GD200TLQ120L3S,IGBTモジュール,3-level,STARPOWER

シンボル

説明

バリュー

単位

V CES

集合器-放出器の電圧

1200

V

V 総エネルギー

ゲート・エミッター・ボルト

±20

V

IC

コレクタ電流 @ T C=25o C

@ T C= 100o C

339

200

A

ICm

パルスコレクター電流 t p = 1ミリ秒

400

A

PD

最大電源 消耗 @ T j =175o C

1456

W

シンボル

説明

価値

単位

V RRM

繰り返しのピーク逆電圧

1200

V

IF

ダイオード 連続前向き 賃貸

75

A

IFm

ダイオード最大順方向電流 t p = 1ミリ秒

150

A

シンボル

説明

価値

単位

V CES

集合器-放出器の電圧

650

V

V 総エネルギー

ゲート・エミッター・ボルト

±20

V

IC

コレクタ電流 @ T C=25o C

@ T C=95o C

158

100

A

ICm

パルスコレクター電流 t p = 1ミリ秒

200

A

PD

最大電源 消耗 @ T j =175o C

441

W

シンボル

説明

価値

単位

V RRM

繰り返しのピーク逆電圧

650

V

IF

ダイオード 連続前向き 賃貸

100

A

IFm

ダイオード最大順方向電流 t p = 1ミリ秒

200

A

シンボル

説明

価値

単位

T jmax

交差点最大温度

175

o C

T ショウジョウ

交差点の動作温度

-40から+150

o C

T STG

保管温度 航続距離

-40から+125

o C

V ISO

絶縁電圧RMS,f=50Hz,t=1 分

2500

V

シンボル

仕様

試験条件

分。

タイプする

マックス。

単位

V 衛星

収集機から発信機へ

飽和電圧

IC= 100A,V 遺伝子組み換え = 15V T j =25o C

1.40

1.85

V

IC= 100A,V 遺伝子組み換え = 15V T j =125o C

1.65

IC= 100A,V 遺伝子組み換え = 15V T j =150o C

1.70

V 遺伝子組み換え (th)

ゲート発信者の限界値 電圧

IC=5.0mA ,V CE =V 遺伝子組み換え , T j =25o C

5.2

6.0

6.8

V

ICES

収集家 切断 —オフ

現在の

V CE =V CES ,V 遺伝子組み換え =0V

T j =25o C

1.0

mA

I総エネルギー

ゲート発射器の漏れ 現在の

V 遺伝子組み換え =V 総エネルギー ,V CE =0V T j =25o C

400

nA

バー ゲント

内部ゲート抵抗 アンス

3.8

ω

Cies

入力容量

V CE 電気回路が1Mhzで

V 遺伝子組み換え =0V

20.7

ロープ

Cres

逆転移転

容量

0.58

ロープ

QG

ゲートチャージ

V 遺伝子組み換え =- 15...+15V

1.56

微分

t d (オン )

オンする遅延時間

V CC =400V、I C= 100A, バー G= 1. 1Ω、V 遺伝子組み換え =±15V T j =25o C

142

nS

t バー

昇る時間

25

nS

t d (オフ )

切断する 遅延時間

352

nS

t f

秋の時間

33

nS

Eオン

オン スイッチング

損失

1.21

mJ

Eオフ

切断する

損失

3.90

mJ

t d (オン )

オンする遅延時間

V CC =400V、I C= 100A, バー G= 1. 1Ω、V 遺伝子組み換え =±15V T j = 125o C

155

nS

t バー

昇る時間

29

nS

t d (オフ )

切断する 遅延時間

440

nS

t f

秋の時間

61

nS

Eオン

オン スイッチング

損失

2.02

mJ

Eオフ

切断する

損失

5.83

mJ

t d (オン )

オンする遅延時間

V CC =400V、I C= 100A, バー G= 1. 1Ω、V 遺伝子組み換え =±15V T j = 150o C

161

nS

t バー

昇る時間

30

nS

t d (オフ )

切断する 遅延時間

462

nS

t f

秋の時間

66

nS

Eオン

オン スイッチング

損失

2.24

mJ

Eオフ

切断する

損失

6.49

mJ

ISC

SC データ

t P≤10μs,V 遺伝子組み換え =15V

T j =150o C,V CC =800V V 単数 ≤1200V

800

A

シンボル

仕様

試験条件

分。

タイプする

マックス。

単位

V F

ダイオード 前向き

電圧

IF =75A,V 遺伝子組み換え =0V,T j =25o C

1.70

2.15

V

IF =75A,V 遺伝子組み換え =0V,T j = 125o C

1.65

IF =75A,V 遺伝子組み換え =0V,T j = 150o C

1.65

Qバー

回収された電荷

V バー =400V、I F =75A,

-di/dt=3500A/μs、V 遺伝子組み換え =- 15V T j =25o C

8.7

微分

Iロープ

ピーク逆

回復電流

122

A

Eレス

逆転回復 エネルギー容量

2.91

mJ

Qバー

回収された電荷

V バー =400V、I F =75A,

-di/dt=3500A/μs、V 遺伝子組み換え =- 15V T j = 125o C

17.2

微分

Iロープ

ピーク逆

回復電流

143

A

Eレス

逆転回復 エネルギー容量

5.72

mJ

Qバー

回収された電荷

V バー =400V、I F =75A,

-di/dt=3500A/μs、V 遺伝子組み換え =- 15V T j = 150o C

19.4

微分

Iロープ

ピーク逆

回復電流

152

A

Eレス

逆転回復 エネルギー容量

6.30

mJ

シンボル

仕様

試験条件

分。

タイプする

マックス。

単位

V 衛星

収集機から発信機へ

飽和電圧

IC= 100A,V 遺伝子組み換え = 15V T j =25o C

1.45

1.90

V

IC= 100A,V 遺伝子組み換え = 15V T j =125o C

1.60

IC= 100A,V 遺伝子組み換え = 15V T j =150o C

1.70

V 遺伝子組み換え (th)

