GD260HTA120P7H_T,IGBT モジュール,STARPOWER

シンボル

説明

バリュー

単位

V CES

集合器-放出器の電圧

1200

V

V 総エネルギー

ゲート・エミッター・ボルト

±20

V

I中国

実装されたコレクター Cu rrent

260

A

IC

コレクタ電流 @ T F =125o C

150

A

ICm

パルスコレクター電流 t p =1ms

520

A

PD

最大電力損失 する @ T F =75o C T vj =175o C

526

W

シンボル

説明

バリュー

単位

V RRM

繰り返しのピーク逆電圧 遺伝子組み換え

1200

V

IFN

実装されたコレクター Cu rrent

260

A

IF

ダイオード 連続前向きCu rrent

150

A

IFm

ダイオード最大順方向電流 t p =1ms

520

A

シンボル

説明

価値

単位

T vjmax

交差点最大温度

175

o C

T バイト

動作点の温度は連続

30秒の期間内で10秒 発生 最大3000回のライフタイム 私

-40から+150 +150から+175

o C

T STG

保管温度範囲

-40から+125

o C

V ISO

絶縁電圧RMS,f=50Hz,t=1 分

2500

V

シンボル

仕様

試験条件

分。

タイプする

マックス。

単位

V 衛星

収集機から発信機へ 飽和電圧

IC=150A,V 遺伝子組み換え =15V T vj =25o C

1.15

1.50

V

IC=150A,V 遺伝子組み換え =15V T vj =125o C

1.20

IC=150A,V 遺伝子組み換え =15V T vj =150o C

1.20

IC=260A,V 遺伝子組み換え =15V T vj =25o C

1.35

IC=260A,V 遺伝子組み換え =15V T vj =150o C

1.55

V 遺伝子組み換え (th)

ゲート発信者の限界値 電圧

IC=10.4mA ,V CE =V 遺伝子組み換え , T vj =25o C

6.4

V

ICES

収集家 切断 —オフ 現在の

V CE =V CES ,V 遺伝子組み換え =0V T vj =25o C

1.0

mA

I総エネルギー

ゲート発射器の漏れ 現在の

V 遺伝子組み換え =V 総エネルギー ,V CE =0V T vj =25o C

400

nA

バー ゲント

内部ゲート抵抗

2.50

ω

Cies

入力容量

V CE 電気回路が25Vで,f=100KHzで, V 遺伝子組み換え =0V

54.1

ロープ

Cオーエス

輸出容量

1.04

ロープ

Cres

逆転移転 容量

0.35

ロープ

QG

ゲートチャージ

V CE =600V,I C =260A、V 遺伝子組み換え =-8...+15V

3.54

微分

t d (オン )

オンする遅延時間

V CC =600V,I C=150A,

バー G=3.3Ω

V 遺伝子組み換え =-8V/+15V,

L秒 =35nH ,T vj =25o C

345

nS

t バー

昇る時間

61

nS

t 消して

切断する 遅延時間

933

nS

t f

秋の時間

105

nS

Eオン

オン スイッチング 損失

19.6

mJ

Eオフ

切断する 損失

11.0

mJ

t d (オン )

オンする遅延時間

V CC =600V,I C=150A, バー G=3.3Ω

V 遺伝子組み換え =-8V/+15V,

L秒 =35nH ,T vj =125o C

376

nS

t バー

昇る時間

69

nS

t 消して

切断する 遅延時間

1052

nS

t f

秋の時間

164

nS

Eオン

オン スイッチング 損失

25.3

mJ

Eオフ

切断する 損失

14.3

mJ

t d (オン )

オンする遅延時間

V CC =600V,I C=150A, バー G=3.3Ω

V 遺伝子組み換え =-8V/+15V,

L秒 =35nH ,T vj =150o C

382

nS

t バー

昇る時間

73

nS

t 消して

切断する 遅延時間

1085

nS

t f

秋の時間

185

nS

Eオン

オン スイッチング 損失

27.6

mJ

Eオフ

切断する 損失

15.7

mJ

ISC

SC データ

t P≤6μs V 遺伝子組み換え =15V

T vj =150o C,V CC =800V V 単数 ≤1200V

800

A

シンボル

仕様

試験条件

分。

タイプする

マックス。

単位

V F

ダイオード 前向き 電圧

IF =150A,V 遺伝子組み換え =0V,T vj =25o C

1.45

1.80

V

IF =150A,V 遺伝子組み換え =0V,T vj =125o C

1.40

IF =150A,V 遺伝子組み換え =0V,T vj =150o C

1.35

IF =260A,V 遺伝子組み換え =0V,T vj =25o C

1.65

IF =260A,V 遺伝子組み換え =0V,T vj =150o C

1.65

Qバー

回収された電荷

V バー =600V,I F =150A,

-di/dt=2690A/μs、V 遺伝子組み換え =8V L秒 =35nH ,T vj =25o C

14.2

微分

Iロープ

ピーク逆

回復電流

123

A

Eレス

逆転回復 エネルギー容量

3.79

mJ

Qバー

回収された電荷

V バー =600V,I F =150A,

-di/dt=2210A/μs、V 遺伝子組み換え =8V L秒 =35nH ,T vj =125o C

24.3

微分

Iロープ

ピーク逆

回復電流

137

A

Eレス

逆転回復 エネルギー容量

6.30

mJ

Qバー

回収された電荷

V バー =600V,I F =150A,

-di/dt=2130A/μs、V 遺伝子組み換え =8V L秒 =35nH ,T vj =150o C

27.3

微分

Iロープ

ピーク逆

回復電流

142

A

Eレス

逆転回復 エネルギー容量

7.08

mJ

シンボル

仕様

試験条件

分。

タイプする

マックス。

単位

バー 25

定数抵抗

5.0

kΩ

∆R/R

偏差 の バー 100

T C=100 o Cロープ 100=493.3Ω

-5

5

%

P25

電力

散熱

20.0

mW

B 25/50

B値

バー 2=R 25経験 [B 25/501/T 2— 半角形から

3375

K

B 25/80

B値

バー 2=R 25経験 [B 25/801/T 2— 半角形から

3411

K

B 25/100

B値

バー 2=R 25経験 [B 25/1001/T 2— 半角形から

3433

K

シンボル

仕様

分。

タイプする

マックス。

単位

△p

圧縮降冷却回数 キュート

δ V／Δt=10.0dm3／分；TF=2 5 o C 冷却 液体=50% 水/50% エチレングリコール

50

mbar

p

冷却回りの最大圧 キュート

2.0

棒材

バー thJF

接合 —～ —冷却 液体で (perIGBT )結合冷却液 (Dあたり) ヨード) △V/ △t=10.0 dM 3/分 ,T F =75o C

0.165 0.265

0.190 0.305

総量

分

端末接続トーク 六角ボルトM6 固定トーク スクロール M5

3.0 3.0

6.0 6.0

N.M<br>

G

重量 の モジュール

685

g