GD400HTX120P4SD、IGBTモジュール、STARPOWER

シンボル

説明

価値

ユニット

V RRM

繰り返しのピーク リバース・ボルト 年齢

1200

V

わかった FN

フォワードCuを実装 rrent

400

A

わかった F

ダイオード 連続前向きCu rrent

300

A

わかった Fm

ダイオード最大順方向電流 t p =1ms

800

A

シンボル

説明

価値

ユニット

T jmax

交差点最大温度

175

o C

T ショウジョウ

交差点の動作温度

-40から+150

o C

T STG

保管温度範囲

-40から+125

o C

V ISO

絶縁電圧 RMS,f=50Hz,t =1分

2500

V

シンボル

パラメータ

試験条件

分。

タイプする

マックス。

ユニット

V 衛星

収集機から発信機へ 飽和電圧

わかった C =300A,V 遺伝子組み換え =15V T j =25 o C

1.50

1.95

V

わかった C =300A,V 遺伝子組み換え =15V T j =125 について o C

1.60

わかった C =300A,V 遺伝子組み換え =15V T j =150 について o C

1.65

V 遺伝子組み換え (tH )

ゲート発信者の限界値 圧力は

わかった C =16.0 mA ,V CE = V 遺伝子組み換え , T j =25 o C

5.3

5.8

6.3

V

わかった CES

収集家 カット -オフ 現在

V CE = V CES ,V 遺伝子組み換え =0V T j =25 o C

1.0

mA

わかった 総エネルギー

ゲート発射器の漏れ 現在

V 遺伝子組み換え = V 総エネルギー ,V CE =0V T j =25 o C

400

nA

R ゲント

内部ゲート抵抗

0.5

ω

C ies

入力容量

V CE 電気回路が1Mhzで V 遺伝子組み換え =0V

41.4

ロープ

C res

逆転移転 容量

1.16

ロープ

Q G

ゲートチャージ

V 遺伝子組み換え =15V

3.11

微分

t d (on )

オンする遅延時間

V CC =500V、I C =300A R G =1.5Ω,V 遺伝子組み換え =±15V LS =25 nH ,T j =25 o C

223

nS

t r

昇る時間

32

nS

t 消して

切断する 遅延時間

354

nS

t f

秋の時間

228

nS

E on

オン スイッチング 損失

6.24

mJ

E オフ

切断する 損失

20.1

mJ

t d (on )

オンする遅延時間

V CC =500V、I C =300A R G =1.5Ω,V 遺伝子組み換え =±15V Ls=25nH、T j =125 について o C

229

nS

t r

昇る時間

36

nS

t 消して

切断する 遅延時間

411

nS

t f

秋の時間

344

nS

E on

オン スイッチング 損失

11.0

mJ

E オフ

切断する 損失

28.6

mJ

t d (on )

オンする遅延時間

V CC =500V、I C =300A R G =1.5Ω,V 遺伝子組み換え =±15V Ls=25nH、T j =150 について o C

231

nS

t r

昇る時間

38

nS

t 消して

切断する 遅延時間

421

nS

t f

秋の時間

352

nS

E on

オン スイッチング 損失

12.2

mJ

E オフ

切断する 損失

29.7

mJ

わかった SC

SC データ

t P ≤10μs V 遺伝子組み換え =15V

T j =150 について o C,V CC =900V V 単数 ≤1200V

1600

A

シンボル

パラメータ

試験条件

分。

タイプする

マックス。

ユニット

V F

ダイオード 前向き 圧力は

わかった F =300A,V 遺伝子組み換え =0V,T j =25 o C

1.35

1.80

V

わかった F =300A,V 遺伝子組み換え =0V,T j =1 25o C

1.35

わかった F =300A,V 遺伝子組み換え =0V,T j =1 50o C

1.35

Q r

回収された電荷

V R =500V、I F =300A

-di／dt=9700A／μs、V 遺伝子組み換え =15V Ls=25nH、T j =25 o C

32.7

微分

わかった ロープ

ピーク逆

回復電流

478

A

E レス

逆転回復 エネルギー

22.1

mJ

Q r

回収された電荷

V R =500V、I F =300A

-di／dt=8510A／μs、V 遺伝子組み換え =15V Ls=25nH、T j =125 について o C

45.9

微分

わかった ロープ

ピーク逆

回復電流

522

A

E レス

逆転回復 エネルギー

32.7

mJ

Q r

回収された電荷

V R =500V、I F =300A

-di／dt=8250A／μs、V 遺伝子組み換え =15V Ls=25nH、T j =150 について o C

51.5

微分

わかった ロープ

ピーク逆

回復電流

537

A

E レス

逆転回復 エネルギー

37.4

mJ

シンボル

パラメータ

試験条件

分。

タイプする

マックス。

ユニット

R 25

定数抵抗

5.0

kΩ

∆R/R

偏差 の R 100

T C =100 o C ロープ 100=493.3Ω

-5

5

%

P 25

電力

散熱

20.0

mW

B について 25/50

B値

R 2=R 25経験 [B 25/50 1/T 2- 半角形から

3375

K

B について 25/80

B値

R 2=R 25経験 [B 25/80 1/T 2- 半角形から

3411

K

B について 25/100

B値

R 2=R 25経験 [B 25/100 1/T 2- 半角形から

3433

K

シンボル

パラメータ

分。

タイプする

マックス。

ユニット

△ p

圧縮降冷却回数 キュート

△ V/ △ t=10.0 dM 3/ほんの少し ;T F =25 o C ;冷却 液体=50% 水/50% エチレングリコール

100

mbar

p

冷却回りの最大圧 キュート

2.5

バー

L CE

流れる誘導力

14

nH

R CC+EE

モジュール鉛抵抗 ターミナルからチップへ

0.80

mΩ

R thJF

接合 -〜に至るまで -冷却 液体で (perIGBT ) 接合部から冷却液まで (per Di オーデ)

0.100 0.125

総量

M

端末接続トーク 六角ボルトM6 固定トーク 六角ボルトM6

2.5 3.0

5.0 6.0

N.M<br>

G

重量 の モジュール

1340

g