GD400HTX120P4SD、IGBTモジュール、STARPOWER

シンボル

説明

価値

単位

V RRM

繰り返しのピーク リバース・ボルト 年齢

1200

V

IFN

フォワードCuを実装 rrent

400

A

IF

ダイオード 連続前向きCu rrent

300

A

IFm

ダイオード最大順方向電流 t p =1ms

800

A

シンボル

説明

価値

単位

T jmax

交差点最大温度

175

o C

T ショウジョウ

交差点の動作温度

-40から+150

o C

T STG

保管温度範囲

-40から+125

o C

V ISO

絶縁電圧 RMS,f=50Hz,t =1分

2500

V

シンボル

仕様

試験条件

分。

タイプする

マックス。

単位

V 衛星

収集機から発信機へ 飽和電圧

IC=300A,V 遺伝子組み換え =15V T j =25o C

1.50

1.95

V

IC=300A,V 遺伝子組み換え =15V T j =125o C

1.60

IC=300A,V 遺伝子組み換え =15V T j =150o C

1.65

V 遺伝子組み換え (th)

ゲート発信者の限界値 圧力は

IC=16.0mA ,V CE =V 遺伝子組み換え , T j =25o C

5.3

5.8

6.3

V

ICES

収集家 切断 —オフ 現在の

V CE =V CES ,V 遺伝子組み換え =0V T j =25o C

1.0

mA

I総エネルギー

ゲート発射器の漏れ 現在の

V 遺伝子組み換え =V 総エネルギー ,V CE =0V T j =25o C

400

nA

バー ゲント

内部ゲート抵抗

0.5

ω

Cies

入力容量

V CE 電気回路が1Mhzで V 遺伝子組み換え =0V

41.4

ロープ

Cres

逆転移転 容量

1.16

ロープ

QG

ゲートチャージ

V 遺伝子組み換え =15V

3.11

微分

t d (オン )

オンする遅延時間

V CC =500V、I C=300A バー G=1.5Ω,V 遺伝子組み換え =±15V LS =25nH ,T j =25o C

223

nS

t バー

昇る時間

32

nS

t 消して

切断する 遅延時間

354

nS

t f

秋の時間

228

nS

Eオン

オン スイッチング 損失

6.24

mJ

Eオフ

切断する 損失

20.1

mJ

t d (オン )

オンする遅延時間

V CC =500V、I C=300A バー G=1.5Ω,V 遺伝子組み換え =±15V Ls=25nH、T j =125o C

229

nS

t バー

昇る時間

36

nS

t 消して

切断する 遅延時間

411

nS

t f

秋の時間

344

nS

Eオン

オン スイッチング 損失

11.0

mJ

Eオフ

切断する 損失

28.6

mJ

t d (オン )

オンする遅延時間

V CC =500V、I C=300A バー G=1.5Ω,V 遺伝子組み換え =±15V Ls=25nH、T j =150o C

231

nS

t バー

昇る時間

38

nS

t 消して

切断する 遅延時間

421

nS

t f

秋の時間

352

nS

Eオン

オン スイッチング 損失

12.2

mJ

Eオフ

切断する 損失

29.7

mJ

ISC

SC データ

t P≤10μs V 遺伝子組み換え =15V

T j =150o C,V CC =900V V 単数 ≤1200V

1600

A

シンボル

仕様

試験条件

分。

タイプする

マックス。

単位

V F

ダイオード 前向き 圧力は

IF =300A,V 遺伝子組み換え =0V,T j =25o C

1.35

1.80

V

IF =300A,V 遺伝子組み換え =0V,T j =125o C

1.35

IF =300A,V 遺伝子組み換え =0V,T j =150o C

1.35

Qバー

回収された電荷

V バー =500V、I F =300A

-di／dt=9700A／μs、V 遺伝子組み換え =15V Ls=25nH、T j =25o C

32.7

微分

Iロープ

ピーク逆

回復電流

478

A

Eレス

逆転回復 エネルギー

22.1

mJ

Qバー

回収された電荷

V バー =500V、I F =300A

-di／dt=8510A／μs、V 遺伝子組み換え =15V Ls=25nH、T j =125o C

45.9

微分

Iロープ

ピーク逆

回復電流

522

A

Eレス

逆転回復 エネルギー

32.7

mJ

Qバー

回収された電荷

V バー =500V、I F =300A

-di／dt=8250A／μs、V 遺伝子組み換え =15V Ls=25nH、T j =150o C

51.5

微分

Iロープ

ピーク逆

回復電流

537

A

Eレス

逆転回復 エネルギー

37.4

mJ

シンボル

仕様

試験条件

分。

タイプする

マックス。

単位

バー 25

定数抵抗

5.0

kΩ

∆R/R

偏差 の バー 100

T C=100 o Cロープ 100=493.3Ω

-5

5

%

P25

電力

散熱

20.0

mW

B 25/50

B値

バー 2=R 25経験 [B 25/501/T 2— 半角形から

3375

K

B 25/80

B値

バー 2=R 25経験 [B 25/801/T 2— 半角形から

3411

K

B 25/100

B値

バー 2=R 25経験 [B 25/1001/T 2— 半角形から

3433

K

シンボル

仕様

分。

タイプする

マックス。

単位

△p

圧縮降冷却回数 キュート

△V/ △t=10.0 dM 3/分 ;T F =25o C;冷却 液体=50% 水/50% エチレングリコール

100

mbar

p

冷却回りの最大圧 キュート

2.5

棒材

LCE

流れる誘導力

14

nH

バー CC+EE

モジュール鉛抵抗 ターミナルからチップへ

0.80

mΩ

バー thJF

接合 —～ —冷却 液体で (perIGBT ) 接合部から冷却液まで (per Di オーデ)

0.100 0.125

総量

M

端末接続トーク 六角ボルトM6 固定トーク 六角ボルトM6

2.5 3.0

5.0 6.0

N.M<br>

G

重量 の モジュール

1340

g