ゲート発信者の限界値 電圧

IC= 1.60mA、V CE =V 遺伝子組み換え , T j =25o C

5.0

5.8

6.5

V

ICES

収集家 切断 —オフ

現在の

V CE =V CES ,V 遺伝子組み換え =0V

T j =25o C

1.0

mA

I総エネルギー

ゲート発射器の漏れ 現在の

V 遺伝子組み換え =V 総エネルギー ,V CE =0V T j =25o C

400

nA

バー ゲント

内部ゲート抵抗 アンス

2.0

ω

Cies

入力容量

V CE 電気回路が1Mhzで

V 遺伝子組み換え =0V

11.6

ロープ

Cres

逆転移転

容量

0.23

ロープ

QG

ゲートチャージ

V 遺伝子組み換え =- 15...+15V

0.69

微分

t d (オン )

オンする遅延時間

V CC =400V、I C= 100A, バー G=3.3Ω,V 遺伝子組み換え =±15V T j =25o C

44

nS

t バー

昇る時間

20

nS

t d (オフ )

切断する 遅延時間

200

nS

t f

秋の時間

28

nS

Eオン

オン スイッチング

損失

1.48

mJ

Eオフ

切断する

損失

2.48

mJ

t d (オン )

オンする遅延時間

V CC =400V、I C= 100A, バー G=3.3Ω,V 遺伝子組み換え =±15V T j = 125o C

48

nS

t バー

昇る時間

24

nS

t d (オフ )

切断する 遅延時間

216

nS

t f

秋の時間

40

nS

Eオン

オン スイッチング

損失

2.24

mJ

Eオフ

切断する

損失

3.28

mJ

t d (オン )

オンする遅延時間

V CC =400V、I C= 100A, バー G=3.3Ω,V 遺伝子組み換え =±15V T j = 150o C

52

nS

t バー

昇る時間

24

nS

t d (オフ )

切断する 遅延時間

224

nS

t f

秋の時間

48

nS

Eオン

オン スイッチング

損失

2.64

mJ

Eオフ

切断する

損失

3.68

mJ

ISC

SC データ

t P≤6μs,V 遺伝子組み換え = 15V

T j =150o C,V CC =360V V 単数 ≤650V

500

A

シンボル

仕様

試験条件

分。

タイプする

マックス。

単位

V F

ダイオード 前向き

電圧

IF = 100A,V 遺伝子組み換え =0V,T j =25o C

1.55

2.00

V

IF = 100A,V 遺伝子組み換え =0V,T j = 125o C

1.50

IF = 100A,V 遺伝子組み換え =0V,T j = 150o C

1.45

Qバー

回収された電荷

V バー =400V、I F = 100A,

-di/dt=4070A/μs、V 遺伝子組み換え =- 15V T j =25o C

3.57

微分

Iロープ

ピーク逆

回復電流

99

A

Eレス

逆転回復 エネルギー容量

1.04

mJ

Qバー

回収された電荷

V バー =400V、I F = 100A,

-di/dt=4070A/μs、V 遺伝子組み換え =- 15V T j = 125o C

6.49

微分

Iロープ

ピーク逆

回復電流

110

A

Eレス

逆転回復 エネルギー容量

1.70

mJ

Qバー

回収された電荷

V バー =400V、I F = 100A,

-di/dt=4070A/μs、V 遺伝子組み換え =- 15V T j = 150o C

7.04

微分

Iロープ

ピーク逆

回復電流

110

A

Eレス

逆転回復 エネルギー容量

1.81

mJ

シンボル

仕様

試験条件

分。

タイプする

マックス。

単位

バー 25

定数抵抗

5.0

kΩ

δR/R

偏差 の バー 100

T C= 100 o C,R 100=493.3Ω

-5

5

%

P25

電力

散熱

20.0

mW

B 25/50

B値

バー 2=R 25経験 [B 25/501/T 2—

半角形から

3375

K

B 25/80

B値

バー 2=R 25経験 [B 25/801/T 2—

半角形から

3411

K

B 25/100

B値

バー 2=R 25経験 [B 25/1001/T 2—

半角形から

3433

K

シンボル

仕様

分。

タイプする

マックス。

単位

バー thJC

交差点からケース (T1あたり) T4 IGBT)

接合部からケースまで（D1、D4ダイオードごと） de) について

接合部からケースまで（T2ごと） T3 IGBT)

接合部からケース (D2,D3 ダイオード毎に) de) について

0.094

0.405

0.309

0.544

0.103

0.446

0.340

0.598

総量

バー thCH

ケースからヒートシンクへの（per T1,T4 IGBT)

ケースからヒートシンク (D1,D4毎に) ダイオード)

ケースからヒートシンクへの（per T2,T3 IGBT)

ケースからヒートシンク (D2,D3毎に) ダイオード)

ケースからヒートシンクへの（per モジュール)

0.126

0.547

0.417

0.733

0.037

総量

F

クラムごとの取り付け力

40

80

N

G

重量 の モジュール

39

g