GD200TLQ120L3S,IGBTモジュール,3-level,STARPOWER

シンボル

説明

バリュー

ユニット

V CES

集合器-放出器の電圧

1200

V

V 総エネルギー

ゲート・エミッター・ボルト

±20

V

わかった C

コレクタ電流 @ T C =25 o C

@ T C = 100o C

339

200

A について

わかった Cm

パルスコレクター電流 t p = 1ミリ秒

400

A について

P D

最大電源 消耗 @ T j =175 o C

1456

W について

シンボル

説明

価値

ユニット

V RRM

繰り返しのピーク逆電圧

1200

V

わかった F

ダイオード 連続前向き 賃貸

75

A について

わかった Fm

ダイオード最大順方向電流 t p = 1ミリ秒

150

A について

シンボル

説明

価値

ユニット

V CES

集合器-放出器の電圧

650

V

V 総エネルギー

ゲート・エミッター・ボルト

±20

V

わかった C

コレクタ電流 @ T C =25 o C

@ T C =95 o C

158

100

A について

わかった Cm

パルスコレクター電流 t p = 1ミリ秒

200

A について

P D

最大電源 消耗 @ T j =175 o C

441

W について

シンボル

説明

価値

ユニット

V RRM

繰り返しのピーク逆電圧

650

V

わかった F

ダイオード 連続前向き 賃貸

100

A について

わかった Fm

ダイオード最大順方向電流 t p = 1ミリ秒

200

A について

シンボル

説明

価値

ユニット

T jmax

交差点最大温度

175

o C

T ショウジョウ

交差点の動作温度

-40から+150

o C

T STG

保管温度 航続距離

-40から+125

o C

V ISO

絶縁電圧RMS,f=50Hz,t=1 ほんの少し

2500

V

シンボル

パラメータ

試験条件

分。

タイプする

マックス。

ユニット

V 衛星

収集機から発信機へ

飽和電圧

わかった C = 100A,V 遺伝子組み換え = 15V T j =25 o C

1.40

1.85

V

わかった C = 100A,V 遺伝子組み換え = 15V T j =125 について o C

1.65

わかった C = 100A,V 遺伝子組み換え = 15V T j =150 について o C

1.70

V 遺伝子組み換え (tH )

ゲート発信者の限界値 圧力は

わかった C =5.0 mA ,V CE = V 遺伝子組み換え , T j =25 o C

5.2

6.0

6.8

V

わかった CES

収集家 カット -オフ

現在

V CE = V CES ,V 遺伝子組み換え =0V

T j =25 o C

1.0

mA

わかった 総エネルギー

ゲート発射器の漏れ 現在

V 遺伝子組み換え = V 総エネルギー ,V CE =0V T j =25 o C

400

nA

R ゲント

内部ゲート抵抗 アンス

3.8

ω

C ies

入力容量

V CE 電気回路が1Mhzで

V 遺伝子組み換え =0V

20.7

ロープ

C res

逆転移転

容量

0.58

ロープ

Q G

ゲートチャージ

V 遺伝子組み換え =- やってる 15...+15V

1.56

微分

t d (on )

オンする遅延時間

V CC =400V、I C = 100A, R G = 1. 1Ω、V 遺伝子組み換え =±15V T j =25 o C

142

nS

t r

昇る時間

25

nS

t d (オフ )

切断する 遅延時間

352

nS

t f

秋の時間

33

nS

E on

オン スイッチング

損失

1.21

mJ

E オフ

切断する

損失

3.90

mJ

t d (on )

オンする遅延時間

V CC =400V、I C = 100A, R G = 1. 1Ω、V 遺伝子組み換え =±15V T j = 125o C

155

nS

t r

昇る時間

29

nS

t d (オフ )

切断する 遅延時間

440

nS

t f

秋の時間

61

nS

E on

オン スイッチング

損失

2.02

mJ

E オフ

切断する

損失

5.83

mJ

t d (on )

オンする遅延時間

V CC =400V、I C = 100A, R G = 1. 1Ω、V 遺伝子組み換え =±15V T j = 150o C

161

nS

t r

昇る時間

30

nS

t d (オフ )

切断する 遅延時間

462

nS

t f

秋の時間

66

nS

E on

オン スイッチング

損失

2.24

mJ

E オフ

切断する

損失

6.49

mJ

わかった SC

SC データ

t P ≤10μs,V 遺伝子組み換え =15V

T j =150 について o C,V CC =800V V 単数 ≤1200V

800

A について

シンボル

パラメータ

試験条件

分。

タイプする

マックス。

ユニット

V F

ダイオード 前向き

圧力は

わかった F =75A,V 遺伝子組み換え =0V,T j =25 o C

1.70

2.15

V

わかった F =75A,V 遺伝子組み換え =0V,T j = 125o C

1.65

わかった F =75A,V 遺伝子組み換え =0V,T j = 150o C

1.65

Q r

回収された電荷

V R =400V、I F =75A,

-di/dt=3500A/μs、V 遺伝子組み換え =- やってる 15V T j =25 o C

8.7

微分

わかった ロープ

ピーク逆

回復電流

122

A について

E レス

逆転回復 エネルギー

2.91

mJ

Q r

回収された電荷

V R =400V、I F =75A,

-di/dt=3500A/μs、V 遺伝子組み換え =- やってる 15V T j = 125o C

17.2

微分

わかった ロープ

ピーク逆

回復電流

143

A について

E レス

逆転回復 エネルギー

5.72

mJ

Q r

回収された電荷

V R =400V、I F =75A,

-di/dt=3500A/μs、V 遺伝子組み換え =- やってる 15V T j = 150o C

19.4

微分

わかった ロープ

ピーク逆

回復電流

152

A について

E レス

逆転回復 エネルギー

6.30

mJ

シンボル

パラメータ

試験条件

分。

タイプする

マックス。

ユニット

V 衛星

収集機から発信機へ

飽和電圧

わかった C = 100A,V 遺伝子組み換え = 15V T j =25 o C

1.45

1.90

V

わかった C = 100A,V 遺伝子組み換え = 15V T j =125 について o C

1.60

わかった C = 100A,V 遺伝子組み換え = 15V T j =150 について o C

1.70

V 遺伝子組み換え (tH )

