概要
IGBT モジュール 、STARPOWERによって製造されました。1200V 3600A。
主な特長
典型的な用途
絶対値 最大の レーティング T C=25℃ しない限り 違うなら 記載
シンボル |
説明 |
GD3600SGT120C4S |
ユニット |
V CES |
集合器-放出器の電圧 |
1200 |
V |
V 総エネルギー |
ゲート・エミッター・ボルト |
±20 |
V |
IC |
@ T C=25℃ @ T C=80℃ |
4800 |
A |
3600 | |||
ICm (1) |
パルスコレクター電流 t p = 1ミリ秒 |
7200 |
A |
IF |
ダイオード 連続前流 |
3600 |
A |
IFm |
ダイオード 最大前向き回転 賃貸 |
7200 |
A |
PD |
最大電源 消耗 @ T j =175℃ |
16.7 |
kW |
T jmax |
交差点最大温度 |
175 |
℃ |
T STG |
保管温度範囲 |
-40から+125 |
℃ |
V ISO |
隔離電圧 RMS,f=50Hz,t=1分 |
2500 |
V |
設置方法 |
信号ターミナル スクリュー:M4 |
平均 2.1 |
|
電力端末スクリュー:M8 |
平均値 10 |
N.M<br> |
|
扭力 |
設置方法 スクリュー:M6 |
4.25から 5.75 |
|
電気 特徴 の IGBT T C=25℃ しない限り 違うなら 記載
特徴から外れている
シンボル |
仕様 |
試験条件 |
分。 |
タイプする |
マックス。 |
ユニット |
V (BR )CES |
収集-発信 突入電圧 |
T j =25℃ |
1200 |
|
|
V |
ICES |
収集家 切断 —オフ 現在の |
V CE =V CES ,V 遺伝子組み換え =0V T j =25℃ |
|
|
5.0 |
mA |
I総エネルギー |
ゲート発射器の漏れ 現在の |
V 遺伝子組み換え =V 総エネルギー ,V CE =0V T j =25℃ |
|
|
400 |
nA |
特徴について
シンボル |
仕様 |
試験条件 |
分。 |
タイプする |
マックス。 |
ユニット |
V 遺伝子組み換え (th) |
ゲート発信者の限界値 電圧 |
IC=145mA ,V CE =V 遺伝子組み換え ,T j =25℃ |
5.0 |
5.8 |
6.5 |
V |
|
V 衛星 |
収集機から発信機へ 飽和電圧 |
IC=3600A,V 遺伝子組み換え =15V T j =25℃ |
|
1.70 |
2.15 |
V |
IC=3600A,V 遺伝子組み換え =15V T j =125℃ |
|
2.00 |
2.45 |
変形する特性
シンボル |
仕様 |
試験条件 |
分。 |
タイプする |
マックス。 |
ユニット |
QG |
ゲートチャージ |
V 遺伝子組み換え =- 15...+15V |
|
35.0 |
|
微分 |
バー ゲント |
内部ゲートレジスタ |
T j =25℃ |
|
0.5 |
|
ω |
t d (オン ) |
オンする遅延時間 |
V CC =600V,I C=3600A バー ゲン =0.8Ω, バー ゲッフ =0.2Ω, V 遺伝子組み換え =±15V,T j =25℃ |
|
600 |
|
nS |
t バー |
昇る時間 |
|
235 |
|
nS |
|
t 消して |
切断する 遅延時間 |
|
825 |
|
nS |
|
t f |
秋の時間 |
|
145 |
|
nS |
|
Eオン |
オン 切り替え損失 |
|
/ |
|
mJ |
|
Eオフ |
切断切換損失 |
|
/ |
|
mJ |
|
t d (オン ) |
オンする遅延時間 |
V CC =600V,I C=3600A バー ゲン =0.8Ω, バー ゲッフ =0.2Ω, V 遺伝子組み換え =±15V,T j =125℃ |
|
665 |
|
nS |
t バー |
昇る時間 |
|
215 |
|
nS |
|
t 消して |
切断する 遅延時間 |
|
970 |
|
nS |
|
t f |
秋の時間 |
|
180 |
|
nS |
|
Eオン |
オン 切り替え損失 |
|
736 |
|
mJ |
|
Eオフ |
切断切換損失 |
|
569 |
|
mJ |
|
Cies |
入力容量 |
V CE 電気回路が1Mhzで V 遺伝子組み換え =0V |
|
258 |
|
ロープ |
Cオーエス |
輸出容量 |
|
13.5 |
|
ロープ |
|
Cres |
逆転移転 容量 |
|
11.7 |
|
ロープ |
|
|
ISC |
SC データ |
t 秒 C≤10μs,V 遺伝子組み換え =15V T j =125℃バイト CC =900V V 単数 ≤1200V |
|
14000 |
|
A |
LCE |
流れる誘導力 |
|
|
10 |
|
nH |
バー CC ’+ロープ ’ |
モジュール鉛抵抗 ターミナルからチップへ |
|
|
0.12 |
|
分 ω |
電気 特徴 の ダイオード T C=25℃ しない限り 違うなら 記載
シンボル |
仕様 |
試験条件 |
分。 |
タイプする |
マックス。 |
ユニット |
|
V F |
ダイオード 前向き 電圧 |
IF =3600A |
T j =25℃ |
|
1.65 |
2.15 |
V |
T j =125℃ |
|
1.65 |
2.15 |
||||
Qバー |
回収された電荷 |
IF =3600A V バー =600V バー ゲン =0.8Ω, V 遺伝子組み換え =- 15V |
T j =25℃ |
|
360 |
|
微分 |
T j =125℃ |
|
670 |
|
||||
Iロープ |
逆転回復 現在の |
T j =25℃ |
|
2500 |
|
A |
|
T j =125℃ |
|
3200 |
|
||||
Eレス |
逆転回復 エネルギー容量 |
T j =25℃ |
|
97 |
|
mJ |
|
T j =125℃ |
|
180 |
|
||||
熱特性 ティックス
シンボル |
仕様 |
タイプする |
マックス。 |
ユニット |
バー θ JC さん |
ケース対ケース (IGBごとに) T) について |
|
9.0 |
電力量 |
バー θ JC さん |
接合部からケースまで（ダイオードごとに de) について |
|
15.6 |
電力量 |
バー θ CS |
ケースからシンク （導電性グリース適用、Mごとに 臭い) |
4 |
|
電力量 |
重量 |
重量 の モジュール |
2250 |
|
g |
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