IGBTモジュール GD820HTX75P6HFB Starpower

シンボル

説明

バリュー

単位

V CES

集合器-放出器の電圧

750

V

V 総エネルギー

ゲート・エミッター・ボルト

±20

V

I中国

実装されたコレクター Cu rrent

820

A

IC

コレクタ電流 @ T F =75o C

450

A

ICm

パルスコレクター電流 t p =1ms

1640

A

PD

最大電力損失 する @ T F =75o C T j =175o C

751

W

シンボル

説明

バリュー

単位

V RRM

繰り返しのピーク逆電圧 遺伝子組み換え

750

V

IFN

実装されたコレクター Cu rrent

820

A

IF

ダイオード 連続前向きCu rrent

450

A

IFm

ダイオード最大順方向電流 t p =1ms

1640

A

シンボル

説明

価値

単位

T jmax

交差点最大温度

175

o C

T ショウジョウ

動作点の温度は連続

期間中の10秒間について 30秒以内に発生 寿命中に最大3000回

-40から+150 +150から+175

o C

T STG

保管温度範囲

-40から+125

o C

V ISO

絶縁電圧RMS,f=50Hz,t=1 分

2500

V

シンボル

仕様

試験条件

分。

タイプする

マックス。

単位

V 衛星

収集機から発信機へ 飽和電圧

IC=450A,V 遺伝子組み換え =15V T j =25o C

1.25

1.50

V

IC=450A,V 遺伝子組み換え =15V T j =150o C

1.35

IC=450A,V 遺伝子組み換え =15V T j =175o C

1.40

IC=820A、V 遺伝子組み換え =15V T j =25o C

1.55

IC=820A、V 遺伝子組み換え =15V T j =175o C

1.90

V 遺伝子組み換え (th)

ゲート発信者の限界値 圧力は

IC=9.60mA ,V CE =V 遺伝子組み換え , T j =25o C

5.0

5.7

7.0

V

IC=9.60mA ,V CE =V 遺伝子組み換え , T j =175o C

3.5

ICES

収集家 切断 —オフ 現在の

V CE =V CES ,V 遺伝子組み換え =0V T j =25o C

1.0

mA

I総エネルギー

ゲート発射器の漏れ 現在の

V 遺伝子組み換え =V 総エネルギー ,V CE =0V T j =25o C

400

nA

バー ゲント

内部ゲート抵抗

0.7

ω

Cies

入力容量

V CE =50V,f=100kHz, V 遺伝子組み換え =0V

42.1

ロープ

Cオーエス

輸出容量

1.80

ロープ

Cres

逆転移転 容量

1.18

ロープ

QG

ゲートチャージ

V CE =400V、I C =450A、V 遺伝子組み換え =-8...+15V

3.01

微分

t d (オン )

オンする遅延時間

V CC =400V、I C=450A バー G=2.4Ω, LS =24nH ,V 遺伝子組み換え =-8V/+15V,

T j =25o C

126

nS

t バー

昇る時間

62

nS

t 消して

切断する 遅延時間

639

nS

t f

秋の時間

149

nS

Eオン

オン スイッチング 損失

17.3

mJ

Eオフ

切断する 損失

25.4

mJ

t d (オン )

オンする遅延時間

V CC =400V、I C=450A バー G=2.4Ω, LS =24nH ,V 遺伝子組み換え =-8V/+15V,

T j =150o C

136

nS

t バー

昇る時間

68

nS

t 消して

切断する 遅延時間

715

nS

t f

秋の時間

221

nS

Eオン

オン スイッチング 損失

22.5

mJ

Eオフ

切断する 損失

31.0

mJ

t d (オン )

オンする遅延時間

V CC =400V、I C=450A バー G=2.4Ω, LS =24nH ,V 遺伝子組み換え =-8V/+15V,

T j =175o C

138

nS

t バー

昇る時間

68

nS

t 消して

切断する 遅延時間

739

nS

t f

秋の時間

227

nS

Eオン

オン スイッチング 損失

24.8

mJ

Eオフ

切断する 損失

32.6

mJ

ISC

SC データ

t P≤6μs V 遺伝子組み換え =15V

5100

A

T j =25o C,V CC =400V, V 単数 ≤750V

t P≤3μs, V 遺伝子組み換え =15V

T j =175o C,V CC =400V, V 単数 ≤750V

3800

シンボル

仕様

試験条件

分。

タイプする

マックス。

単位

V F

ダイオード 前向き 圧力は

IF =450A,V 遺伝子組み換え =0V,T j =25o C

1.40

1.65

V

IF =450A,V 遺伝子組み換え =0V,T j =150o C

1.35

IF =450A,V 遺伝子組み換え =0V,T j =175o C

1.30

IF =820A、V 遺伝子組み換え =0V,T j =25o C

1.70

IF =820A、V 遺伝子組み換え =0V,T j =175o C

1.65

Qバー

回収された電荷

V バー =400V、I F =450A

-di/dt=7070A/μs、V 遺伝子組み換え =-8V, LS =24nH ,T j =25o C

16.0

微分

Iロープ

ピーク逆

回復電流

254

A

Eレス

逆転回復 エネルギー

5.03

mJ

Qバー

回収された電荷

V バー =400V、I F =450A

-di/dt=6150A/μs、V 遺伝子組み換え =-8V, LS =24nH ,T j =150o C

36.0

微分

Iロープ

ピーク逆

回復電流

320

A

Eレス

逆転回復 エネルギー

9.49

mJ

Qバー

回収された電荷

V バー =400V、I F =450A

-di/dt=6010A/μs、V 遺伝子組み換え =-8V, LS =24nH ,T j =175o C

40.5

微分

Iロープ

ピーク逆

回復電流

338

A

Eレス

逆転回復 エネルギー

10.5

mJ

シンボル

仕様

試験条件

分。

タイプする

マックス。

単位

バー 25

定数抵抗

5.0

kΩ

∆R/R

偏差 の バー 100

T C=100 o Cロープ 100=493.3Ω

-5

5

%

P25

電力

散熱

20.0

mW

B 25/50

B値

バー 2=R 25経験 [B 25/501/T 2— 半角形から

3375

K

B 25/80

B値

バー 2=R 25経験 [B 25/801/T 2— 半角形から

3411

K

B 25/100

B値

バー 2=R 25経験 [B 25/1001/T 2— 半角形から

3433

K

シンボル

仕様

分。

タイプする

マックス。

単位

LCE

流れる誘導力

8

nH

バー CC+EE

モジュールリード抵抗,端末からチップ

0.75

mΩ

△p

△V/ △t=10.0 dM 3/分 ,T F =75o C

64

mbar

p

冷却回りの最大圧 キュート

T ベースプレート <40o C

T ベースプレート 40o C

（相対圧力）

2.5 2.0

棒材

バー thJF

接合 —～ —冷却 液体で (perIGBT )結合冷却液 (Dあたり) ヨード) △V/ △t=10.0 dM 3/分 ,T F =75o C

0.116 0.175

0.133 0.200

総量

M

端末接続トーク スクロール M5 固定トーク スクロールM4

3.6 1.8

4.4 2.2

N.M<br>

G

重量 の モジュール

750

g