IGBT モジュール、GD1000HFA75N5HT Starpower

シンボル

説明

バリュー

単位

V CES

集合器-放出器の電圧

750

V

V 総エネルギー

ゲート・エミッター・ボルト

±20

V

I中国

実装されたコレクター Cu rrent

1000

A

IC

収集家 現在の T vj =175o C

680

A

ICm

パルスコレクター電流 t p =1ms

1360

A

PD

最大電力損失 する @ T F =75o C T vj =175o C

1086

W

シンボル

説明

バリュー

単位

V RRM

繰り返しのピーク リバース・ボルト 年齢

750

V

IFN

実装されたコレクター Cu rrent

1000

A

IF

ダイオード 連続前向きCu rrent

680

A

IFm

ダイオード最大順方向電流 t p =1ms

1360

A

シンボル

説明

価値

単位

T vjmax

交差点最大温度

175

o C

T バイト

動作点の温度は連続

-40から+150

o C

T STG

保管温度範囲

-40から+125

o C

V ISO

絶縁電圧RMS,f=50Hz,t=1 分

2500

V

シンボル

仕様

試験条件

分。

タイプする

マックス。

単位

V 衛星

収集機から発信機へ 飽和電圧

IC=680A、V 遺伝子組み換え =15V T vj =25o C

1.25

1.50

V

IC=680A、V 遺伝子組み換え =15V T vj =150o C

1.35

IC=680A、V 遺伝子組み換え =15V T vj =175o C

1.40

IC=1000A,V 遺伝子組み換え =15V T vj =25o C

1.45

IC=1000A,V 遺伝子組み換え =15V T vj =175o C

1.70

V 遺伝子組み換え (th)

ゲート発信者の限界値 圧力は

IC=9.60mA ,V CE =V 遺伝子組み換え , T vj =25o C

5.5

6.5

7.0

V

IC=9.60mA ,V CE =V 遺伝子組み換え , T vj =175o C

3.5

ICES

収集家 切断 —オフ 現在の

V CE =V CES ,V 遺伝子組み換え =0V T vj =25o C

1.0

mA

I総エネルギー

ゲート発射器の漏れ 現在の

V 遺伝子組み換え =V 総エネルギー ,V CE =0V T vj =25o C

400

nA

バー ゲント

内部ゲート抵抗

1.0

ω

Cies

入力容量

V CE =50V,f=100kHz, V 遺伝子組み換え =0V

72.3

ロープ

Cオーエス

輸出容量

1.51

ロープ

Cres

逆転移転 容量

0.32

ロープ

QG

ゲートチャージ

V CE =400V, IC=680A、 V 遺伝子組み換え =-10…+15V

4.10

微分

t d (オン )

オンする遅延時間

V CC =400V、I C=680A、 バー G=0.22Ω, LS =16nH ,V 遺伝子組み換え =-10V/+15V,

T vj =25o C

196

nS

t バー

昇る時間

50

nS

t 消して

切断する 遅延時間

407

nS

t f

秋の時間

125

nS

Eオン

オン スイッチング 損失

11.1

mJ

Eオフ

切断する 損失

29.1

mJ

t d (オン )

オンする遅延時間

V CC =400V、I C=680A、 バー G=0.22Ω, LS =16nH ,V 遺伝子組み換え =-10V/+15V,

T vj =150o C

222

nS

t バー

昇る時間

63

nS

t 消して

切断する 遅延時間

471

nS

t f

秋の時間

178

nS

Eオン

オン スイッチング 損失

19.7

mJ

Eオフ

切断する 損失

37.4

mJ

t d (オン )

オンする遅延時間

V CC =400V、I C=680A、 バー G=0.22Ω, LS =16nH ,V 遺伝子組み換え =-10V/+15V,

T vj =175o C

224

nS

t バー

昇る時間

68

nS

t 消して

切断する 遅延時間

490

nS

t f

秋の時間

194

nS

Eオン

オン スイッチング 損失

21.7

mJ

Eオフ

切断する 損失

39.5

mJ

ISC

SC データ

t P≤6μs,V 遺伝子組み換え =15V

4000

A

T vj =25o C,V CC =450V、 V 単数 ≤750V

t P≤3μs,V 遺伝子組み換え =15V

T vj =175o C,V CC =450V、 V 単数 ≤750V

3300

シンボル

仕様

試験条件

分。

タイプする

マックス。

単位

V F

ダイオード 前向き 圧力は

IF =680A、V 遺伝子組み換え =0V,T vj =25o C

1.60

2.05

V

IF =680A、V 遺伝子組み換え =0V,T vj =150o C

1.60

IF =680A、V 遺伝子組み換え =0V,T vj =175o C

1.55

IF =1000A,V 遺伝子組み換え =0V,T vj =25o C

1.80

IF =1000A,V 遺伝子組み換え =0V,T vj =175o C

1.75

Qバー

回収された電荷

V バー =400V、I F =680A、

-di／dt=15030A／μs,V 遺伝子組み換え ＝－10V, LS =16nH ,T vj =25o C

19.9

微分

Iロープ

ピーク逆

回復電流

458

A

Eレス

逆転回復 エネルギー

6.10

mJ

Qバー

回収された電荷

V バー =400V、I F =680A、

-di／dt=12360A／μs,V 遺伝子組み換え ＝－10V, LS =16nH ,T vj =150o C

29.7

微分

Iロープ

ピーク逆

回復電流

504

A

Eレス

逆転回復 エネルギー

9.70

mJ

Qバー

回収された電荷

V バー =400V、I F =680A、

-di／dt=11740A／μs,V 遺伝子組み換え =-10V, LS =16nH ,T vj =175o C

34.5

微分

Iロープ

ピーク逆

回復電流

526

A

Eレス

逆転回復 エネルギー

11.0

mJ

シンボル

仕様

試験条件

分。

タイプする

マックス。

単位

バー

公称 耐性

T C=0 o C

T C=150 o C

1000

1573

ω ω

T クロム

温度係数 nt

0.38

%/K

T ショ

自己 ヒーティング

T C=0 o C

Im =0.1...0.3mA

0.4

K/mW

シンボル

仕様

分。

タイプする

マックス。

単位

LCE

流れる誘導力

5

nH

p

冷却回りの最大圧 キュート

2.5

棒材

バー thJF

接合 —～ —冷却 液体で (perIGBT )結合冷却液 (Dあたり) ヨード) △V/ △t=8.0 dM 3/分 ,T F =65o C

0.080 0.115

総量

M

端末接続トーク スクロール M5 固定トーク スクロール M5

5.4 5.4

6.6 6.6

N.M<br>

G

重量 の モジュール

220

g