GD600HFX120C2SAD_B20 ,IGBT モジュール,STARPOWER

シンボル

説明

価値

単位

V CES

集合器-放出器の電圧

1200

V

V 総エネルギー

ゲート・エミッター・ボルト

臨時ゲート発射電圧

±20 ±30

V

IC

コレクタ電流 @ T C=25o C @ T C=100o C

1096

600

A

ICm

パルスコレクター電流 t p =1ms

1200

A

PD

最大電源 消耗 @ T vj =175o C

3947

W

シンボル

説明

価値

単位

V RRM

繰り返しのピーク リバース・ボルト 年齢

1200

V

IF

ダイオード連続フォワード電流 エント

600

A

IFm

ダイオード最大順方向電流 t p =1ms

1200

A

シンボル

説明

価値

単位

T vjmax

交差点最大温度

175

o C

T バイト

交差点の動作温度

-40から+150

o C

T STG

保管温度範囲

-40から+125

o C

V ISO

絶縁電圧 RMS,f=50Hz,t =1分

4000

V

シンボル

仕様

試験条件

分。

タイプする

マックス。

単位

V 衛星

収集機から発信機へ 飽和電圧

IC=600A,V 遺伝子組み換え =15V T vj =25o C

1.70

2.15

V

IC=600A,V 遺伝子組み換え =15V T vj =125o C

2.05

IC=600A,V 遺伝子組み換え =15V T vj =150o C

2.15

V 遺伝子組み換え (th)

ゲート発信者の限界値 電圧

IC=24.0mA ,V CE =V 遺伝子組み換え , T vj =25o C

5.6

6.2

6.8

V

ICES

収集家 切断 —オフ 現在の

V CE =V CES ,V 遺伝子組み換え =0V T vj =25o C

1.0

mA

I総エネルギー

ゲート発射器の漏れ 現在の

V 遺伝子組み換え =V 総エネルギー ,V CE =0V T vj =25o C

400

nA

バー ゲント

内部ゲート抵抗

1.25

ω

Cies

入力容量

V CE 電気回路が25Vで,f=100KHzで, V 遺伝子組み換え =0V

64.7

ロープ

Cres

逆転移転 容量

1.88

ロープ

QG

ゲートチャージ

V 遺伝子組み換え =-15...+15V

5.38

微分

t d (オン )

オンする遅延時間

V CC =600V,I C=600A バー G=1.5Ω L秒 =50nH , V 遺伝子組み換え =±15V,T vj =25o C

314

nS

t バー

昇る時間

105

nS

t 消して

切断する 遅延時間

527

nS

t f

秋の時間

151

nS

Eオン

オン スイッチング 損失

63.7

mJ

Eオフ

切断する 損失

53.3

mJ

t d (オン )

オンする遅延時間

V CC =600V,I C=600A バー G=1.5Ω L秒 =50nH , V 遺伝子組み換え =±15V,T vj =125o C

350

nS

t バー

昇る時間

117

nS

t 消して

切断する 遅延時間

591

nS

t f

秋の時間

315

nS

Eオン

オン スイッチング 損失

96.5

mJ

Eオフ

切断する 損失

72.2

mJ

t d (オン )

オンする遅延時間

V CC =600V,I C=600A バー G=1.5Ω L秒 =50nH , V 遺伝子組み換え =±15V,T vj =150o C

359

nS

t バー

昇る時間

120

nS

t 消して

切断する 遅延時間

604

nS

t f

秋の時間

328

nS

Eオン

オン スイッチング 損失

105

mJ

Eオフ

切断する 損失

75.6

mJ

ISC

SC データ

t P≤10μs V 遺伝子組み換え =15V

T vj =150o C,V CC =800V V 単数 ≤1200V

2400

A

シンボル

仕様

試験条件

分。

タイプする

マックス。

単位

V F

ダイオード 前向き 電圧

IF =600A,V 遺伝子組み換え =0V,T vj =25o C

1.65

2.10

V

IF =600A,V 遺伝子組み換え =0V,T vj =125o C

1.65

IF =600A,V 遺伝子組み換え =0V,T vj =150o C

1.60

Qバー

回収された電荷

V バー =600V,I F =600A

-di/dt=5130A/μs, L 秒 =50nH, V 遺伝子組み換え =-15V,T vj =25o C

38.6

微分

Iロープ

ピーク逆

回復電流

313

A

Eレス

逆転回復 エネルギー容量

10.8

mJ

Qバー

回収された電荷

V バー =600V,I F =600A

-di／dt=4440A／μs, L 秒 =50nH, V 遺伝子組み換え =-15V,T vj =125o C

76.1

微分

Iロープ

ピーク逆

回復電流

368

A

Eレス

逆転回復 エネルギー容量

22.5

mJ

Qバー

回収された電荷

V バー =600V,I F =600A

-di／dt=4240A／μs, L 秒 =50nH, V 遺伝子組み換え =-15V,T vj =150o C

88.9

微分

Iロープ

ピーク逆

回復電流

387

A

Eレス

逆転回復 エネルギー容量

26.2

mJ

シンボル

仕様

分。

タイプする

マックス。

単位

LCE

流れる誘導力

20

nH

バー CC+EE

モジュールリード抵抗,端末からチップ

0.42

mΩ

バー thJC

接合 —～ —事例 (perIGBT ) 交差点 (Dあたり) ヨード)

0.038 0.068

総量

バー thCH

ケースからヒートシンクへの（per IGBT) ケースからヒートシンク (pe) ダイオード) ケースからヒートシンク (Mあたり) 臭い)

0.031 0.056 0.010

総量

分

端末接続トーク 六角ボルトM6 固定トーク 六角ボルトM6

2.5 3.0

5.0 5.0

N.M<br>

G

重量 の モジュール

320

g