GD260HTA120P7H_T,IGBT モジュール,STARPOWER

シンボル

商品説明

バリュー

単位

V CES

集合器-放出器の電圧

1200

V

V 総エネルギー

ゲート・エミッター・ボルト

±20

V

こ CN

実装されたコレクター Cu rrent

260

A

こ C

コレクタ電流 @ T F =125主 C

150

A

こ Cm

パルスコレクター電流 t p =1ms

520

A

P D

最大電力損失 する @ T F =75主 C T vj =175主 C

526

W

シンボル

商品説明

バリュー

単位

V RRM

繰り返しのピーク逆電圧 遺伝子組み換え

1200

V

こ FN

実装されたコレクター Cu rrent

260

A

こ F

ダイオード 連続前向きCu rrent

150

A

こ Fm

ダイオード最大順方向電流 t p =1ms

520

A

シンボル

商品説明

価値

単位

T vjmax

交差点最大温度

175

主 C

T バイト

動作点の温度は連続

30秒の期間内で10秒 発生 最大3000回のライフタイム 私

-40から+150 +150から+175

主 C

T STG

保管温度範囲

-40から+125

主 C

V ISO

絶縁電圧RMS,f=50Hz,t=1 ほんの少し

2500

V

シンボル

パラメータ

試験条件

分。

タイプする

マックス。

単位

V 衛星

収集機から発信機へ 飽和電圧

こ C =150A,V 遺伝子組み換え =15V T vj =25主 C

1.15

1.50

V

こ C =150A,V 遺伝子組み換え =15V T vj =125主 C

1.20

こ C =150A,V 遺伝子組み換え =15V T vj =150主 C

1.20

こ C =260A,V 遺伝子組み換え =15V T vj =25主 C

1.35

こ C =260A,V 遺伝子組み換え =15V T vj =150主 C

1.55

V 遺伝子組み換え (th)

ゲート発信者の限界値 圧力は

こ C =10.4mA ,V CE =V 遺伝子組み換え , T vj =25主 C

6.4

V

こ CES

収集家 切断 -オフ 現在の

V CE =V CES ,V 遺伝子組み換え =0V T vj =25主 C

1.0

mA

こ 総エネルギー

ゲート発射器の漏れ 現在の

V 遺伝子組み換え =V 総エネルギー ,V CE =0V T vj =25主 C

400

nA

バー ゲント

内部ゲート抵抗

2.50

ω

C ies

入力容量

V CE 電気回路が25Vで,f=100KHzで, V 遺伝子組み換え =0V

54.1

ロープ

C オーエス

輸出容量

1.04

ロープ

C res

逆転移転 容量

0.35

ロープ

Q G

ゲートチャージ

V CE =600V,I C =260A、V 遺伝子組み換え =-8...+15V

3.54

微分

t d (を )

オンする遅延時間

V CC =600V,I C =150A,

バー G =3.3Ω

V 遺伝子組み換え =-8V/+15V,

L S =35nH ,T vj =25主 C

345

nS

t バー

昇る時間

61

nS

t 消して

切断する 遅延時間

933

nS

t f

秋の時間

105

nS

E を

オン スイッチング 損失

19.6

mJ

E オフ

切断する 損失

11.0

mJ

t d (を )

オンする遅延時間

V CC =600V,I C =150A, バー G =3.3Ω

V 遺伝子組み換え =-8V/+15V,

L S =35nH ,T vj =125主 C

376

nS

t バー

昇る時間

69

nS

t 消して

切断する 遅延時間

1052

nS

t f

秋の時間

164

nS

E を

オン スイッチング 損失

25.3

mJ

E オフ

切断する 損失

14.3

mJ

t d (を )

オンする遅延時間

V CC =600V,I C =150A, バー G =3.3Ω

V 遺伝子組み換え =-8V/+15V,

L S =35nH ,T vj =150主 C

382

nS

t バー

昇る時間

73

nS

t 消して

切断する 遅延時間

1085

nS

t f

秋の時間

185

nS

E を

オン スイッチング 損失

27.6

mJ

E オフ

切断する 損失

15.7

mJ

こ SC

SC データ

t P ≤6μs V 遺伝子組み換え =15V

T vj =150主 C,V CC =800V V 単数 ≤1200V

800

A

シンボル

パラメータ

試験条件

分。

タイプする

マックス。

単位

V F

ダイオード 前向き 圧力は

こ F =150A,V 遺伝子組み換え =0V,T vj =25主 C

1.45

1.80

V

こ F =150A,V 遺伝子組み換え =0V,T vj =125主 C

1.40

こ F =150A,V 遺伝子組み換え =0V,T vj =150主 C

1.35

こ F =260A,V 遺伝子組み換え =0V,T vj =25主 C

1.65

こ F =260A,V 遺伝子組み換え =0V,T vj =150主 C

1.65

Q バー

回収された電荷

V バー =600V,I F =150A,

-di/dt=2690A/μs、V 遺伝子組み換え =8V L S =35nH ,T vj =25主 C

14.2

微分

こ ロープ

ピーク逆

回復電流

123

A

E レス

逆転回復 エネルギー

3.79

mJ

Q バー

回収された電荷

V バー =600V,I F =150A,

-di/dt=2210A/μs、V 遺伝子組み換え =8V L S =35nH ,T vj =125主 C

24.3

微分

こ ロープ

ピーク逆

回復電流

137

A

E レス

逆転回復 エネルギー

6.30

mJ

Q バー

回収された電荷

V バー =600V,I F =150A,

-di/dt=2130A/μs、V 遺伝子組み換え =8V L S =35nH ,T vj =150主 C

27.3

微分

こ ロープ

ピーク逆

回復電流

142

A

E レス

逆転回復 エネルギー

7.08

mJ

シンボル

パラメータ

試験条件

分。

タイプする

マックス。

単位

バー 25

定数抵抗

5.0

kΩ

∆R/R

偏差 の バー 100

T C =100 主 C ロープ 100=493.3Ω

-5

5

%

P 25

電力

散熱

20.0

mW

B 25/50

B値

バー 2=R 25経験 [B 25/501/T 2- 半角形から

3375

K

B 25/80

B値

バー 2=R 25経験 [B 25/801/T 2- 半角形から

3411

K

B 25/100

B値

バー 2=R 25経験 [B 25/1001/T 2- 半角形から

3433

K

シンボル

パラメータ

分。

タイプする

マックス。

単位

△p

圧縮降冷却回数 キュート

δ V／Δt=10.0dm3／分；TF=2 5 主 C 冷却 液体=50% 水/50% エチレングリコール

50

mbar

p

冷却回りの最大圧 キュート

2.0

棒材

バー thJF

接合 -に -冷却 液体で (perIGBT )結合冷却液 (Dあたり) ヨード) △V/ △t=10.0 dM 3/ほんの少し ,T F =75主 C

0.165 0.265

0.190 0.305

総量

M

端末接続トーク 六角ボルトM6 固定トーク スクロール M5

3.0 3.0

6.0 6.0

N.M<br>

G

重量 の モジュール

685

g