IGBT モジュール、GD1000HFA75N5HT Starpower

シンボル

商品説明

バリュー

単位

V CES

集合器-放出器の電圧

750

V

V 総エネルギー

ゲート・エミッター・ボルト

±20

V

こ CN

実装されたコレクター Cu rrent

1000

A

こ C

収集家 現在の T vj =175主 C

680

A

こ Cm

パルスコレクター電流 t p =1ms

1360

A

P D

最大電力損失 する @ T F =75主 C T vj =175主 C

1086

W

シンボル

商品説明

バリュー

単位

V RRM

繰り返しのピーク リバース・ボルト 年齢

750

V

こ FN

実装されたコレクター Cu rrent

1000

A

こ F

ダイオード 連続前向きCu rrent

680

A

こ Fm

ダイオード最大順方向電流 t p =1ms

1360

A

シンボル

商品説明

価値

単位

T vjmax

交差点最大温度

175

主 C

T バイト

動作点の温度は連続

-40から+150

主 C

T STG

保管温度範囲

-40から+125

主 C

V ISO

絶縁電圧RMS,f=50Hz,t=1 ほんの少し

2500

V

シンボル

パラメータ

試験条件

分。

タイプする

マックス。

単位

V 衛星

収集機から発信機へ 飽和電圧

こ C =680A、V 遺伝子組み換え =15V T vj =25主 C

1.25

1.50

V

こ C =680A、V 遺伝子組み換え =15V T vj =150主 C

1.35

こ C =680A、V 遺伝子組み換え =15V T vj =175主 C

1.40

こ C =1000A,V 遺伝子組み換え =15V T vj =25主 C

1.45

こ C =1000A,V 遺伝子組み換え =15V T vj =175主 C

1.70

V 遺伝子組み換え (th)

ゲート発信者の限界値 圧力は

こ C =9.60mA ,V CE =V 遺伝子組み換え , T vj =25主 C

5.5

6.5

7.0

V

こ C =9.60mA ,V CE =V 遺伝子組み換え , T vj =175主 C

3.5

こ CES

収集家 切断 -オフ 現在の

V CE =V CES ,V 遺伝子組み換え =0V T vj =25主 C

1.0

mA

こ 総エネルギー

ゲート発射器の漏れ 現在の

V 遺伝子組み換え =V 総エネルギー ,V CE =0V T vj =25主 C

400

nA

バー ゲント

内部ゲート抵抗

1.0

ω

C ies

入力容量

V CE =50V,f=100kHz, V 遺伝子組み換え =0V

72.3

ロープ

C オーエス

輸出容量

1.51

ロープ

C res

逆転移転 容量

0.32

ロープ

Q G

ゲートチャージ

V CE =400V, こ C =680A、 V 遺伝子組み換え =-10…+15V

4.10

微分

t d (を )

オンする遅延時間

V CC =400V、I C =680A、 バー G =0.22Ω, L S =16nH , V 遺伝子組み換え =-10V/+15V,

T vj =25主 C

196

nS

t バー

昇る時間

50

nS

t 消して

切断する 遅延時間

407

nS

t f

秋の時間

125

nS

E を

オン スイッチング 損失

11.1

mJ

E オフ

切断する 損失

29.1

mJ

t d (を )

オンする遅延時間

V CC =400V、I C =680A、 バー G =0.22Ω, L S =16nH , V 遺伝子組み換え =-10V/+15V,

T vj =150主 C

222

nS

t バー

昇る時間

63

nS

t 消して

切断する 遅延時間

471

nS

t f

秋の時間

178

nS

E を

オン スイッチング 損失

19.7

mJ

E オフ

切断する 損失

37.4

mJ

t d (を )

オンする遅延時間

V CC =400V、I C =680A、 バー G =0.22Ω, L S =16nH , V 遺伝子組み換え =-10V/+15V,

T vj =175主 C

224

nS

t バー

昇る時間

68

nS

t 消して

切断する 遅延時間

490

nS

t f

秋の時間

194

nS

E を

オン スイッチング 損失

21.7

mJ

E オフ

切断する 損失

39.5

mJ

こ SC

SC データ

t P ≤6μs,V 遺伝子組み換え =15V

4000

A

T vj =25主 C,V CC =450V、 V 単数 ≤750V

t P ≤3μs,V 遺伝子組み換え =15V

T vj =175主 C,V CC =450V、 V 単数 ≤750V

3300

シンボル

パラメータ

試験条件

分。

タイプする

マックス。

単位

V F

ダイオード 前向き 圧力は

こ F =680A、V 遺伝子組み換え =0V,T vj =25主 C

1.60

2.05

V

こ F =680A、V 遺伝子組み換え =0V,T vj =150主 C

1.60

こ F =680A、V 遺伝子組み換え =0V,T vj =175主 C

1.55

こ F =1000A,V 遺伝子組み換え =0V,T vj =25主 C

1.80

こ F =1000A,V 遺伝子組み換え =0V,T vj =175主 C

1.75

Q バー

回収された電荷

V バー =400V、I F =680A、

-di／dt=15030A／μs,V 遺伝子組み換え ＝－10V, L S =16nH ,T vj =25主 C

19.9

微分

こ ロープ

ピーク逆

回復電流

458

A

E レス

逆転回復 エネルギー

6.10

mJ

Q バー

回収された電荷

V バー =400V、I F =680A、

-di／dt=12360A／μs,V 遺伝子組み換え ＝－10V, L S =16nH ,T vj =150主 C

29.7

微分

こ ロープ

ピーク逆

回復電流

504

A

E レス

逆転回復 エネルギー

9.70

mJ

Q バー

回収された電荷

V バー =400V、I F =680A、

-di／dt=11740A／μs,V 遺伝子組み換え =-10V, L S =16nH ,T vj =175主 C

34.5

微分

こ ロープ

ピーク逆

回復電流

526

A

E レス

逆転回復 エネルギー

11.0

mJ

シンボル

パラメータ

試験条件

分。

タイプする

マックス。

単位

バー

公称 耐性

T C =0 主 C

T C =150 主 C

1000

1573

ω ω

T クロム

温度係数 nt

0.38

%/K

T ショ

自己 ヒーティング

T C =0 主 C

こ m =0.1...0.3mA

0.4

K/mW

シンボル

パラメータ

分。

タイプする

マックス。

単位

L CE

流れる誘導力

5

nH

p

冷却回りの最大圧 キュート

2.5

棒材

バー thJF

接合 -に -冷却 液体で (perIGBT )結合冷却液 (Dあたり) ヨード) △V/ △t=8.0 dM 3/ほんの少し ,T F =65主 C

0.080 0.115

総量

M

端末接続トーク スクロール M5 固定トーク スクロール M5

5.4 5.4

6.6 6.6

N.M<br>

G

重量 の モジュール

220

g