IGBTモジュール GD820HFA75N6HY Starpower

シンボル

説明

バリュー

単位

V CES

集合器-放出器の電圧

750

V

V 総エネルギー

ゲート・エミッター・ボルト

±20

V

I中国

実装されたコレクター Cu rrent

820

A

IC

コレクタ電流 @ T F =95o C T vj =175o C

450

A

ICRM

繰り返す 頂点 収集家 現在の tp 限定的 著者： T バイト

1640

A

PD

最大電力損失 する @ T F =65o C T vj =175o C

909

W

シンボル

説明

バリュー

単位

V RRM

繰り返しのピーク リバース・ボルト 年齢

750

V

IFN

実装されたコレクター Cu rrent

820

A

IF

ダイオード 連続前向きCu rrent

450

A

IFRM

繰り返す 頂点 フォワード 現在の tp 限定的 著者： T バイト

1640

A

シンボル

説明

価値

単位

T vjmax

交差点最大温度

175

o C

T バイト

動作点の温度は連続

-40から+150

o C

T STG

保管温度範囲

-40から+125

o C

V ISO

絶縁電圧 RMS,f=50Hz,t =1分

2500

V

d クリーپ

ターミナルからヒートシンクへ ターミナルからターミナルへ

7.3 7.3

mm

d 明確

ターミナルからヒートシンクへ ターミナルからターミナルへ

7.3 4.0

mm

シンボル

仕様

試験条件

分。

タイプする

マックス。

単位

V 衛星

収集機から発信機へ 飽和電圧

IC=680A、V 遺伝子組み換え =15V T vj =25o C

1.25

1.50

V

IC=680A、V 遺伝子組み換え =15V T vj =150o C

1.35

IC=680A、V 遺伝子組み換え =15V T vj =175o C

1.40

IC=820A、V 遺伝子組み換え =15V T vj =25o C

1.30

IC=820A、V 遺伝子組み換え =15V T vj =175o C

1.50

V 遺伝子組み換え (th)

ゲート発信者の限界値 電圧

IC=12.9mA ,V CE =V 遺伝子組み換え , T vj =25o C

5.5

6.5

7.0

V

ICES

収集家 切断 —オフ 現在の

V CE =V CES ,V 遺伝子組み換え =0V T vj =25o C

1.0

mA

I総エネルギー

ゲート発射器の漏れ 現在の

V 遺伝子組み換え =V 総エネルギー ,V CE =0V T vj =25o C

400

nA

バー ゲント

内部ゲート抵抗

1.0

ω

Cies

入力容量

V CE =50V,f=100kHz, V 遺伝子組み換え =0V

72.3

ロープ

Cオーエス

輸出容量

1.51

ロープ

Cres

逆転移転 容量

0.32

ロープ

QG

ゲートチャージ

V CE =400V, IC=680A、 V 遺伝子組み換え =-10…+15V

4.10

微分

t d (オン )

オンする遅延時間

V CC =400V、I C=450A バー G=2.4Ω, L秒 =20nH ,V 遺伝子組み換え =-8V/+15V,

T vj =25o C

483

nS

t バー

昇る時間

60

nS

t 消して

切断する 遅延時間

664

nS

t f

秋の時間

67

nS

Eオン

オン スイッチング 損失

16.3

mJ

Eオフ

切断する 損失

17.4

mJ

t d (オン )

オンする遅延時間

V CC =400V、I C=450A バー G=2.4Ω, L秒 =20nH ,V 遺伝子組み換え =-8V/+15V,

T vj =150o C

507

nS

t バー

昇る時間

76

nS

t 消して

切断する 遅延時間

750

nS

t f

秋の時間

125

nS

Eオン

オン スイッチング 損失

26.3

mJ

Eオフ

切断する 損失

22.1

mJ

t d (オン )

オンする遅延時間

V CC =400V、I C=450A バー G=2.4Ω, L秒 =20nH ,V 遺伝子組み換え =-8V/+15V,

T vj =175o C

509

nS

t バー

昇る時間

79

nS

t 消して

切断する 遅延時間

764

nS

t f

秋の時間

139

nS

Eオン

オン スイッチング 損失

27.6

mJ

Eオフ

切断する 損失

23.0

mJ

ISC

SC データ

t P≤3μs, V 遺伝子組み換え =15V

T j =175o C,V CC =450V、 V 単数 ≤750V

3300

A

シンボル

仕様

試験条件

分。

タイプする

マックス。

単位

V F

ダイオード 前向き 電圧

IF =680A、V 遺伝子組み換え =0V,T vj =25o C

1.60

2.05

V

IF =680A、V 遺伝子組み換え =0V,T vj =150o C

1.60

IF =680A、V 遺伝子組み換え =0V,T vj =175o C

1.55

IF =820A、V 遺伝子組み換え =0V,T vj =25o C

1.70

IF =820A、V 遺伝子組み換え =0V,T vj =175o C

1.65

Qバー

回収された電荷

V バー =400V、I F =450A

-di/dt=8350A/μs、L 秒 =20n H、 V 遺伝子組み換え =-8V, T vj =25o C

12.4

微分

Iロープ

ピーク逆

回復電流

273

A

Eレス

逆転回復 エネルギー容量

3.45

mJ

Qバー

回収された電荷

V バー =400V、I F =450A

-di／dt=6670A／μs,L 秒 =20n H、 V 遺伝子組み換え =-8V, T vj =150o C

27.7

微分

Iロープ

ピーク逆

回復電流

319

A

Eレス

逆転回復 エネルギー容量

6.51

mJ

Qバー

回収された電荷

V バー =400V、I F =450A

-di／dt=6410A／μs,L 秒 =20n H、 V 遺伝子組み換え =-8V, T vj =175o C

31.8

微分

Iロープ

ピーク逆

回復電流

334

A

Eレス

逆転回復 エネルギー容量

7.26

mJ

シンボル

仕様

試験条件

分。

タイプする

マックス。

単位

バー

公称 耐性

T C=0 o C

T C=150 o C

1000

1573

ω ω

T クロム

温度係数 nt

0.38

%/K

T ショ

自己 ヒーティング

T C=0 o C

I分 =0.1...0.3mA

0.4

K/mW

シンボル

仕様

分。

タイプする

マックス。

単位

LCE

流れる誘導力

5

nH

p

冷却回りの最大圧 キュート

2.5

棒材

バー thJF

接合 —～ —冷却 液体で (perIGBT )接合部から冷却液まで (per Di オーデ) △V/ △t=2.67 L/ 分 ,T F =65o C

0.105 0.157

0.121 0.181

総量

分

端末接続トーク スクロール M5 固定トーク スクロール M5

3.6 5.4

4.4 6.6

N.M<br>

G

重量 の モジュール

220

g