GD600HFX120C2SAD_B20、IGBTモジュール、STARPOWER

紹介

簡単な紹介

IGBT モジュール ,製造元ストアパワー . 1200V 600A. 本当

特徴

低VCE(sat)トレンチIGBT技術
10μs短回路能力
陽性温度係数を持つ VCE (sat)
最大接合温度 175oC
低感受性ケース
速くて柔らかい逆回復対称性のないFWD
HPS DBC技術を使用した絶縁銅ベースプレート

典型的な用途

モータードライブ用インバータ
ACおよびDCサーボドライブアンプ
無停電電源装置

絶対値 最大 レーティング T F =25 o C しない限り違うなら記載

IGBT

シンボル	説明	価値	ユニット
V CES	集合器-放出器の電圧	1200	V
V 総エネルギー	ゲート・エミッター・ボルト臨時ゲート発射電圧	±20 ±30	V
わかった C	コレクタ電流 @ T C =25 o C @ T C =100 o C	1096 600	A について
わかった Cm	パルスコレクター電流 t p =1ms	1200	A について
P D	最大電源消耗 @ T vj =175 o C	3947	W について

ダイオード

シンボル	説明	価値	ユニット
V RRM	繰り返しのピークリバース・ボルト年齢	1200	V
わかった F	ダイオード連続フォワード電流エント	600	A について
わかった Fm	ダイオード最大順方向電流 t p =1ms	1200	A について

モジュール

シンボル	説明	価値	ユニット
T vjmax	交差点最大温度	175	o C
T バイト	交差点の動作温度	-40から+150	o C
T STG	保管温度範囲	-40から+125	o C
V ISO	絶縁電圧 RMS,f=50Hz,t =1分	4000	V

IGBT 特徴 T C =25 o C しない限り違うなら記載

シンボル	パラメータ	試験条件	分。	タイプする	マックス。	ユニット
V 衛星	収集機から発信機へ飽和電圧	わかった C =600A,V 遺伝子組み換え =15V T vj =25 o C		1.70	2.15	V
		わかった C =600A,V 遺伝子組み換え =15V T vj =125 について o C		2.05
		わかった C =600A,V 遺伝子組み換え =15V T vj =150 について o C		2.15
V 遺伝子組み換え (tH )	ゲート発信者の限界値圧力は	わかった C =24.0 mA ,V CE = V 遺伝子組み換え , T vj =25 o C	5.6	6.2	6.8	V
わかった CES	収集家カット -オフ現在	V CE = V CES ,V 遺伝子組み換え =0V T vj =25 o C			1.0	mA
わかった総エネルギー	ゲート発射器の漏れ現在	V 遺伝子組み換え = V 総エネルギー ,V CE =0V T vj =25 o C			400	nA
R ゲント	内部ゲート抵抗			1.25		ω
C ies	入力容量	V CE 電気回路が25Vで,f=100KHzで, V 遺伝子組み換え =0V		64.7		ロープ
C res	逆転移転容量	V CE 電気回路が25Vで,f=100KHzで, V 遺伝子組み換え =0V		1.88		ロープ
Q G	ゲートチャージ	V 遺伝子組み換え =-15...+15V		5.38		微分
t d (on )	オンする遅延時間	V CC =600V,I C =600A R G =1.5Ω L S =50 nH , V 遺伝子組み換え =±15V,T vj =25 o C		314		nS
t r	昇る時間			105		nS
t 消して	切断する遅延時間			527		nS
t f	秋の時間			151		nS
E on	オンスイッチング損失			63.7		mJ
E オフ	切断する損失			53.3		mJ
t d (on )	オンする遅延時間	V CC =600V,I C =600A R G =1.5Ω L S =50 nH , V 遺伝子組み換え =±15V,T vj =125 について o C		350		nS
t r	昇る時間			117		nS
t 消して	切断する遅延時間			591		nS
t f	秋の時間			315		nS
E on	オンスイッチング損失			96.5		mJ
E オフ	切断する損失			72.2		mJ
t d (on )	オンする遅延時間	V CC =600V,I C =600A R G =1.5Ω L S =50 nH , V 遺伝子組み換え =±15V,T vj =150 について o C		359		nS
t r	昇る時間			120		nS
t 消して	切断する遅延時間			604		nS
t f	秋の時間			328		nS
E on	オンスイッチング損失			105		mJ
E オフ	切断する損失			75.6		mJ
わかった SC	SC データ	t P ≤10μs V 遺伝子組み換え =15V T vj =150 について o C,V CC =800V V 単数 ≤1200V		2400		A について

ダイオード 特徴 T C =25 o C しない限り違うなら記載

シンボル	パラメータ	試験条件	分。	タイプする	マックス。	ユニット
V F	ダイオード前向き圧力は	わかった F =600A,V 遺伝子組み換え =0V,T vj =2 5o C		1.65	2.10	V
		わかった F =600A,V 遺伝子組み換え =0V,T vj =125 について o C		1.65
		わかった F =600A,V 遺伝子組み換え =0V,T vj =150 について o C		1.60
Q r	回収された電荷	V R =600V,I F =600A -di/dt=5130A/μs, L S =50nH, V 遺伝子組み換え =-15V,T vj =25 o C		38.6		微分
わかったロープ	ピーク逆回復電流			313		A について
E レス	逆転回復エネルギー			10.8		mJ
Q r	回収された電荷	V R =600V,I F =600A -di／dt=4440A／μs, L S =50nH, V 遺伝子組み換え =-15V,T vj =125 について o C		76.1		微分
わかったロープ	ピーク逆回復電流			368		A について
E レス	逆転回復エネルギー			22.5		mJ
Q r	回収された電荷	V R =600V,I F =600A -di／dt=4240A／μs, L S =50nH, V 遺伝子組み換え =-15V,T vj =150 について o C		88.9		微分
わかったロープ	ピーク逆回復電流			387		A について
E レス	逆転回復エネルギー			26.2		mJ

モジュール 特徴 T C =25 o C しない限り違うなら記載

シンボル	パラメータ	分。	タイプする	マックス。	ユニット
L CE	流れる誘導力		20		nH
R CC+EE	モジュールリード抵抗,端末からチップ		0.42		mΩ
R thJC	接合 -オー -事例 (perIGBT ) 交差点 (Dあたり) ヨード)			0.038 0.068	総量
R thCH	ケースからヒートシンクへの（per IGBT) ケースからヒートシンク (pe) ダイオード) ケースからヒートシンク (Mあたり) 臭い)		0.031 0.056 0.010		総量
M	端末接続トーク六角ボルトM6 固定トーク六角ボルトM6	2.5 3.0		5.0 5.0	N.M<br>
G	重量のモジュール		320		g