GD200FFY120C6S,IGBTモジュール,STARPOWER

シンボル

商品説明

バリュー

単位

V CES

集合器-放出器の電圧

1200

V

V 総エネルギー

ゲート・エミッター・ボルト

±20

V

こ C

コレクタ電流 @ T C =25主 C

@ T C = 100主 C

309

200

A

こ Cm

パルスコレクター電流 t p =1ms

400

A

P D

最大電源 消耗 @ T =175主 C

1006

W

シンボル

商品説明

バリュー

単位

V RRM

繰り返しのピーク逆電圧

1200

V

こ F

ダイオード 連続前向き 賃貸

200

A

こ Fm

ダイオード最大順方向電流 t p =1ms

400

A

シンボル

商品説明

バリュー

単位

T jmax

交差点最大温度

175

主 C

T ショウジョウ

交差点の動作温度

-40から+150

主 C

T STG

保管温度 航続距離

-40から+125

主 C

V ISO

絶縁電圧RMS,f=50Hz,t=1 ほんの少し

2500

V

シンボル

パラメータ

試験条件

分。

タイプする

マックス。

単位

V 衛星

収集機から発信機へ

飽和電圧

こ C =200A、V 遺伝子組み換え =15V T j =25主 C

1.70

2.15

V

こ C =200A、V 遺伝子組み換え =15V T j =125主 C

1.95

こ C =200A、V 遺伝子組み換え =15V T j =150主 C

2.00

V 遺伝子組み換え (th)

ゲート発信者の限界値 圧力は

こ C =5.0mA ,V CE =V 遺伝子組み換え , T j =25主 C

5.2

6.0

6.8

V

こ CES

収集家 切断 -オフ

現在の

V CE =V CES ,V 遺伝子組み換え =0V

T j =25主 C

1.0

mA

こ 総エネルギー

ゲート発射器の漏れ 現在の

V 遺伝子組み換え =V 総エネルギー ,V CE =0V T j =25主 C

400

nA

バー ゲント

内部ゲート抵抗 アンス

4.0

ω

t d (を )

オンする遅延時間

V CC =600V,I C =200A, バー G = 1. 1Ω、V 遺伝子組み換え =±15V T j =25主 C

150

nS

t バー

昇る時間

32

nS

t d (オフ )

切断する 遅延時間

330

nS

t f

秋の時間

93

nS

E を

オン スイッチング

損失

11.2

mJ

E オフ

切断する

損失

11.3

mJ

t d (を )

オンする遅延時間

V CC =600V,I C =200A, バー G = 1. 1Ω、V 遺伝子組み換え =±15V T j = 125主 C

161

nS

t バー

昇る時間

37

nS

t d (オフ )

切断する 遅延時間

412

nS

t f

秋の時間

165

nS

E を

オン スイッチング

損失

19.8

mJ

E オフ

切断する

損失

17.0

mJ

t d (を )

オンする遅延時間

V CC =600V,I C =200A, バー G = 1. 1Ω、V 遺伝子組み換え =±15V T j = 150主 C

161

nS

t バー

昇る時間

43

nS

t d (オフ )

切断する 遅延時間

433

nS

t f

秋の時間

185

nS

E を

オン スイッチング

損失

21.9

mJ

E オフ

切断する

損失

19.1

mJ

こ SC

SC データ

t P ≤10μs,V 遺伝子組み換え =15V

T j =150主 C,V CC =900V V 単数 ≤1200V

800

A

シンボル

パラメータ

試験条件

分。

タイプする

マックス。

ユニット

V F

ダイオード 前向き

圧力は

こ F =200A、V 遺伝子組み換え =0V,T j =25主 C

1.65

2.10

V

こ F =200A、V 遺伝子組み換え =0V,T j = 125主 C

1.65

こ F =200A、V 遺伝子組み換え =0V,T j = 150主 C

1.65

Q バー

回収された電荷

V バー =600V,I F =200A,

-di/dt=5400A/μs,V 遺伝子組み換え =- 15V T j =25主 C

17.6

微分

こ ロープ

ピーク逆

回復電流

228

A

E レス

逆転回復 エネルギー

7.7

mJ

Q バー

回収された電荷

V バー =600V,I F =200A,

-di/dt=5400A/μs,V 遺伝子組み換え =- 15V T j =125主 C

31.8

微分

こ ロープ

ピーク逆

回復電流

238

A

E レス

逆転回復 エネルギー

13.8

mJ

Q バー

回収された電荷

V バー =600V,I F =200A,

-di/dt=5400A/μs,V 遺伝子組み換え =- 15V T j =150主 C

36.6

微分

こ ロープ

ピーク逆

回復電流

247

A

E レス

逆転回復 エネルギー

15.2

mJ

シンボル

パラメータ

試験条件

分。

タイプする

マックス。

単位

バー 25

定数抵抗

5.0

kΩ

δR/R

偏差 の バー 100

T C = 100 主 C,R 100=493.3Ω

-5

5

%

P 25

電力

散熱

20.0

mW

B 25/50

B値

バー 2=R 25経験 [B 25/501/T 2-

半角形から

3375

K

B 25/80

B値

バー 2=R 25経験 [B 25/801/T 2-

半角形から

3411

K

B 25/100

B値

バー 2=R 25経験 [B 25/1001/T 2-

半角形から

3433

K

シンボル

パラメータ

分。

タイプする

マックス。

単位

L CE

流れる誘導力

21

nH

バー CC+EE

モジュールリード抵抗 端子からチップへ

1.80

mΩ

バー thJC

ケース対ケース (IGBごとに) T) について

交差点 (Dあたり) ヨード)

0.149

0.206

総量

バー thCH

ケースからヒートシンクへの（per IGBT)

ケースからヒートシンクへの（p er ダイオード）

ケースからヒートシンク (Mあたり) 臭い)

0.031

0.043

0.009

総量

M

固定螺栓:M6

3.0

6.0

N.M<br>

G

重量 の モジュール

300

g