GD150PIY120C6SN,IGBT モジュール,STARPOWER

シンボル

説明

バリュー

単位

V CES

集合器-放出器の電圧

1200

V

V 総エネルギー

ゲート・エミッター・ボルト

±20

V

IC

コレクタ電流 @ T C=25o C @ T C=100o C

292

150

A

ICm

パルスコレクター電流 t p =1ms

300

A

PD

最大電源 消耗 @ T j =175o C

1111

W

シンボル

説明

バリュー

単位

V RRM

繰り返しのピーク リバース・ボルト 年齢

1200

V

IF

ダイオード 連続前向きCu rrent

150

A

IFm

ダイオード最大順方向電流 t p =1ms

300

A

シンボル

説明

価値

単位

V RRM

繰り返しのピーク リバース・ボルト 年齢

1600

V

IO

平均出力電流 5 0Hz／60Hz、正弦波

150

A

IFSM

サージ前方電流 t p =10ms @ T j =25o C @ T j =150o C

1600

1400

A

I2t

I2t値,t p =10ms @ T j =25o C @ T j =150o C

13000

9800

A2秒

シンボル

説明

価値

単位

V CES

集合器-放出器の電圧

1200

V

V 総エネルギー

ゲート・エミッター・ボルト

±20

V

IC

コレクタ電流 @ T C=25o C @ T C=100o C

200

100

A

ICm

パルスコレクター電流 t p =1ms

200

A

PD

最大電源 消耗 @ T j =175o C

833

W

シンボル

説明

価値

単位

V RRM

繰り返しのピーク リバース・ボルト 年齢

1200

V

IF

ダイオード 連続前向きCu rrent

50

A

IFm

ダイオード最大順方向電流 t p =1ms

100

A

シンボル

説明

価値

単位

T jmax

最大接合温度（インバータ、ブレーキ） 最大接合部温度（整流器）

175

150

o C

T ショウジョウ

交差点の動作温度

-40から+150

o C

T STG

保管温度範囲

-40から+125

o C

V ISO

絶縁電圧 RMS,f=50Hz,t =1分

2500

V

シンボル

仕様

試験条件

分。

タイプする

マックス。

単位

V 衛星

収集機から発信機へ 飽和電圧

IC=150A,V 遺伝子組み換え =15V T j =25o C

1.70

2.15

V

IC=150A,V 遺伝子組み換え =15V T j =125o C

1.95

IC=150A,V 遺伝子組み換え =15V T j =150o C

2.00

V 遺伝子組み換え (th)

ゲート発信者の限界値 電圧

IC=6.00mA ,V CE =V 遺伝子組み換え , T j =25o C

5.6

6.2

6.8

V

ICES

収集家 切断 —オフ 現在の

V CE =V CES ,V 遺伝子組み換え =0V T j =25o C

1.0

mA

I総エネルギー

ゲート発射器の漏れ 現在の

V 遺伝子組み換え =V 総エネルギー ,V CE =0V T j =25o C

400

nA

バー ゲント

内部ゲート抵抗 アンス

2.0

ω

Cies

入力容量

V CE 電気回路が1Mhzで V 遺伝子組み換え =0V

15.5

ロープ

Cres

逆転移転 容量

0.44

ロープ

QG

ゲートチャージ

V 遺伝子組み換え =-15 ...+15V

1.17

微分

t d (オン )

オンする遅延時間

V CC =600V,I C=150A, バー G=1. 1Ω、V 遺伝子組み換え =±15V T j =25o C

96

nS

t バー

昇る時間

30

nS

t 消して

切断する 遅延時間

255

nS

t f

秋の時間

269

nS

Eオン

オン スイッチング 損失

8.59

mJ

Eオフ

切断する 損失

12.3

mJ

t d (オン )

