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簡単な紹介
IGBT モジュール 、STARPOWERによって製造。 1200V 200A. 本当
特徴
典型的な用途
絶対値 最大 レーティング T C =25 °C しない限り 違うなら 記載
シンボル |
説明 |
GD200SGU120C2S |
ユニット |
V CES |
集合器-放出器の電圧 |
1200 |
V |
V 総エネルギー |
ゲート・エミッター・ボルト |
±20 |
V |
わかった C |
コレクタ電流 @ T C =25 °C @ T C =80 について °C |
320 200 |
A |
わかった Cm |
パルスコレクター電流 t p =1 ms |
400 |
A |
わかった F |
ダイオード 連続前流 @ T C =80 について °C |
200 |
A |
わかった Fm |
ダイオード最大順方向電流 t p =1ms |
400 |
A |
P D |
最大電源 消耗 @ T j =1 50°C |
1645 |
W について |
T jmax |
交差点最大温度 |
150 |
°C |
T STG |
保管温度 航続距離 |
-40から+125 |
°C |
V ISO |
絶縁電圧RMS,f=50Hz,t=1 ほんの少し |
4000 |
V |
マウント 扭力 |
信号ターミナル スクリュー:M4 |
1.1 から 2.0 |
|
電力端末スクリュー:M6 |
2.5から 5.0 |
N.M<br> |
|
固定螺栓:M6 |
平均的な 5.0 |
|
電気 特徴 の IGBT T C =25 °C しない限り 違うなら 記載
特徴から外れている
シンボル |
パラメータ |
試験条件 |
分。 |
タイプする |
マックス。 |
ユニット |
V (BR )CES |
収集-発信 突入電圧 |
T j =25 °C |
1200 |
|
|
V |
わかった CES |
収集家 カット -オフ 現在 |
V CE = V CES ,V 遺伝子組み換え =0V T j =25 °C |
|
|
5.0 |
mA |
わかった 総エネルギー |
ゲート発射器の漏れ 現在 |
V 遺伝子組み換え = V 総エネルギー ,V CE =0V T j =25 °C |
|
|
400 |
nA |
特徴について
シンボル |
パラメータ |
試験条件 |
分。 |
タイプする |
マックス。 |
ユニット |
V 遺伝子組み換え (tH ) |
ゲート発信者の限界値 圧力は |
わかった C =2.0 mA ,V CE = V 遺伝子組み換え , T j =25 °C |
4.4 |
4.9 |
6.0 |
V |
|
V 衛星 |
収集機から発信機へ 飽和電圧 |
わかった C =200A、V 遺伝子組み換え =15V T j =25 °C |
|
3.10 |
3.55 |
V |
わかった C =200A、V 遺伝子組み換え =15V T j =125 について °C |
|
3.45 |
|
変形する特性
シンボル |
パラメータ |
試験条件 |
分。 |
タイプする |
マックス。 |
ユニット |
t d (on ) |
オンする遅延時間 |
V CC =600V,I C =200A, R G 電気の電圧が 遺伝子組み換え =±15V T j =25 °C |
|
577 |
|
nS |
t r |
昇る時間 |
|
120 |
|
nS |
|
t d (オフ ) |
切断する 遅延時間 |
|
540 |
|
nS |
|
t f |
秋の時間 |
|
123 |
|
nS |
|
E on |
オン スイッチング 損失 |
|
16.3 |
|
mJ |
|
E オフ |
切断する 損失 |
|
12.0 |
|
mJ |
|
t d (on ) |
オンする遅延時間 |
V CC =600V,I C =200A, R G 電気の電圧が 遺伝子組み換え =±15V T j =125 について °C |
|
609 |
|
nS |
t r |
昇る時間 |
|
121 |
|
nS |
|
t d (オフ ) |
切断する 遅延時間 |
|
574 |
|
nS |
|
t f |
秋の時間 |
|
132 |
|
nS |
|
E on |
オン スイッチング 損失 |
|
22.0 |
|
mJ |
|
E オフ |
切断する 損失 |
|
16.2 |
|
mJ |
|
C ies |
入力容量 |
V CE =30V,f=1MHz, V 遺伝子組み換え =0V |
|
16.9 |
|
ロープ |
C オーエス |
輸出容量 |
|
1.51 |
|
ロープ |
|
C res |
逆転移転 容量 |
|
0.61 |
|
ロープ |
|
|
わかった SC |
SC データ |
t P ≤10μs,V 遺伝子組み換え =15 V, T j =125 について °C V CC =900V V 単数 ≤1200V |
|
1800 |
|
A |
L CE |
流れる誘導力 |
|
|
|
20 |
nH |
|
R CC+EE |
模板リード 抵抗力 ターミナルからチップへ |
|
|
0.18 |
|
mΩ |
電気 特徴 の ダイオード T C =25 °C しない限り 違うなら 記載
シンボル |
パラメータ |
試験条件 |
分。 |
タイプする |
マックス。 |
ユニット |
|
V F |
ダイオード 前向き 圧力は |
わかった F =200A |
T j =25 °C |
|
1.82 |
2.25 |
V |
T j =125 について °C |
|
1.92 |
|
||||
Q r |
回復した 充電 |
わかった F =200A, V R =600V R G =4.7Ω V 遺伝子組み換え =15V |
T j =25 °C |
|
13.1 |
|
微分 |
T j =125 について °C |
|
26.1 |
|
||||
わかった ロープ |
ピーク逆 回復電流 |
T j =25 °C |
|
123 |
|
A |
|
T j =125 について °C |
|
172 |
|
||||
E レス |
逆転回復 エネルギー |
T j =25 °C |
|
7.0 |
|
mJ |
|
T j =125 について °C |
|
12.9 |
|
||||
熱特性 ics
シンボル |
パラメータ |
タイプする |
マックス。 |
ユニット |
R θ JC さん |
ケース対ケース (IGBごとに) T) について |
|
0.076 |
総量 |
R θ JC さん |
交差点 (Dあたり) ヨード) |
|
0.128 |
総量 |
R θ CS |
ケースからシンク (電導性油脂の適用) 嘘) |
0.035 |
|
総量 |
重量 |
重量 モジュール |
300 |
|
g |
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