺伝子組み換え =±15V LS =45nH ,T vj =25o C

284

nS

t バー

昇る時間

78

nS

t 消して

切断する 遅延時間

388

nS

t f

秋の時間

200

nS

Eオン

オン スイッチング 損失

45.0

mJ

Eオフ

切断する 損失

33.4

mJ

t d (オン )

オンする遅延時間

V CC =600V,I C=450A バー G=1.5Ω,V 遺伝子組み換え =±15V LS =45nH ,T vj =125o C

288

nS

t バー

昇る時間

86

nS

t 消して

切断する 遅延時間

456

nS

t f

秋の時間

305

nS

Eオン

オン スイッチング 損失

60.1

mJ

Eオフ

切断する 損失

48.4

mJ

t d (オン )

オンする遅延時間

V CC =600V,I C=450A バー G=1.5Ω,V 遺伝子組み換え =±15V LS =45nH ,T vj =150o C

291

nS

t バー

昇る時間

88

nS

t 消して

切断する 遅延時間

472

nS

t f

秋の時間

381

nS

Eオン

オン スイッチング 損失

63.5

mJ

Eオフ

切断する 損失

52.1

mJ

ISC

SC データ

t P≤10μs V 遺伝子組み換え =15V

T vj =150o C,V CC =800V V 単数 ≤1200V

1800

A

シンボル

仕様

試験条件

分。

タイプする

マックス。

単位

V F

ダイオード 前向き 電圧

IF =450A,V 遺伝子組み換え =0V,T vj =25o C

1.90

2.35

V

IF =450A,V 遺伝子組み換え =0V,T vj =125o C

2.00

IF =450A,V 遺伝子組み換え =0V,T vj =150o C

2.05

Qバー

回収された電荷

V バー =600V,I F =450A

-di/dt=4500A/μs,V 遺伝子組み換え =15V LS =45nH ,T vj =25o C

39.4

微分

Iロープ

ピーク逆

回復電流

296

A

Eレス

逆転回復 エネルギー容量

11.8

mJ

Qバー

回収された電荷

V バー =600V,I F =450A

-di/dt=4100A/μs,V 遺伝子組み換え =15V LS =45nH ,T vj =125o C

58.6

微分

Iロープ

ピーク逆

回復電流

309

A

Eレス

逆転回復 エネルギー容量

17.7

mJ

Qバー

回収された電荷

V バー =600V,I F =450A

-di/dt=4000A/μs,V 遺伝子組み換え =15V LS =45nH ,T vj =150o C

83.6

微分

Iロープ

ピーク逆

回復電流

330

A

Eレス

逆転回復 エネルギー容量

20.3

mJ

シンボル

仕様

分。

タイプする

マックス。

単位

LCE

流れる誘導力

20

nH

バー CC+EE

モジュールリード抵抗,端末からチップ

0.35

mΩ

バー thJC

接合 —～ —事例 (perIGBT ) 交差点 (Dあたり) ヨード)

0.065 0.119

総量

バー thCH

ケースからヒートシンクへの（per IGBT) ケースからヒートシンク (pe) ダイオード) ケースからヒートシンク (Mあたり) 臭い)

0.031 0.057 0.010

総量

分

端末接続トーク 六角ボルトM6 固定トーク 六角ボルトM6

2.5 3.0

5.0 5.0

N.M<br>

G

重量 の モジュール

300

g