IGBTモジュール GD820HFA75N6HY Starpower

シンボル

説明

バリュー

ユニット

V CES

集合器-放出器の電圧

750

V

V 総エネルギー

ゲート・エミッター・ボルト

±20

V

わかった CN

実装されたコレクター Cu rrent

820

A

わかった C

コレクタ電流 @ T F =95 o C T vj =175 o C

450

A

わかった CRM

繰り返す 頂点 収集家 現在 tp 限定された によって T バイト

1640

A

P D

最大電力損失 する @ T F =65 o C T vj =175 o C

909

W について

シンボル

説明

バリュー

ユニット

V RRM

繰り返しのピーク リバース・ボルト 年齢

750

V

わかった FN

実装されたコレクター Cu rrent

820

A

わかった F

ダイオード 連続前向きCu rrent

450

A

わかった FRM

繰り返す 頂点 フォワード 現在 tp 限定された によって T バイト

1640

A

シンボル

説明

価値

ユニット

T vjmax

交差点最大温度

175

o C

T バイト

動作点の温度は連続

-40から+150

o C

T STG

保管温度範囲

-40から+125

o C

V ISO

絶縁電圧 RMS,f=50Hz,t =1分

2500

V

d クリーپ

ターミナルからヒートシンクへ ターミナルからターミナルへ

7.3 7.3

mm

d 明確

ターミナルからヒートシンクへ ターミナルからターミナルへ

7.3 4.0

mm

シンボル

パラメータ

試験条件

分。

タイプする

マックス。

ユニット

V 衛星

収集機から発信機へ 飽和電圧

わかった C =680A、V 遺伝子組み換え =15V T vj =25 o C

1.25

1.50

V

わかった C =680A、V 遺伝子組み換え =15V T vj =150 について o C

1.35

わかった C =680A、V 遺伝子組み換え =15V T vj =175 o C

1.40

わかった C =820A、V 遺伝子組み換え =15V T vj =25 o C

1.30

わかった C =820A、V 遺伝子組み換え =15V T vj =175 o C

1.50

V 遺伝子組み換え (tH )

ゲート発信者の限界値 圧力は

わかった C =12.9 mA ,V CE = V 遺伝子組み換え , T vj =25 o C

5.5

6.5

7.0

V

わかった CES

収集家 カット -オフ 現在

V CE = V CES ,V 遺伝子組み換え =0V T vj =25 o C

1.0

mA

わかった 総エネルギー

ゲート発射器の漏れ 現在

V 遺伝子組み換え = V 総エネルギー ,V CE =0V T vj =25 o C

400

nA

R ゲント

内部ゲート抵抗

1.0

ω

C ies

入力容量

V CE =50V,f=100kHz, V 遺伝子組み換え =0V

72.3

ロープ

C オーエス

輸出容量

1.51

ロープ

C res

逆転移転 容量

0.32

ロープ

Q G

ゲートチャージ

V CE =400V, わかった C =680A、 V 遺伝子組み換え =-10…+15V

4.10

微分

t d (on )

オンする遅延時間

V CC =400V、I C =450A R G =2.4Ω, L S =20 nH ,V 遺伝子組み換え =-8V/+15V,

T vj =25 o C

483

nS

t r

昇る時間

60

nS

t 消して

切断する 遅延時間

664

nS

t f

秋の時間

67

nS

E on

オン スイッチング 損失

16.3

mJ

E オフ

切断する 損失

17.4

mJ

t d (on )

オンする遅延時間

V CC =400V、I C =450A R G =2.4Ω, L S =20 nH ,V 遺伝子組み換え =-8V/+15V,

T vj =150 について o C

507

nS

t r

昇る時間

76

nS

t 消して

切断する 遅延時間

750

nS

t f

秋の時間

125

nS

E on

オン スイッチング 損失

26.3

mJ

E オフ

切断する 損失

22.1

mJ

t d (on )

オンする遅延時間

V CC =400V、I C =450A R G =2.4Ω, L S =20 nH ,V 遺伝子組み換え =-8V/+15V,

T vj =175 o C

509

nS

t r

昇る時間

79

nS

t 消して

切断する 遅延時間

764

nS

t f

秋の時間

139

nS

E on

オン スイッチング 損失

27.6

mJ

E オフ

切断する 損失

23.0

mJ

わかった SC

SC データ

t P ≤3μs, V 遺伝子組み換え =15V

T j =175 o C,V CC =450V、 V 単数 ≤750V

3300

A

シンボル

パラメータ

試験条件

分。

タイプする

マックス。

ユニット

V F

ダイオード 前向き 圧力は

わかった F =680A、V 遺伝子組み換え =0V,T vj =2 5o C

1.60

2.05

V

わかった F =680A、V 遺伝子組み換え =0V,T vj =150 について o C

1.60

わかった F =680A、V 遺伝子組み換え =0V,T vj =175 o C

1.55

わかった F =820A、V 遺伝子組み換え =0V,T vj =2 5o C

1.70

わかった F =820A、V 遺伝子組み換え =0V,T vj =175 o C

1.65

Q r

回収された電荷

V R =400V、I F =450A

-di/dt=8350A/μs、L S =20n H、 V 遺伝子組み換え =-8V, T vj =25 o C

12.4

微分

わかった ロープ

ピーク逆

回復電流

273

A

E レス

逆転回復 エネルギー

3.45

mJ

Q r

回収された電荷

V R =400V、I F =450A

-di／dt=6670A／μs,L S =20n H、 V 遺伝子組み換え =-8V, T vj =150 について o C

27.7

微分

わかった ロープ

ピーク逆

回復電流

319

A

E レス

逆転回復 エネルギー

6.51

mJ

Q r

回収された電荷

V R =400V、I F =450A

-di／dt=6410A／μs,L S =20n H、 V 遺伝子組み換え =-8V, T vj =175 o C

31.8

微分

わかった ロープ

ピーク逆

回復電流

334

A

E レス

逆転回復 エネルギー

7.26

mJ

シンボル

パラメータ

試験条件

分。

タイプする

マックス。

ユニット

R

名義 抵抗

T C =0 o C

T C =150 について o C

1000

1573

ω ω

T Cr

温度係数 nt

0.38

%/K

T ショ

自己 ヒーティング

T C =0 o C

わかった m =0.1...0.3mA

0.4

K/mW

シンボル

パラメータ

分。

タイプする

マックス。

ユニット

L CE

流れる誘導力

5

nH

p

冷却回りの最大圧 キュート

2.5

バー

R thJF

接合 -〜に至るまで -冷却 液体で (perIGBT )接合部から冷却液まで (per Di オーデ) △ V/ △ t=2.67 L/ ほんの少し ,T F =65 o C

0.105 0.157

0.121 0.181

総量

M

端末接続トーク スクロール M5 固定トーク スクロール M5

3.6 5.4

4.4 6.6

N.M<br>

G

重量 の モジュール

220

g