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IGBTモジュール 1200V

IGBTモジュール 1200V

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GD3600SGT120C4S,IGBTモジュール,STARPOWER

1200V 3600A

Brand:
ストアパワー
Spu:
GD3600SGT120C4S
  • 紹介
  • 概要
紹介

簡単な紹介

IGBT モジュール 、STARPOWERによって製造されました。1200V 3600A。

特徴

  • 低VCE(sat)トレンチIGBT技術
  • 10μs短回路能力
  • 陽性温度係数を持つ VCE (sat)
  • 低感受性ケース
  • 速くて柔らかい逆回復 対称性のないFWD
  • DBC技術を用いた隔離銅基板

典型的な用途

  • ACインバーター駆動装置
  • 無停電電源装置
  • 風力タービン

絶対値 最大 レーティング T C =25 °C しない限り 違うなら 記載

シンボル

説明

GD3600SGT120C4S

ユニット

V CES

集合器-放出器の電圧

1200

V

V 総エネルギー

ゲート・エミッター・ボルト

± 20

V

わかった C

@ T C =25 °C

@ T C =80 について °C

4800

A について

3600

わかった Cm (1)

パルスコレクター電流 t p = 1ミリ秒

7200

A について

わかった F

ダイオード 連続前流

3600

A について

わかった Fm

ダイオード 最大前向き回転 賃貸

7200

A について

P D

最大電源 消耗 @ T j =17 5°C

16.7

kW

T jmax

交差点最大温度

175

°C

T STG

保管温度範囲

-40から+125

°C

V ISO

隔離電圧 RMS,f=50Hz,t=1分

2500

V

マウント

信号ターミナル スクリュー:M4

平均 2.1

電力端末スクリュー:M8

平均値 10

N.M<br>

扭力

マウント スクリュー:M6

4.25から 5.75

電気 特徴 IGBT T C =25 °C しない限り 違うなら 記載

特徴から外れている

シンボル

パラメータ

試験条件

分。

タイプする

マックス。

ユニット

V (BR )CES

収集-発信

突入電圧

T j =25 °C

1200

V

わかった CES

収集家 カット -オフ 現在

V CE = V CES ,V 遺伝子組み換え =0V T j =25 °C

5.0

mA

わかった 総エネルギー

ゲート発射器の漏れ

現在

V 遺伝子組み換え = V 総エネルギー ,V CE =0V T j =25 °C

400

nA

特徴について

シンボル

パラメータ

試験条件

分。

タイプする

マックス。

ユニット

V 遺伝子組み換え (tH )

ゲート発信者の限界値

圧力は

わかった C =145 mA ,V CE = V 遺伝子組み換え ,T j =25 °C

5.0

5.8

6.5

V

V 衛星

収集機から発信機へ

飽和電圧

わかった C =3600A,V 遺伝子組み換え =15V T j =25 °C

1.70

2.15

V

わかった C =3600A,V 遺伝子組み換え =15V T j =125 について °C

2.00

2.45

変形する特性

シンボル

パラメータ

試験条件

分。

タイプする

マックス。

ユニット

Q G

ゲートチャージ

V 遺伝子組み換え =- やってる 15...+15V

35.0

微分

R ゲント

内部ゲートレジスタ

T j =25 °C

0.5

ω

t d (on )

オンする遅延時間

V CC =600V,I C =3600A R ゲン =0.8Ω,

R ゲッフ =0.2Ω,

V 遺伝子組み換え = ± 15V,T j =25 °C

600

nS

t r

昇る時間

235

nS

t 消して

切断する 遅延時間

825

nS

t f

秋の時間

145

nS

E on

オン 切り替え損失

/

mJ

E オフ

切断切換損失

/

mJ

t d (on )

オンする遅延時間

V CC =600V,I C =3600A R ゲン =0.8Ω,

R ゲッフ =0.2Ω,

V 遺伝子組み換え = ± 15V,T j =125 について °C

665

nS

t r

昇る時間

215

nS

t 消して

切断する 遅延時間

970

nS

t f

秋の時間

180

nS

E on

オン 切り替え損失

736

mJ

E オフ

切断切換損失

569

mJ

C ies

入力容量

V CE 電気回路が1Mhzで V 遺伝子組み換え =0V

258

ロープ

C オーエス

輸出容量

13.5

ロープ

C res

逆転移転

容量

11.7

ロープ

わかった SC

SC データ

t S C 10μs,V 遺伝子組み換え =15V T j =125 について °C バイト CC =900V V 単数 1200V

14000

A について

L CE

流れる誘導力

10

nH

R CC + ロープ

モジュール鉛抵抗 ターミナルからチップへ

0.12

m ω

電気 特徴 ダイオード T C =25 °C しない限り 違うなら 記載

シンボル

パラメータ

試験条件

分。

タイプする

マックス。

ユニット

V F

ダイオード 前向き

圧力は

わかった F =3600A

T j =25 °C

1.65

2.15

V

T j =125 について °C

1.65

2.15

Q r

回収された電荷

わかった F =3600A

V R =600V

R ゲン =0.8Ω,

V 遺伝子組み換え =- やってる 15V

T j =25 °C

360

微分

T j =125 について °C

670

わかった ロープ

逆転回復 現在

T j =25 °C

2500

A について

T j =125 について °C

3200

E レス

逆転回復 エネルギー

T j =25 °C

97

mJ

T j =125 について °C

180

熱特性 ティックス

シンボル

パラメータ

タイプする

マックス。

ユニット

R θ JC さん

ケース対ケース (IGBごとに) T) について

9.0

電力量

R θ JC さん

接合部からケースまで(ダイオードごとに de) について

15.6

電力量

R θ CS

ケースからシンク

(導電性グリース適用、Mごとに 臭い)

4

電力量

重量

重量 モジュール

2250

g

概要

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