GD300HFX120C6SA、IGBTモジュール、STARPOWER

シンボル

説明

価値

単位

V CES

集合器-放出器の電圧

1200

V

V 総エネルギー

ゲート・エミッター・ボルト

±20

V

IC

コレクタ電流 @ T C=25o C @ T C=100o C

496

300

A

ICm

パルスコレクター電流 t p =1ms

600

A

PD

最大電源 消耗 @ T j =175o C

1685

W

シンボル

説明

価値

単位

T jmax

交差点最大温度

175

o C

T ショウジョウ

交差点の動作温度

-40から+150

o C

T STG

保管温度範囲

-40から+125

o C

V ISO

絶縁電圧 RMS,f=50Hz,t =1分

2500

V

シンボル

仕様

試験条件

分。

タイプする

マックス。

単位

V 衛星

収集機から発信機へ 飽和電圧

IC=300A,V 遺伝子組み換え =15V T j =25o C

1.70

2.15

V

IC=300A,V 遺伝子組み換え =15V T j =125o C

1.95

IC=300A,V 遺伝子組み換え =15V T j =150o C

2.00

V 遺伝子組み換え (th)

ゲート発信者の限界値 電圧

IC=12.0mA ,V CE =V 遺伝子組み換え , T j =25o C

5.6

6.2

6.8

V

ICES

収集家 切断 —オフ 現在の

V CE =V CES ,V 遺伝子組み換え =0V T j =25o C

1.0

mA

I総エネルギー

ゲート発射器の漏れ 現在の

V 遺伝子組み換え =V 総エネルギー ,V CE =0V T j =25o C

400

nA

バー ゲント

内部ゲート抵抗 アンス

2.5

ω

Cies

入力容量

V CE 電気回路が1Mhzで V 遺伝子組み換え =0V

31.1

ロープ

Cres

逆転移転 容量

0.87

ロープ

QG

ゲートチャージ

V 遺伝子組み換え =-15 ...+15V

2.33

微分

t d (オン )

オンする遅延時間

V CC =600V,I C=300A バー G=1.5Ω,V 遺伝子組み換え =±15V T j =25o C

313

nS

t バー

昇る時間

57

nS

t 消して

切断する 遅延時間

464

nS

t f

秋の時間

206

nS

Eオン

オン スイッチング 損失

9.97

mJ

Eオフ

切断する 損失

28.6

mJ

t d (オン )

オンする遅延時間

V CC =600V,I C=300A バー G=1.5Ω,V 遺伝子組み換え =±15V T j =125o C

336

nS

t バー

昇る時間

66

nS

t 消して

切断する 遅延時間

528

nS

t f

秋の時間

299

nS

Eオン

オン スイッチング 損失

21.1

mJ

Eオフ

切断する 損失

36.6

mJ

t d (オン )

オンする遅延時間

V CC =600V,I C=300A バー G=1.5Ω,V 遺伝子組み換え =±15V T j =150o C

345

nS

t バー

昇る時間

68

nS

t 消して

切断する 遅延時間

539

nS

t f

秋の時間

309

nS

Eオン

オン スイッチング 損失

25.6

mJ

Eオフ

切断する 損失

37.8

mJ

ISC

SC データ

t P≤10μs V 遺伝子組み換え =15V

T j =150o C,V CC =900V V 単数 ≤1200V

1200

A

シンボル

仕様

試験条件

分。

タイプする

マックス。

単位

バー 25

定数抵抗

5.0

kΩ

∆R/R

偏差 の バー 100

T C=100 o Cロープ 100=493.3Ω

-5

5

%

P25

電力

散熱

20.0

mW

B 25/50

B値

バー 2=R 25経験 [B 25/501/T 2— 半角形から

3375

K

B 25/80

B値

バー 2=R 25経験 [B 25/801/T 2— 半角形から

3411

K

B 25/100

B値

バー 2=R 25経験 [B 25/1001/T 2— 半角形から

3433

K

シンボル

仕様

分。

タイプする

マックス。

単位

LCE

流れる誘導力

20

nH

バー CC+EE

モジュール鉛抵抗 ターミナルからチップへ

1.10

mΩ

バー thJC

接合 —～ —事例 (perIGBT ) 交差点 (Dあたり) ヨード)

0.089 0.150

総量

バー thCH

事例 —～ —熱シンク (perIGBT ) ケースからヒートシンクへの接続 (ダイオードごと) ケースからヒートシンクへの（per モジュール)

0.029 0.048 0.009

総量

分

端末接続トーク 六角ボルトM6 固定トーク スクロール M5

3.0 3.0

6.0 6.0

N.M<br>

G

重量 の モジュール

350

g