GD600SGU120C2S,IGBTモジュール,STARPOWER

シンボル

説明

価値

単位

V CES

集合器-放出器の電圧

1200

V

V 総エネルギー

ゲート・エミッター・ボルト

±20

V

IC

コレクタ電流 @ T C=25o C

@ T C=70o C

830

600

A

ICm

パルスコレクター電流 t p =1ms

1200

A

PD

最大電源 消耗 @ T j =150o C

4032

W

シンボル

説明

価値

単位

V RRM

繰り返しのピーク逆電圧

1200

V

IF

ダイオード 連続前向き 賃貸

600

A

IFm

ダイオード最大順方向電流 t p =1ms

1200

A

シンボル

説明

価値

単位

T jmax

交差点最大温度

150

o C

T ショウジョウ

交差点の動作温度

-40から+125

o C

T STG

保管温度 航続距離

-40から+125

o C

V ISO

絶縁電圧RMS,f=50Hz,t=1 分

2500

V

シンボル

仕様

試験条件

分。

タイプする

マックス。

単位

V 衛星

収集機から発信機へ

飽和電圧

IC=600A,V 遺伝子組み換え =15V T j =25o C

2.90

3.35

V

IC=600A,V 遺伝子組み換え =15V T j =125o C

3.60

V 遺伝子組み換え (th)

ゲート発信者の限界値 電圧

IC=6.0mA ,V CE =V 遺伝子組み換え , T j =25o C

5.0

5.8

6.6

V

ICES

収集家 切断 —オフ

現在の

V CE =V CES ,V 遺伝子組み換え =0V

T j =25o C

5.0

mA

I総エネルギー

ゲート発射器の漏れ 現在の

V 遺伝子組み換え =V 総エネルギー ,V CE =0V T j =25o C

400

nA

バー ゲント

内部ゲート抵抗 アンス

0.25

ω

Cies

入力容量

V CE 電気回路が1Mhzで

V 遺伝子組み換え =0V

39.0

ロープ

Cres

逆転移転

容量

2.55

ロープ

QG

ゲートチャージ

V 遺伝子組み換え =- 15...+15V

6.30

微分

t d (オン )

オンする遅延時間

V CC =600V,I C=600A バー G= 1. 1Ω,

V 遺伝子組み換え =±15V T j =25o C

205

nS

t バー

昇る時間

50

nS

t d (オフ )

切断する 遅延時間

265

nS

t f

秋の時間

140

nS

Eオン

オン スイッチング

損失

50.4

mJ

Eオフ

切断する

損失

20.0

mJ

t d (オン )

オンする遅延時間

V CC =600V,I C=600A バー G= 1. 1Ω,

V 遺伝子組み換え =±15V T j = 125o C

210

nS

t バー

昇る時間

55

nS

t d (オフ )

切断する 遅延時間

275

nS

t f

秋の時間

175

nS

Eオン

オン スイッチング

損失

66.0

mJ

Eオフ

切断する

損失

28.9

mJ

ISC

SC データ

t P≤10μs,V 遺伝子組み換え =15V

T j =125o C,V CC =900V V 単数 ≤1200V

3900

A

シンボル

仕様

試験条件

分。

タイプする

マックス。

単位

V F

ダイオード 前向き

電圧

IF =600A,V 遺伝子組み換え =0V,T j =25o C

2.25

2.70

V

IF =600A,V 遺伝子組み換え =0V,T j = 125o C

2.35

Qバー

回収された電荷

V CC =600V,I F =600A

-di/dt= について 12kA/μs,V 遺伝子組み換え =±15V T j =25o C

42.0

微分

Iロープ

ピーク逆

回復電流

492

A

Eレス

逆転回復 エネルギー容量

16.6

mJ

Qバー

回収された電荷

V CC =600V,I F =600A

-di/dt= について 12kA/μs,V 遺伝子組み換え =±15V T j = 125o C

80.4

微分

Iロープ

ピーク逆

回復電流

672

A

Eレス

逆転回復 エネルギー容量

37.9

mJ

シンボル

仕様

分。

タイプする

マックス。

単位

LCE

流れる誘導力

20

nH

バー CC+EE

モジュール鉛抵抗 ターミナルからチップへ

0.18

mΩ

バー thJC

ケース対ケース (IGBごとに) T) について

交差点 (Dあたり) ヨード)

0.031

0.070

総量

バー thCH

ケースからヒートシンクへの（per IGBT)

ケースからヒートシンクへの（p er ダイオード）

ケースからヒートシンクへの（per モジュール)

0.051

0.114

0.035

総量

分

端末接続トーク スクロールM4 端子接続 トルク、 六角ボルトM6 固定トーク 六角ボルトM6

1.1

2.5

3.0

2.0

5.0

5.0

N.M<br>

G

重量 の モジュール

300

g