GD450HFX120N6HY ,IGBT モジュール,STARPOWER

シンボル

説明

バリュー

ユニット

V CES

集合器-放出器の電圧

1200

V

V 総エネルギー

ゲート・エミッター・ボルト

±20

V

わかった CN

実装されたコレクター Cu rrent

450

A について

わかった C

コレクタ電流 @ T F =100 o C

300

A について

わかった CRM

繰り返す 頂点 収集家 現在 tp 限定された by T バイト

900

A について

P D

最大電力損失 する @ T F =65 o C T vj =175 o C

1208

W について

シンボル

説明

バリュー

ユニット

V RRM

繰り返しのピーク逆電圧 遺伝子組み換え

1200

V

わかった FN

実装されたコレクター Cu rrent

450

A について

わかった F

ダイオード 連続前向きCu rrent

300

A について

わかった FRM

繰り返す 頂点 フォワード 現在 tp 限定された by T バイト

900

A について

シンボル

説明

価値

ユニット

T vjmax

交差点最大温度

175

o C

T バイト

動作点の温度は連続

-40から+150

o C

T STG

保管温度範囲

-40から+125

o C

V ISO

絶縁電圧 RMS,f=50Hz,t =1分

2500

V

d クリーپ

ターミナルからヒートシンクへ ターミナルからターミナルへ

7.3 7.3

mm

d 明確

ターミナルからヒートシンクへ ターミナルからターミナルへ

7.3 4.0

mm

シンボル

パラメータ

試験条件

分。

タイプする

マックス。

ユニット

V 衛星

収集機から発信機へ 飽和電圧

わかった C =300A,V 遺伝子組み換え =15V T vj =25 o C

1.25

1.70

V

わかった C =300A,V 遺伝子組み換え =15V T vj =150 について o C

1.35

わかった C =300A,V 遺伝子組み換え =15V T vj =175 o C

1.40

わかった C =450A,V 遺伝子組み換え =15V T vj =25 o C

1.40

わかった C =450A,V 遺伝子組み換え =15V T vj =150 について o C

1.65

わかった C =450A,V 遺伝子組み換え =15V T vj =175 o C

1.70

V 遺伝子組み換え (tH )

ゲート発信者の限界値 圧力は

わかった C =15.6 mA ,V CE = V 遺伝子組み換え , T vj =25 o C

5.8

6.4

7.0

V

わかった CES

収集家 カット -オフ 現在

V CE = V CES ,V 遺伝子組み換え =0V T vj =25 o C

1.0

mA

わかった 総エネルギー

ゲート発射器の漏れ 現在

V 遺伝子組み換え = V 総エネルギー ,V CE =0V T vj =25 o C

400

nA

R ゲント

内部ゲート抵抗

1.67

ω

C ies

入力容量

V CE 電気回路が25Vで,f=100KHzで, V 遺伝子組み換え =0V

81.2

ロープ

C オーエス

輸出容量

1.56

ロープ

C res

逆転移転 容量

0.53

ロープ

Q G

ゲートチャージ

V CE =600V,I C =450A、V 遺伝子組み換え =-8...+15V

5.31

微分

t d (on )

オンする遅延時間

V CC =600V,I C =450A R G =1.5Ω L S =20 nH ,V 遺伝子組み換え =-8V/+15V,

T vj =25 o C

361

nS

t r

昇る時間

63

nS

t 消して

切断する 遅延時間

729

nS

t f

秋の時間

150

nS

E on

オン スイッチング 損失

57.8

mJ

E オフ

切断する 損失

34.7

mJ

t d (on )

オンする遅延時間

V CC =600V,I C =450A R G =1.5Ω L S =20 nH ,V 遺伝子組み換え =-8V/+15V,

T vj =150 について o C

406

nS

t r

昇る時間

81

nS

t 消して

切断する 遅延時間

825

nS

t f

秋の時間

235

nS

E on

オン スイッチング 損失

80.6

mJ

E オフ

切断する 損失

45.9

mJ

t d (on )

オンする遅延時間

V CC =600V,I C =450A R G =1.5Ω L S =20 nH ,V 遺伝子組み換え =-8V/+15V,

T vj =175 o C

420

nS

t r

昇る時間

84

nS

t 消して

切断する 遅延時間

844

nS

t f

秋の時間

241

nS

E on

オン スイッチング 損失

88.9

mJ

E オフ

切断する 損失

47.5

mJ

わかった SC

SC データ

t P ≤6μs V G

E =15V

1800

A について

T vj =175 o C,V CC =800V V 単数 ≤1200V

シンボル

パラメータ

試験条件

分。

タイプする

マックス。

ユニット

V F

ダイオード 前向き 圧力は

わかった F =300A,V 遺伝子組み換え =0V,T vj =2 5o C

1.60

V

わかった F =300A,V 遺伝子組み換え =0V,T vj =150 について o C

1.50

わかった F =300A,V 遺伝子組み換え =0V,T vj =175 o C

1.45

わかった F =450A,V 遺伝子組み換え =0V,T vj =2 5o C

1.80

わかった F =450A,V 遺伝子組み換え =0V,T vj =150 について o C

1.75

わかった F =450A,V 遺伝子組み換え =0V,T vj =175 o C

1.70

Q r

回収された電荷

V R =600V,I F =450A

-di/dt=7460A/μs、V 遺伝子組み換え =-8V, L S =20 nH ,T vj =25 o C

19.3

微分

わかった ロープ

ピーク逆

回復電流

294

A について

E レス

逆転回復 エネルギー

8.32

mJ

Q r

回収された電荷

V R =600V,I F =450A

-di/dt=5610A/μs、V 遺伝子組み換え =-8V, L S =20 nH ,T vj =150 について o C

49.9

微分

わかった ロープ

ピーク逆

回復電流

308

A について

E レス

逆転回復 エネルギー

14.1

mJ

Q r

回収された電荷

V R =600V,I F =450A

-di/dt=5250A/μs、V 遺伝子組み換え =-8V, L S =20 nH ,T vj =175 o C

56.0

微分

わかった ロープ

ピーク逆

回復電流

311

A について

E レス

逆転回復 エネルギー

15.6

mJ

シンボル

パラメータ

試験条件

分。

タイプする

マックス。

ユニット

R

名義 抵抗

T C =0 o C

T C =150 について o C

1000

1573

ω ω

T Cr

温度係数 nt

0.38

%/K

T ショ

自己 ヒーティング

T C =0 o C

わかった m =0.1...0.3mA

0.4

K/mW

シンボル

パラメータ

分。

タイプする

マックス。

ユニット

L CE

流れる誘導力

5

nH

p

冷却回りの最大圧 キュート

2.5

バー

R thJF

接合 -オー -冷却 流体 (perIGBT )結合冷却液 (Dあたり) ヨード) △ V/ △ t=2.67 L/ ほんの少し ,T F =65 o C

0.083 0.105

0.095 0.121

総量

M

端末接続トーク スクロール M5 固定トーク スクロール M5

3.6 5.4

4.4 6.6

N.M<br>

G

重量 の モジュール

220

g