GD400HTX120P6HLT、IGBTモジュール、STARPOWER

シンボル

説明

バリュー

ユニット

V CES

集合器-放出器の電圧

1200

V

V 総エネルギー

ゲート・エミッター・ボルト

±20

V

わかった CN

実装されたコレクター Cu rrent

400

A

わかった C

コレクタ電流 @ T F =120 o C

250

A

わかった Cm

パルスコレクター電流 t p =1ms

800

A

P D

最大電力損失 する @ T F =75 o C T j =175 o C

1010

W について

シンボル

説明

バリュー

ユニット

V RRM

繰り返しのピーク逆電圧 遺伝子組み換え

1200

V

わかった FN

実装されたコレクター Cu rrent

400

A

わかった F

ダイオード 連続前向きCu rrent

250

A

わかった Fm

ダイオード最大順方向電流 t p =1ms

800

A

わかった 2t

わかった 2t値,t p =10ms @ T j =125 について o C @ T j =150 について o C

17860

15664

A 2s

シンボル

説明

価値

ユニット

T jmax

交差点最大温度

175

o C

T ショウジョウ

動作点の温度は連続

30秒の期間内で10秒 発生 最大3000回のライフタイム 私

-40から+150 +150から+175

o C

T STG

保管温度範囲

-40から+125

o C

V ISO

絶縁電圧RMS,f=50Hz,t=1 ほんの少し

3000

V

シンボル

パラメータ

試験条件

分。

タイプする

マックス。

ユニット

V 衛星

収集機から発信機へ 飽和電圧

わかった C =250A,V 遺伝子組み換え =15V T j =25 o C

1.45

1.80

V

わかった C =250A,V 遺伝子組み換え =15V T j =125 について o C

1.65

わかった C =250A,V 遺伝子組み換え =15V T j =150 について o C

1.70

わかった C =380A,V 遺伝子組み換え =15V T j =25 o C

1.70

わかった C =380A,V 遺伝子組み換え =15V T j =150 について o C

2.15

V 遺伝子組み換え (tH )

ゲート発信者の限界値 圧力は

わかった C =9.75 mA ,V CE = V 遺伝子組み換え , T j =25 o C

5.6

6.2

6.8

V

わかった CES

収集家 カット -オフ 現在

V CE = V CES ,V 遺伝子組み換え =0V T j =25 o C

1.0

mA

わかった 総エネルギー

ゲート発射器の漏れ 現在

V 遺伝子組み換え = V 総エネルギー ,V CE =0V T j =25 o C

400

nA

R ゲント

内部ゲート抵抗

2.4

ω

C ies

入力容量

V CE 電気回路が25Vで,f=100KHzで, V 遺伝子組み換え =0V

33.6

ロープ

C オーエス

輸出容量

1.43

ロープ

C res

逆転移転 容量

0.82

ロープ

Q G

ゲートチャージ

V CE =600V,I C =250A, V 遺伝子組み換え =-8...+15V

1.98

微分

t d (on )

オンする遅延時間

V CC =600V,I C =250A R G =2.2Ω L S =24 nH ,V 遺伝子組み換え =-8V/+15V,

T j =25 o C

231

nS

t r

昇る時間

50

nS

t 消して

切断する 遅延時間

545

nS

t f

秋の時間

172

nS

E on

オン スイッチング 損失

19.6

mJ

E オフ

切断する 損失

23.2

mJ

t d (on )

オンする遅延時間

V CC =600V,I C =250A R G =2.2Ω L S =24 nH ,V 遺伝子組み換え =-8V/+15V,

T j =125 について o C

241

nS

t r

昇る時間

57

nS

t 消して

切断する 遅延時間

619

nS

t f

秋の時間

247

nS

E on

オン スイッチング 損失

26.6

mJ

E オフ

切断する 損失

28.7

mJ

t d (on )

オンする遅延時間

V CC =600V,I C =250A R G =2.2Ω L S =24 nH ,V 遺伝子組み換え =-8V/+15V,

T j =150 について o C

245

nS

t r

昇る時間

57

nS

t 消して

切断する 遅延時間

641

nS

t f

秋の時間

269

nS

E on

オン スイッチング 損失

30.1

mJ

E オフ

切断する 損失

30.9

mJ

わかった SC

SC データ

t P ≤6μs V 遺伝子組み換え =15V

T j =150 について o C,V CC =800V V 単数 ≤1200V

1200

A

シンボル

パラメータ

試験条件

分。

タイプする

マックス。

ユニット

V F

ダイオード 前向き 圧力は

わかった F =250A,V 遺伝子組み換え =0V,T j =25 o C

1.50

1.90

V

わかった F =250A,V 遺伝子組み換え =0V,T j =1 25o C

1.45

わかった F =250A,V 遺伝子組み換え =0V,T j =1 50o C

1.40

わかった F =380A,V 遺伝子組み換え =0V,T j =25 o C

1.65

わかった F =380A,V 遺伝子組み換え =0V,T j =1 50o C

1.60

Q r

回収された電荷

V R =600V,I F =250A

-di/dt=4860A/μs,V 遺伝子組み換え =8V L S =24 nH ,T j =25 o C

9.10

微分

わかった ロープ

ピーク逆

回復電流

160

A

E レス

逆転回復 エネルギー

4.39

mJ

Q r

回収された電荷

V R =600V,I F =250A

-di/dt=4300A/μs,V 遺伝子組み換え =8V L S =24 nH ,T j =125 について o C

21.4

微分

わかった ロープ

ピーク逆

回復電流

192

A

E レス

逆転回復 エネルギー

8.43

mJ

Q r

回収された電荷

V R =600V,I F =250A

-di/dt=4120A/μs,V 遺伝子組み換え =8V L S =24 nH ,T j =150 について o C

25.7

微分

わかった ロープ

ピーク逆

回復電流

203

A

E レス

逆転回復 エネルギー

9.97

mJ

シンボル

パラメータ

試験条件

分。

タイプする

マックス。

ユニット

R 25

定数抵抗

5.0

kΩ

∆R/R

偏差 の R 100

T C =100 o C ロープ 100=493.3Ω

-5

5

%

P 25

電力

散熱

20.0

mW

B について 25/50

B値

R 2=R 25経験 [B 25/50 1/T 2- 半角形から

3375

K

B について 25/80

B値

R 2=R 25経験 [B 25/80 1/T 2- 半角形から

3411

K

B について 25/100

B値

R 2=R 25経験 [B 25/100 1/T 2- 半角形から

3433

K

シンボル

パラメータ

分。

タイプする

マックス。

ユニット

L CE

流れる誘導力

8

nH

R CC+EE

モジュール鉛抵抗 ターミナルからチップへ

0.75

mΩ

△ p

△ V/ △ t=10.0 dM 3/ほんの少し ,T F =75 o C

64

mbar

p

冷却回りの最大圧 キュート

2.5

バー

R thJF

接合 -〜に至るまで -冷却 液体で (perIGBT )結合冷却液 (Dあたり) ヨード)

0.099 0.128

総量

M

端末接続トーク スクロール M5 固定トーク スクロールM4

3.6 1.8

4.4 2.2

N.M<br>

G

重量 の モジュール

750

g