GD1200SGX170A3S、1700V／1200A IGBTモジュール、

シンボル

説明

価値

単位

V CES

集合器-放出器の電圧

1700

V

V 総エネルギー

ゲート・エミッター・ボルト

±20

V

IC

コレクタ電流 @ T C=25o C @ T C=100o C

2206

1200

A

ICm

パルスコレクター電流 t p =1ms

2400

A

PD

最大電源 消耗 @ T j =175o C

8.77

KW

シンボル

説明

価値

単位

V RRM

繰り返しのピーク リバース・ボルト 年齢

1700

V

IF

ダイオード 連続前向きCu rrent

1200

A

IFm

ダイオード最大順方向電流 t p =1ms

2400

A

シンボル

説明

価値

単位

T jmax

交差点最大温度

175

o C

T ショウジョウ

交差点の動作温度

-40から+150

o C

T STG

保管温度範囲

-40から+125

o C

V ISO

絶縁電圧 RMS,f=50Hz,t= 1分前

4000

V

シンボル

仕様

試験条件

分。

タイプする

マックス。

単位

V 衛星

収集機から発信機へ 飽和電圧

IC=1200A、V 遺伝子組み換え =15V T j =25o C

1.85

2.20

V

IC=1200A、V 遺伝子組み換え =15V T j =125o C

2.25

IC=1200A、V 遺伝子組み換え =15V T j =150o C

2.35

V 遺伝子組み換え (th)

ゲート発信者の限界値 電圧

IC=48.0mA ,V CE =V 遺伝子組み換え , T j =25o C

5.6

6.2

6.8

V

ICES

収集家 切断 —オフ 現在の

V CE =V CES ,V 遺伝子組み換え =0V T j =25o C

5.0

mA

I総エネルギー

ゲート発射器の漏れ 現在の

V 遺伝子組み換え =V 総エネルギー ,V CE =0V T j =25o C

400

nA

バー ゲント

内部ゲート抵抗

1.0

ω

Cies

入力容量

V CE 電気回路が1Mhzで V 遺伝子組み換え =0V

145

ロープ

Cres

逆転移転 容量

3.51

ロープ

QG

ゲートチャージ

V 遺伝子組み換え =-15 ...+15V

11.3

微分

t d (オン )

オンする遅延時間

V CC =900V,I C=1200A バー G=1.0Ω

V 遺伝子組み換え =-9／+15V、

L秒 =65nH ,T j =25o C

440

nS

t バー

昇る時間

112

nS

t 消して

切断する 遅延時間

1200

nS

t f

秋の時間

317

nS

Eオン

オン スイッチング 損失

271

mJ

Eオフ

切断する 損失

295

mJ

t d (オン )

オンする遅延時間

V CC =900V,I C=1200A バー G=1.0Ω

V 遺伝子組み換え =-9／+15V、

L秒 =65nH ,T j =125o C

542

nS

t バー

昇る時間

153

nS

t 消して

切断する 遅延時間

1657

nS

t f

秋の時間

385

nS

Eオン

オン スイッチング 損失

513

mJ

Eオフ

切断する 損失

347

mJ

t d (オン )

オンする遅延時間

V CC =900V,I C=1200A バー G=1.0Ω

V 遺伝子組み換え =-9／+15V、

L秒 =65nH ,T j =150o C

547

nS

t バー

昇る時間

165

nS

t 消して

切断する 遅延時間

1695

nS

t f

秋の時間

407

nS

Eオン

オン スイッチング 損失

573

mJ

Eオフ

切断する 損失

389

mJ

ISC

SC データ

t P≤10μs V 遺伝子組み換え =15V

T j =150o C,V CC =1000V, V 単数 ≤1700V

4800

A

シンボル

仕様

試験条件

分。

タイプする

マックス。

単位

V F

ダイオード 前向き 電圧

IF =1200A、V 遺伝子組み換え =0V, T j =25℃

1.80

2.25

V

IF =1200A、V 遺伝子組み換え =0V, T j =125℃

1.90

IF =1200A、V 遺伝子組み換え =0V, T j =150℃

1.95

Qバー

回収された電荷

V CC =900V,I F =1200A

-di／dt=10500A／μs、V 遺伝子組み換え =-9V、 L秒 =65nH,T j =25℃

190

微分

Iロープ

ピーク逆

回復電流

844

A

Eレス

逆転回復 エネルギー容量

192

mJ

Qバー

回収された電荷

V CC =900V,I F =1200A

-di/dt=7050A/μs,V 遺伝子組み換え =-9V、 L秒 =65nH,T j =125℃

327

微分

Iロープ

ピーク逆

回復電流

1094

A

Eレス

逆転回復 エネルギー容量

263

mJ

Qバー

回収された電荷

V CC =900V,I F =1200A

-di/dt=6330A/μs,V 遺伝子組み換え =-9V、 L秒 =65nH,T j =150℃

368

微分

Iロープ

ピーク逆

回復電流

1111

A

Eレス

逆転回復 エネルギー容量

275

mJ

シンボル

仕様

分。

タイプする

マックス。

単位

LCE

流れる誘導力

12

nH

バー CC+EE

モジュールリード抵抗,端末からチップ

0.19

mΩ

バー thJC

接合 —～ —事例 (perIGBT ) 交差点 (Dあたり) ヨード)

17.1 26.2

電力量

バー thCH

事例 —～ —熱シンク (perIGBT )ケースからヒートシンクへの（p er ダイオード） ケースからヒートシンクへの（per モジュール)

9.9 15.2 6.0

電力量

分

電力端末 スクリュー:M4 電力端末 スクリュー:M8 固定螺栓:M6

1.8 8.0 4.25

2.1 10.0 5.75

N.M<br>

G

重量 の モジュール

1050

g