GD260HTX120P7H,IGBTモジュール,STARPOWER

シンボル

説明

バリュー

ユニット

V CES

集合器-放出器の電圧

1200

V

V 総エネルギー

ゲート・エミッター・ボルト

±20

V

わかった CN

実装されたコレクター Cu rrent

260

A について

わかった C

コレクタ電流 @ T F =100 o C

150

A について

わかった Cm

パルスコレクター電流 t p =1ms

520

A について

P D

最大電力損失 する @ T F =75 o C T j =175 o C

500

W について

シンボル

説明

バリュー

ユニット

V RRM

繰り返しのピーク逆電圧 遺伝子組み換え

1200

V

わかった FN

実装されたコレクター Cu rrent

260

A について

わかった F

ダイオード 連続前向きCu rrent

150

A について

わかった Fm

ダイオード最大順方向電流 t p =1ms

520

A について

シンボル

説明

価値

ユニット

T jmax

交差点最大温度

175

o C

T ショウジョウ

動作点の温度は連続

30秒の期間内で10秒 発生 最大3000回のライフタイム 私

-40から+150 +150から+175

o C

T STG

保管温度範囲

-40から+125

o C

V ISO

絶縁電圧RMS,f=50Hz,t=1 ほんの少し

2500

V

シンボル

パラメータ

試験条件

分。

タイプする

マックス。

ユニット

V 衛星

収集機から発信機へ 飽和電圧

わかった C =150A,V 遺伝子組み換え =15V T j =25 o C

1.40

1.75

V

わかった C =150A,V 遺伝子組み換え =15V T j =125 について o C

1.60

わかった C =150A,V 遺伝子組み換え =15V T j =150 について o C

1.60

わかった C =260A,V 遺伝子組み換え =15V T j =25 o C

1.70

わかった C =260A,V 遺伝子組み換え =15V T j =150 について o C

2.15

V 遺伝子組み換え (tH )

ゲート発信者の限界値 圧力は

わかった C =10.4 mA ,V CE = V 遺伝子組み換え , T j =25 o C

5.6

6.2

6.8

V

わかった CES

収集家 カット -オフ 現在

V CE = V CES ,V 遺伝子組み換え =0V T j =25 o C

1.0

mA

わかった 総エネルギー

ゲート発射器の漏れ 現在

V 遺伝子組み換え = V 総エネルギー ,V CE =0V T j =25 o C

400

nA

R ゲント

内部ゲート抵抗

3.6

ω

C ies

入力容量

V CE 電気回路が25Vで,f=100KHzで, V 遺伝子組み換え =0V

22.4

ロープ

C オーエス

輸出容量

0.95

ロープ

C res

逆転移転 容量

0.55

ロープ

Q G

ゲートチャージ

V CE =600V,I C =150A, V 遺伝子組み換え =-8...+15V

1.32

微分

t d (on )

オンする遅延時間

V CC =600V,I C =150A,

R G =3.3Ω

V 遺伝子組み換え =-8V/+15V,

L S =35 nH ,T j =25 o C

181

nS

t r

昇る時間

44

nS

t 消して

切断する 遅延時間

541

nS

t f

秋の時間

217

nS

E on

オン スイッチング 損失

12.1

mJ

E オフ

切断する 損失

14.4

mJ

t d (on )

オンする遅延時間

V CC =600V,I C =150A,

R G =3.3Ω

V 遺伝子組み換え =-8V/+15V,

L S =35 nH ,T j =125 について o C

193

nS

t r

昇る時間

52

nS

t 消して

切断する 遅延時間

609

nS

t f

秋の時間

319

nS

E on

オン スイッチング 損失

17.3

mJ

E オフ

切断する 損失

18.3

mJ

t d (on )

オンする遅延時間

V CC =600V,I C =150A,

R G =3.3Ω

V 遺伝子組み換え =-8V/+15V,

L S =35 nH ,T j =150 について o C

199

nS

t r

昇る時間

54

nS

t 消して

切断する 遅延時間

628

nS

t f

秋の時間

333

nS

E on

オン スイッチング 損失

19.3

mJ

E オフ

切断する 損失

19.3

mJ

わかった SC

SC データ

t P ≤6μs V 遺伝子組み換え =15V

T j =150 について o C,V CC =800V V 単数 ≤1200V

800

A について

シンボル

パラメータ

試験条件

分。

タイプする

マックス。

ユニット

V F

ダイオード 前向き 圧力は

わかった F =150A,V 遺伝子組み換え =0V,T j =25 o C

1.45

1.80

V

わかった F =150A,V 遺伝子組み換え =0V,T j =1 25o C

1.40

わかった F =150A,V 遺伝子組み換え =0V,T j =1 50o C

1.35

わかった F =260A,V 遺伝子組み換え =0V,T j =25 o C

1.65

わかった F =260A,V 遺伝子組み換え =0V,T j =1 50o C

1.65

Q r

回収された電荷

V R =600V,I F =150A,

-di/dt=3400A/μs,V 遺伝子組み換え =8V L S =35 nH ,T j =25 o C

6.55

微分

わかった ロープ

ピーク逆

回復電流

115

A について

E レス

逆転回復 エネルギー

3.23

mJ

Q r

回収された電荷

V R =600V,I F =150A,

-di/dt=2950A/μs,V 遺伝子組み換え =8V L S =35 nH ,T j =125 について o C

14.3

微分

わかった ロープ

ピーク逆

回復電流

125

A について

E レス

逆転回復 エネルギー

5.42

mJ

Q r

回収された電荷

V R =600V,I F =150A,

-di/dt=2780A/μs,V 遺伝子組み換え =8V L S =35 nH ,T j =150 について o C

16.6

微分

わかった ロープ

ピーク逆

回復電流

130

A について

E レス

逆転回復 エネルギー

6.31

mJ

シンボル

パラメータ

試験条件

分。

タイプする

マックス。

ユニット

R 25

定数抵抗

5.0

kΩ

∆R/R

偏差 の R 100

T C =100 o C ロープ 100=493.3Ω

-5

5

%

P 25

電力

散熱

20.0

mW

B について 25/50

B値

R 2=R 25経験 [B 25/50 1/T 2- 半角形から

3375

K

B について 25/80

B値

R 2=R 25経験 [B 25/80 1/T 2- 半角形から

3411

K

B について 25/100

B値

R 2=R 25経験 [B 25/100 1/T 2- 半角形から

3433

K

シンボル

パラメータ

分。

タイプする

マックス。

ユニット

△ p

圧縮降冷却回数 キュート

δ V／Δt=10.0dm3／分；TF=2 5 o C 冷却 液体=50% 水/50% エチレングリコール

50

mbar

p

冷却回りの最大圧 キュート

2.0

バー

R thJF

接合 -オー -冷却 流体 (perIGBT )結合冷却液 (Dあたり) ヨード)

0.200 0.274

総量

M

端末接続トーク 六角ボルトM6 固定トーク スクロール M5

3.0 3.0

6.0 6.0

N.M<br>

G

重量 の モジュール

685

g