GD450HFX120N6HY ,IGBT モジュール,STARPOWER

シンボル

説明

バリュー

単位

V CES

集合器-放出器の電圧

1200

V

V 総エネルギー

ゲート・エミッター・ボルト

±20

V

I中国

実装されたコレクター Cu rrent

450

A

IC

コレクタ電流 @ T F =100o C

300

A

ICRM

繰り返す 頂点 収集家 現在の tp 限定的 著者： T バイト

900

A

PD

最大電力損失 する @ T F =65o C T vj =175o C

1208

W

シンボル

説明

バリュー

単位

V RRM

繰り返しのピーク逆電圧 遺伝子組み換え

1200

V

IFN

実装されたコレクター Cu rrent

450

A

IF

ダイオード 連続前向きCu rrent

300

A

IFRM

繰り返す 頂点 フォワード 現在の tp 限定的 著者： T バイト

900

A

シンボル

説明

価値

単位

T vjmax

交差点最大温度

175

o C

T バイト

動作点の温度は連続

-40から+150

o C

T STG

保管温度範囲

-40から+125

o C

V ISO

絶縁電圧 RMS,f=50Hz,t =1分

2500

V

d クリーپ

ターミナルからヒートシンクへ ターミナルからターミナルへ

7.3 7.3

mm

d 明確

ターミナルからヒートシンクへ ターミナルからターミナルへ

7.3 4.0

mm

シンボル

仕様

試験条件

分。

タイプする

マックス。

単位

V 衛星

収集機から発信機へ 飽和電圧

IC=300A,V 遺伝子組み換え =15V T vj =25o C

1.25

1.70

V

IC=300A,V 遺伝子組み換え =15V T vj =150o C

1.35

IC=300A,V 遺伝子組み換え =15V T vj =175o C

1.40

IC=450A,V 遺伝子組み換え =15V T vj =25o C

1.40

IC=450A,V 遺伝子組み換え =15V T vj =150o C

1.65

IC=450A,V 遺伝子組み換え =15V T vj =175o C

1.70

V 遺伝子組み換え (th)

ゲート発信者の限界値 電圧

IC=15.6mA ,V CE =V 遺伝子組み換え , T vj =25o C

5.8

6.4

7.0

V

ICES

収集家 切断 —オフ 現在の

V CE =V CES ,V 遺伝子組み換え =0V T vj =25o C

1.0

mA

I総エネルギー

ゲート発射器の漏れ 現在の

V 遺伝子組み換え =V 総エネルギー ,V CE =0V T vj =25o C

400

nA

バー ゲント

内部ゲート抵抗

1.67

ω

Cies

入力容量

V CE 電気回路が25Vで,f=100KHzで, V 遺伝子組み換え =0V

81.2

ロープ

Cオーエス

輸出容量

1.56

ロープ

Cres

逆転移転 容量

0.53

ロープ

QG

ゲートチャージ

V CE =600V,I C =450A、V 遺伝子組み換え =-8...+15V

5.31

微分

t d (オン )

オンする遅延時間

V CC =600V,I C=450A バー G=1.5Ω L秒 =20nH ,V 遺伝子組み換え =-8V/+15V,

T vj =25o C

361

nS

t バー

昇る時間

63

nS

t 消して

切断する 遅延時間

729

nS

t f

秋の時間

150

nS

Eオン

オン スイッチング 損失

57.8

mJ

Eオフ

切断する 損失

34.7

mJ

t d (オン )

オンする遅延時間

V CC =600V,I C=450A バー G=1.5Ω L秒 =20nH ,V 遺伝子組み換え =-8V/+15V,

T vj =150o C

406

nS

t バー

昇る時間

81

nS

t 消して

切断する 遅延時間

825

nS

t f

秋の時間

235

nS

Eオン

オン スイッチング 損失

80.6

mJ

Eオフ

切断する 損失

45.9

mJ

t d (オン )

オンする遅延時間

V CC =600V,I C=450A バー G=1.5Ω L秒 =20nH ,V 遺伝子組み換え =-8V/+15V,

T vj =175o C

420

nS

t バー

昇る時間

84

nS

t 消して

切断する 遅延時間

844

nS

t f

秋の時間

241

nS

Eオン

オン スイッチング 損失

88.9

mJ

Eオフ

切断する 損失

47.5

mJ

ISC

SC データ

t P≤6μs V G

E=15V

1800

A

T vj =175o C,V CC =800V V 単数 ≤1200V

シンボル

仕様

試験条件

分。

タイプする

マックス。

単位

V F

ダイオード 前向き 電圧

IF =300A,V 遺伝子組み換え =0V,T vj =25o C

1.60

V

IF =300A,V 遺伝子組み換え =0V,T vj =150o C

1.50

IF =300A,V 遺伝子組み換え =0V,T vj =175o C

1.45

IF =450A,V 遺伝子組み換え =0V,T vj =25o C

1.80

IF =450A,V 遺伝子組み換え =0V,T vj =150o C

1.75

IF =450A,V 遺伝子組み換え =0V,T vj =175o C

1.70

Qバー

回収された電荷

V バー =600V,I F =450A

-di/dt=7460A/μs、V 遺伝子組み換え =-8V, L秒 =20nH ,T vj =25o C

19.3

微分

Iロープ

ピーク逆

回復電流

294

A

Eレス

逆転回復 エネルギー容量

8.32

mJ

Qバー

回収された電荷

V バー =600V,I F =450A

-di/dt=5610A/μs、V 遺伝子組み換え =-8V, L秒 =20nH ,T vj =150o C

49.9

微分

Iロープ

ピーク逆

回復電流

308

A

Eレス

逆転回復 エネルギー容量

14.1

mJ

Qバー

回収された電荷

V バー =600V,I F =450A

-di/dt=5250A/μs、V 遺伝子組み換え =-8V, L秒 =20nH ,T vj =175o C

56.0

微分

Iロープ

ピーク逆

回復電流

311

A

Eレス

逆転回復 エネルギー容量

15.6

mJ

シンボル

仕様

試験条件

分。

タイプする

マックス。

単位

バー

公称 耐性

T C=0 o C

T C=150 o C

1000

1573

ω ω

T クロム

温度係数 nt

0.38

%/K

T ショ

自己 ヒーティング

T C=0 o C

I分 =0.1...0.3mA

0.4

K/mW

シンボル

仕様

分。

タイプする

マックス。

単位

LCE

流れる誘導力

5

nH

p

冷却回りの最大圧 キュート

2.5

棒材

バー thJF

接合 —～ —冷却 液体で (perIGBT )結合冷却液 (Dあたり) ヨード) △V/ △t=2.67 L/ 分 ,T F =65o C

0.083 0.105

0.095 0.121

総量

分

端末接続トーク スクロール M5 固定トーク スクロール M5

3.6 5.4

4.4 6.6

N.M<br>

G

重量 の モジュール

220

g