GD3600SGX170C4S,IGBTモジュール,大電流IGBTモジュール,STARPOWER

シンボル

説明

価値

単位

V CES

集合器-放出器の電圧

1700

V

V 総エネルギー

ゲート・エミッター・ボルト

±20

V

IC

コレクタ電流 @ T C=100o C

3600

A

ICm

パルスコレクター電流 t p =1ms

7200

A

PD

最大電源 消耗 @ T j =175o C

21.4

kW

シンボル

説明

価値

単位

V RRM

繰り返しのピーク リバース・ボルト 年齢

1700

V

IF

ダイオード 連続前向きCu rrent

3600

A

IFm

ダイオード最大順方向電流 t p =1ms

7200

A

IFSM

サージ順方向電流 V バー =0V,T p =10ms, @T j =25o C @T j =150o C

23.22 19.95

kA

I2t

I2t値,V バー =0V,T p =10m s,T j =25o CI2t値,V バー =0V,T p =10ms ,t j =150o C

2695

1990

kA2秒

シンボル

説明

価値

単位

T jmax

交差点最大温度

175

o C

T ショウジョウ

交差点の動作温度

-40から+150

o C

T STG

保管温度範囲

-40から+125

o C

V ISO

絶縁電圧 RMS,f=50Hz,t =1分

4000

V

シンボル

仕様

試験条件

分。

タイプする

マックス。

単位

V 衛星

収集機から発信機へ 飽和電圧

IC=3600A,V 遺伝子組み換え =15V T j =25o C

1.85

2.30

V

IC=3600A,V 遺伝子組み換え =15V T j =125o C

2.25

IC=3600A,V 遺伝子組み換え =15V T j =150o C

2.30

V 遺伝子組み換え (th)

ゲート発信者の限界値 電圧

IC=144.0mA ,V CE =V 遺伝子組み換え , T j =25o C

5.6

6.2

6.8

V

ICES

収集家 切断 —オフ 現在の

V CE =V CES ,V 遺伝子組み換え =0V T j =25o C

5.0

mA

I総エネルギー

ゲート発射器の漏れ 現在の

V 遺伝子組み換え =V 総エネルギー ,V CE =0V T j =25o C

400

nA

バー ゲント

内部ゲート抵抗

0.7

ω

Cies

入力容量

V CE 電気回路が25Vで,f=100KHzで, V 遺伝子組み換え =0V

427

ロープ

Cres

逆転移転 容量

10.7

ロープ

QG

ゲートチャージ

V 遺伝子組み換え =-15...+15V

35.3

微分

t d (オン )

オンする遅延時間

V CC =900V,I C=3600A バー ゲン =1.2Ω, バー ゲッフ =0.9Ω, V 遺伝子組み換え =-9V/+15V,

L秒 =65nH ,T j =25o C

1161

nS

t バー

昇る時間

413

nS

t 消して

切断する 遅延時間

4761

nS

t f

秋の時間

430

nS

Eオン

オン スイッチング 損失

1734

mJ

Eオフ

切断する 損失

2580

mJ

t d (オン )

オンする遅延時間

V CC =900V,I C=3600A バー ゲン =1.2Ω, バー ゲッフ =0.9Ω, V 遺伝子組み換え =-9V/+15V,

L秒 =65nH ,T j =125o C

1370

nS

t バー

昇る時間

547

nS

t 消して

切断する 遅延時間

5303

nS

t f

秋の時間

457

nS

Eオン

オン スイッチング 損失

2679

mJ

Eオフ

切断する 損失

2881

mJ

t d (オン )

オンする遅延時間

V CC =900V,I C=3600A バー ゲン =1.2Ω, バー ゲッフ =0.9Ω, V 遺伝子組み換え =-9V/+15V,

L秒 =65nH ,T j =150o C

1413

nS

t バー

昇る時間

585

nS

t 消して

切断する 遅延時間

5490

nS

t f

秋の時間

473

nS

Eオン

オン スイッチング 損失

2863

mJ

Eオフ

切断する 損失

2960

mJ

ISC

SC データ

t P≤10μs V 遺伝子組み換え =15V

T j =150o C,V CC =1000V, V 単数 ≤1700V

14.0

kA

シンボル

仕様

試験条件

分。

タイプする

マックス。

単位

V F

ダイオード 前向き 電圧

IF =3600A,V 遺伝子組み換え =0V,T j =25o C

1.80

2.25

V

IF =3600A,V 遺伝子組み換え =0V,T j =125o C

1.90

IF =3600A,V 遺伝子組み換え =0V,T j =150o C

1.95

Qバー

回収された電荷

V バー =900V,I F =3600A

-di／dt=7000A／μs,V 遺伝子組み換え =-9V、 L秒 =65nH ,T j =25o C

207

微分

Iロープ

ピーク逆

回復電流

1030

A

Eレス

逆転回復 エネルギー容量

199

mJ

Qバー

回収された電荷

V バー =900V,I F =3600A

-di／dt=5700／μs,V 遺伝子組み換え =-9V、 L秒 =65nH ,T j =125o C

288

微分

Iロープ

ピーク逆

回復電流

1020

A

Eレス

逆転回復 エネルギー容量

339

mJ

Qバー

回収された電荷

V バー =900V,I F =3600A

-di/dt=5200A/μs,V 遺伝子組み換え =-9V、 L秒 =65nH ,T j =150o C

391

微分

Iロープ

ピーク逆

回復電流

996

A

Eレス

逆転回復 エネルギー容量

341

mJ

シンボル

仕様

分。

タイプする

マックス。

単位

LCE

流れる誘導力

6.0

nH

バー CC+EE

モジュール鉛抵抗 ターミナルからチップへ

0.085

mΩ

バー thJC

接合 —～ —事例 (perIGBT ) ケースへの接点 (DIあたり) オーデ)

7.0 12.8

電力量

バー thCH

事例 —～ —熱シンク (perIGBT )ケースからヒートシンク (pe) ダイオード) ケースからヒートシンク (Mあたり) 臭い)

6.2 11.3 4.0

電力量

d クリーپ

端子からヒートシンクへ 端子間

32.2 32.2

mm

d 明確

端子からヒートシンクへ 端子間

19.1 19.1

mm

分

端末接続トーク スクロールM4 端末接続トーク スクロール M8 固定トーク 六角ボルトM6

1.8 8.0 4.25

2.1

10

5.75

N.M<br>

G

重量 の モジュール

2060

g