オンする遅延時間

V CC =600V,I C=150A, バー G=1. 1Ω、V 遺伝子組み換え =±15V T j =125o C

117

nS

t バー

昇る時間

37

nS

t 消して

切断する 遅延時間

307

nS

t f

秋の時間

371

nS

Eオン

オン スイッチング 損失

13.2

mJ

Eオフ

切断する 損失

16.8

mJ

t d (オン )

オンする遅延時間

V CC =600V,I C=150A, バー G=1. 1Ω、V 遺伝子組み換え =±15V T j =150o C

122

nS

t バー

昇る時間

38

nS

t 消して

切断する 遅延時間

315

nS

t f

秋の時間

425

nS

Eオン

オン スイッチング 損失

14.8

mJ

Eオフ

切断する 損失

18.1

mJ

ISC

SC データ

t P≤10μs V 遺伝子組み換え =15V

T j =150o C,V CC =900V V 単数 ≤1200V

600

A

シンボル

仕様

試験条件

分。

タイプする

マックス。

ユニット

V F

ダイオード 前向き 電圧

IF =150A,V 遺伝子組み換え =0V,T j =25o C

1.85

2.25

V

IF =150A,V 遺伝子組み換え =0V,T j =125o C

1.90

IF =150A,V 遺伝子組み換え =0V,T j =150o C

1.95

Qバー

回収された電荷

V バー =600V,I F =150A,

-di/dt=4750A/μs,V 遺伝子組み換え =15V T j =25o C

8.62

微分

Iロープ

ピーク逆

回復電流

177

A

Eレス

逆転回復 エネルギー容量

5.68

mJ

Qバー

回収された電荷

V バー =600V,I F =150A,

-di/dt=3950A/μs,V 遺伝子組み換え =15V T j =125o C

16.7

微分

Iロープ

ピーク逆

回復電流

191

A

Eレス

逆転回復 エネルギー容量

10.2

mJ

Qバー

回収された電荷

V バー =600V,I F =150A,

-di/dt=3750A/μs,V 遺伝子組み換え =15V T j =150o C

19.4

微分

Iロープ

ピーク逆

回復電流

196

A

Eレス

逆転回復 エネルギー容量

12.1

mJ

シンボル

仕様

試験条件

分。

タイプする

マックス。

単位

V F

ダイオード 前向き 電圧

IC=150A, T j =150o C

1.00

V

Iバー

逆電流

T j =150o C,V バー =1600V

3.0

mA

シンボル

仕様

試験条件

分。

タイプする

マックス。

単位

V 衛星

収集機から発信機へ 飽和電圧

IC=100A,V 遺伝子組み換え =15V T j =25o C

1.70

2.15

V

IC=100A,V 遺伝子組み換え =15V T j =125o C

1.95

IC=100A,V 遺伝子組み換え =15V T j =150o C

2.00

V 遺伝子組み換え (th)

ゲート発信者の限界値 電圧

IC=4.00mA ,V CE =V 遺伝子組み換え , T j =25o C

5.6

6.2

6.8

V

ICES

収集家 切断 —オフ 現在の

V CE =V CES ,V 遺伝子組み換え =0V T j =25o C

1.0

mA

I総エネルギー

ゲート発射器の漏れ 現在の

V 遺伝子組み換え =V 総エネルギー ,V CE =0V T j =25o C

400

nA

バー ゲント

内部ゲート抵抗 アンス

7.5

ω

Cies

入力容量

V CE 電気回路が1Mhzで V 遺伝子組み換え =0V

10.4

ロープ

Cres

逆転移転 容量

0.29

ロープ

QG

ゲートチャージ

V 遺伝子組み換え =-15 ...+15V

0.08

微分

t d (オン )

オンする遅延時間

V CC =600V,I C=100A, バー G=1.6Ω,V 遺伝子組み換え =±15V T j =25o C

170

nS

t バー

昇る時間

32

nS

t 消して

切断する 遅延時間

360

nS

t f

秋の時間

86

nS

Eオン

オン スイッチング 損失

5.90

mJ

Eオフ

切断する 損失

6.05

mJ

t d (オン )

