GD300HFX170C2SA,IGBTモジュール,STARPOWER

シンボル

説明

バリュー

単位

V CES

集合器-放出器の電圧

1700

V

V 総エネルギー

ゲート・エミッター・ボルト

±20

V

IC

コレクタ電流 @ T C=25o C @ T C=100o C

493

300

A

ICm

パルスコレクター電流 t p =1ms

600

A

PD

最大電源 消耗 @ T vj =175o C

1829

W

シンボル

説明

バリュー

単位

V RRM

繰り返しのピーク リバース・ボルト 年齢

1700

V

IF

ダイオード 連続前向きCu rrent

300

A

IFm

ダイオード最大順方向電流 t p =1ms

600

A

シンボル

仕様

試験条件

分。

タイプする

マックス。

単位

V 衛星

収集機から発信機へ 飽和電圧

IC=300A,V 遺伝子組み換え =15V T vj =25o C

1.85

2.30

V

IC=300A,V 遺伝子組み換え =15V T vj =125o C

2.25

IC=300A,V 遺伝子組み換え =15V T vj =150o C

2.35

V 遺伝子組み換え (th)

ゲート発信者の限界値 電圧

IC=12.0mA ,V CE =V 遺伝子組み換え , T vj =25o C

5.6

6.2

6.8

V

ICES

収集家 切断 —オフ 現在の

V CE =V CES ,V 遺伝子組み換え =0V T vj =25o C

1.0

mA

I総エネルギー

ゲート発射器の漏れ 現在の

V 遺伝子組み換え =V 総エネルギー ,V CE =0V T vj =25o C

400

nA

バー ゲント

内部ゲート抵抗 アンス

2.5

ω

Cies

入力容量

V CE 電気回路が1Mhzで V 遺伝子組み換え =0V

36.1

ロープ

Cres

逆転移転 容量

0.88

ロープ

QG

ゲートチャージ

V 遺伝子組み換え =-15 ...+15V

2.83

微分

t d (オン )

オンする遅延時間

V CC =900V,I C=300A バー G=2.4Ω、Ls=42nH、 V 遺伝子組み換え =±15V

T vj =25o C

355

nS

t バー

昇る時間

71

nS

t 消して

切断する 遅延時間

473

nS

t f

秋の時間

337

nS

Eオン

オン スイッチング 損失

89.3

mJ

Eオフ

切断する 損失

46.3

mJ

t d (オン )

オンする遅延時間

V CC =900V,I C=300A バー G=2.4Ω、Ls=42nH、 V 遺伝子組み換え =±15V

T vj =125o C

383

nS

t バー

昇る時間

83

nS

t 消して

切断する 遅延時間

549

nS

t f

秋の時間

530

nS

Eオン

オン スイッチング 損失

126

mJ

Eオフ

切断する 損失

68.5

mJ

t d (オン )

オンする遅延時間

V CC =900V,I C=300A バー G=2.4Ω、Ls=42nH、 V 遺伝子組み換え =±15V

T vj =150o C

389

nS

t バー

昇る時間

88

nS

t 消して

切断する 遅延時間

575

nS

t f

秋の時間

585

nS

Eオン

オン スイッチング 損失

139

mJ

Eオフ

切断する 損失

73.4

mJ

ISC

SC データ

t P≤10μs V 遺伝子組み換え =15V

T vj =150o C,V CC =1000V,

V 単数 ≤1700V

1200

A

シンボル

仕様

試験条件

分。

タイプする

マックス。

ユニット

V F

ダイオード 前向き 電圧

IF =300A,V 遺伝子組み換え =0V,T vj =25o C

1.80

2.25

V

IF =300A,V 遺伝子組み換え =0V,T vj =125o C

1.95

IF =300A,V 遺伝子組み換え =0V,T vj =150o C

1.90

Qバー

回収された電荷

V バー =900V,I F =300A

-di／dt=3247A／μs、V 遺伝子組み換え =15V LS =42nH ,T vj =25o C

68

微分

Iロープ

ピーク逆

回復電流

202

A

Eレス

逆転回復 エネルギー容量

34.5

mJ

Qバー

回収された電荷

V バー =900V,I F =300A

-di／dt=2579A／μs、V 遺伝子組み換え =15V LS =42nH ,T vj =125o C

114

微分

Iロープ

ピーク逆

回復電流

211

A

Eレス

逆転回復 エネルギー容量

61.2

mJ

Qバー

回収された電荷

V バー =900V,I F =300A

-di／dt=2395A／μs、V 遺伝子組み換え =15V LS =42nH ,T vj =150o C

136

微分

Iロープ

ピーク逆

回復電流

217

A

Eレス

逆転回復 エネルギー容量

73.9

mJ

シンボル

仕様

分。

タイプする

マックス。

単位

LCE

流れる誘導力

20

nH

バー CC+EE

モジュールリード抵抗,端末からチップ

0.35

mΩ

バー thJC

接合 —～ —事例 (perIGBT ) 交差点 (Dあたり) ヨード)

0.082 0.127

総量

バー thCH

ケースからヒートシンクへの（per IGBT) ケースからヒートシンク (pe) ダイオード) ケースからヒートシンク (Mあたり) 臭い)

0.033 0.051 0.010

総量

分

端末接続トーク 六角ボルトM6 固定トーク 六角ボルトM6

2.5 3.0

5.0 5.0

N.M<br>

G

重量 の モジュール

300

g