ゲート発信者の限界値 圧力は

わかった C = 1.60mA、V CE =V 遺伝子組み換え , T j =25 o C

5.0

5.8

6.5

V

わかった CES

収集家 カット -オフ

現在

V CE = V CES ,V 遺伝子組み換え =0V

T j =25 o C

1.0

mA

わかった 総エネルギー

ゲート発射器の漏れ 現在

V 遺伝子組み換え = V 総エネルギー ,V CE =0V T j =25 o C

400

nA

R ゲント

内部ゲート抵抗 アンス

2.0

ω

C ies

入力容量

V CE 電気回路が1Mhzで

V 遺伝子組み換え =0V

11.6

ロープ

C res

逆転移転

容量

0.23

ロープ

Q G

ゲートチャージ

V 遺伝子組み換え =- やってる 15...+15V

0.69

微分

t d (on )

オンする遅延時間

V CC =400V、I C = 100A, R G =3.3Ω,V 遺伝子組み換え =±15V T j =25 o C

44

nS

t r

昇る時間

20

nS

t d (オフ )

切断する 遅延時間

200

nS

t f

秋の時間

28

nS

E on

オン スイッチング

損失

1.48

mJ

E オフ

切断する

損失

2.48

mJ

t d (on )

オンする遅延時間

V CC =400V、I C = 100A, R G =3.3Ω,V 遺伝子組み換え =±15V T j = 125o C

48

nS

t r

昇る時間

24

nS

t d (オフ )

切断する 遅延時間

216

nS

t f

秋の時間

40

nS

E on

オン スイッチング

損失

2.24

mJ

E オフ

切断する

損失

3.28

mJ

t d (on )

オンする遅延時間

V CC =400V、I C = 100A, R G =3.3Ω,V 遺伝子組み換え =±15V T j = 150o C

52

nS

t r

昇る時間

24

nS

t d (オフ )

切断する 遅延時間

224

nS

t f

秋の時間

48

nS

E on

オン スイッチング

損失

2.64

mJ

E オフ

切断する

損失

3.68

mJ

わかった SC

SC データ

t P ≤6μs,V 遺伝子組み換え = 15V

T j =150 について o C,V CC =360V V 単数 ≤650V

500

A について

シンボル

パラメータ

試験条件

分。

タイプする

マックス。

ユニット

V F

ダイオード 前向き

圧力は

わかった F = 100A,V 遺伝子組み換え =0V,T j =25 o C

1.55

2.00

V

わかった F = 100A,V 遺伝子組み換え =0V,T j = 125o C

1.50

わかった F = 100A,V 遺伝子組み換え =0V,T j = 150o C

1.45

Q r

回収された電荷

V R =400V、I F = 100A,

-di/dt=4070A/μs、V 遺伝子組み換え =- やってる 15V T j =25 o C

3.57

微分

わかった ロープ

ピーク逆

回復電流

99

A について

E レス

逆転回復 エネルギー

1.04

mJ

Q r

回収された電荷

V R =400V、I F = 100A,

-di/dt=4070A/μs、V 遺伝子組み換え =- やってる 15V T j = 125o C

6.49

微分

わかった ロープ

ピーク逆

回復電流

110

A について

E レス

逆転回復 エネルギー

1.70

mJ

Q r

回収された電荷

V R =400V、I F = 100A,

-di/dt=4070A/μs、V 遺伝子組み換え =- やってる 15V T j = 150o C

7.04

微分

わかった ロープ

ピーク逆

回復電流

110

A について

E レス

逆転回復 エネルギー

1.81

mJ

シンボル

パラメータ

試験条件

分。

タイプする

マックス。

ユニット

R 25

定数抵抗

5.0

kΩ

δR/R

偏差 の R 100

T C = 100 o C,R 100=493.3Ω

-5

5

%

P 25

電力

散熱

20.0

mW

B について 25/50

B値

R 2=R 25経験 [B 25/50 1/T 2-

半角形から

3375

K

B について 25/80

B値

R 2=R 25経験 [B 25/80 1/T 2-

半角形から

3411

K

B について 25/100

B値

R 2=R 25経験 [B 25/100 1/T 2-

半角形から

3433

K

シンボル

パラメータ

分。

タイプする

マックス。

ユニット

R thJC

交差点からケース (T1あたり) T4 IGBT)

接合部からケースまで（D1、D4ダイオードごと） de) について

接合部からケースまで（T2ごと） T3 IGBT)

接合部からケース (D2,D3 ダイオード毎に) de) について

0.094

0.405

0.309

0.544

0.103

0.446

0.340

0.598

総量

R thCH

ケースからヒートシンクへの（per T1,T4 IGBT)

ケースからヒートシンク (D1,D4毎に) ダイオード)

ケースからヒートシンクへの（per T2,T3 IGBT)

ケースからヒートシンク (D2,D3毎に) ダイオード)

ケースからヒートシンクへの（per モジュール)

0.126

0.547

0.417

0.733

0.037

総量

F

クラムごとの取り付け力

40

80

N

G

重量 の モジュール

39

g