オンする遅延時間

V CC =600V,I C=100A, バー G=1.6Ω,V 遺伝子組み換え =±15V T j =125o C

180

nS

t バー

昇る時間

42

nS

t 消して

切断する 遅延時間

470

nS

t f

秋の時間

165

nS

Eオン

オン スイッチング 損失

9.10

mJ

Eオフ

切断する 損失

9.35

mJ

t d (オン )

オンする遅延時間

V CC =600V,I C=100A, バー G=1.6Ω,V 遺伝子組み換え =±15V T j =150o C

181

nS

t バー

昇る時間

43

nS

t 消して

切断する 遅延時間

480

nS

t f

秋の時間

186

nS

Eオン

オン スイッチング 損失

10.0

mJ

Eオフ

切断する 損失

10.5

mJ

ISC

SC データ

t P≤10μs V 遺伝子組み換え =15V

T j =150o C,V CC =900V V 単数 ≤1200V

400

A

シンボル

仕様

試験条件

分。

タイプする

マックス。

単位

V F

ダイオード 前向き 電圧

IF =50A,V 遺伝子組み換え =0V,T j =25o C

1.85

2.30

V

IF =50A,V 遺伝子組み換え =0V,T j =125o C

1.90

IF =50A,V 遺伝子組み換え =0V,T j =150o C

1.95

Qバー

回収された電荷

V バー =600V,I F =50A,

-di/dt=1400A/μs,V 遺伝子組み換え =15V T j =25o C

6.3

微分

Iロープ

ピーク逆

回復電流

62

A

Eレス

逆転回復 エネルギー容量

1.67

mJ

Qバー

回収された電荷

V バー =600V,I F =50A,

-di/dt=1400A/μs,V 遺伝子組み換え =15V T j =125o C

10.1

微分

Iロープ

ピーク逆

回復電流

69

A

Eレス

逆転回復 エネルギー容量

2.94

mJ

Qバー

回収された電荷

V バー =600V,I F =50A,

-di/dt=1400A/μs,V 遺伝子組み換え =15V T j =150o C

11.5

微分

Iロープ

ピーク逆

回復電流

72

A

Eレス

逆転回復 エネルギー容量

3.63

mJ

シンボル

仕様

試験条件

分。

タイプする

マックス。

単位

バー 25

定数抵抗

5.0

kΩ

∆R/R

偏差 の バー 100

T C=100 o Cロープ 100=493.3Ω

-5

5

%

P25

電力

散熱

20.0

mW

B 25/50

B値

バー 2=R 25経験 [B 25/501/T 2— 半角形から

3375

K

B 25/80

B値

バー 2=R 25経験 [B 25/801/T 2— 半角形から

3411

K

B 25/100

B値

バー 2=R 25経験 [B 25/1001/T 2— 半角形から

3433

K

シンボル

仕様

分。

タイプする

マックス。

単位

LCE

流れる誘導力

40

nH

バー CC+EE バー AA ’+CC ’

モジュールリードレジスタ nce、ターミナルからチップ

4.00 3.00

mΩ

バー thJC

接合 —～ —事例 (perIGBT —インバーター ) 接合部-ケース (ダイオードインバータごと ） 接合部からケースまで（ダイオードごと） 整流用 接合 —～ —事例 (perIGBT —ブレーキ )

结-ケース（ダイオードごと） ブレーキ

0.135 0.300 0.238 0.180 0.472

総量

バー thCH

事例 —～ —熱シンク (perIGBT —インバーター )ケースからヒートシンクまで（ダイオードごと） インバータ用 ケースからヒートシンクまで（ダイオードごと） 整流用 事例 —～ —熱シンク (perIGBT —ブレーキ )

ケース-ヒートシンク（ダイオードごと） ブレーキ ケースからヒートシンクへの（per モジュール)

0.118 0.263 0.208 0.158 0.413 0.009

総量

分

固定トーク ネジ:M5

3.0

6.0

N.M<br>