GD100HFX170C1S,IGBTモジュール,STARPOWER

シンボル

説明

価値

単位

V CES

集合器-放出器の電圧

1700

V

V 総エネルギー

ゲート・エミッター・ボルト

±20

V

IC

コレクタ電流 @ T C=25o C @ T C=100o C

173

112

A

ICm

パルスコレクター電流 t p =1ms

200

A

PD

最大の 電力 散熱 @ T vj =175o C

666

W

シンボル

説明

価値

単位

V RRM

繰り返しのピーク リバース・ボルト 年齢

1700

V

IF

ダイオード 連続前向きCu rrent

100

A

IFm

ダイオード最大順方向電流 t p =1ms

200

A

シンボル

説明

価値

単位

T vjmax

交差点最大温度

175

o C

T バイト

交差点の動作温度

-40から+150

o C

T STG

保管温度範囲

-40から+125

o C

V ISO

絶縁電圧 RMS,f=50Hz,t= 1分前

4000

V

シンボル

仕様

試験条件

分。

タイプする

マックス。

単位

V 衛星

収集機から発信機へ 飽和電圧

IC=100A,V 遺伝子組み換え =15V T vj =25o C

1.85

2.20

V

IC=100A,V 遺伝子組み換え =15V T vj =125o C

2.25

IC=100A,V 遺伝子組み換え =15V T vj =150o C

2.35

V 遺伝子組み換え (th)

ゲート発信者の限界値 電圧

IC=4.0mA ,V CE =V 遺伝子組み換え , T vj =25o C

5.6

6.2

6.8

V

ICES

収集家 切断 —オフ 現在の

V CE =V CES ,V 遺伝子組み換え =0V T vj =25o C

5.0

mA

I総エネルギー

ゲート発射器の漏れ 現在の

V 遺伝子組み換え =V 総エネルギー ,V CE =0V T vj =25o C

400

nA

バー ゲント

内部ゲート抵抗

7.5

ω

Cies

入力容量

V CE 電気回路が1Mhzで V 遺伝子組み換え =0V

12.0

ロープ

Cres

逆転移転 容量

0.29

ロープ

QG

ゲートチャージ

V 遺伝子組み換え =-15...+15V

0.94

微分

t d (オン )

オンする遅延時間

V CC =900V,I C=100A, バー G電気の電圧が 遺伝子組み換え =±15V Ls=60nH,

T vj =25o C

272

nS

t バー

昇る時間

55

nS

t 消して

切断する 遅延時間

369

nS

t f

秋の時間

389

nS

Eオン

オン スイッチング 損失

28.2

mJ

Eオフ

切断する 損失

16.4

mJ

t d (オン )

オンする遅延時間

V CC =900V,I C=100A, バー G電気の電圧が 遺伝子組み換え =±15V Ls=60nH,

T vj =125o C

296

nS

t バー

昇る時間

66

nS

t 消して

切断する 遅延時間

448

nS

t f

秋の時間

576

nS

Eオン

オン スイッチング 損失

40.1

mJ

Eオフ

切断する 損失

24.1

mJ

t d (オン )

オンする遅延時間

V CC =900V,I C=100A, バー G電気の電圧が 遺伝子組み換え =±15V Ls=60nH,

T vj =150o C

302

nS

t バー

昇る時間

69

nS

t 消して

切断する 遅延時間

463

nS

t f

秋の時間

607

nS

Eオン

オン スイッチング 損失

43.9

mJ

Eオフ

切断する 損失

25.7

mJ

ISC

SC データ

t P≤10μs V 遺伝子組み換え =15V

T vj =150o C,V CC =1000V

V 単数 ≤1700V

400

A

シンボル

仕様

試験条件

分。

タイプする

マックス。

単位

V F

ダイオード 前向き 電圧

IF =100A,V 遺伝子組み換え =0V,T vj =25o C

1.80

2.25

V

IF =100A,V 遺伝子組み換え =0V,T vj =125o C

1.90

IF =100A,V 遺伝子組み換え =0V,T vj =150o C

1.95

Qバー

回収された電荷

V バー =900V,I F =100A,

-di/dt=1290A/μs,V 遺伝子組み換え =15V Ls=60nH,

T vj =25o C

23.5

微分

Iロープ

ピーク逆

回復電流

85

A

Eレス

逆転回復 エネルギー容量

11.5

mJ

Qバー

回収された電荷

V バー =900V,I F =100A,

-di/dt=1020A/μs,V 遺伝子組み換え =15V Ls=60nH,

T vj =125o C

36.6

微分

Iロープ

ピーク逆

回復電流

88

A

Eレス

逆転回復 エネルギー容量

18.1

mJ

Qバー

回収された電荷

V バー =900V,I F =100A,

-di/dt=960A/μs,V 遺伝子組み換え =15V Ls=60nH,

T vj =150o C

46.2

微分

Iロープ

ピーク逆

回復電流

91

A

Eレス

逆転回復 エネルギー容量

24.6

mJ

シンボル

仕様

分。

タイプする

マックス。

単位

LCE

流れる誘導力

30

nH

バー CC+EE

モジュール鉛抵抗 ターミナルからチップへ

0.65

mΩ

バー thJC

接合 —～ —事例 (perIGBT ) 交差点 (Dあたり) ヨード)

0.225 0.391

総量

バー thCH

事例 —～ —熱シンク (perIGBT )ケースからヒートシンクへの（p er ダイオード） ケースからヒートシンクへの（per モジュール)

0.158 0.274 0.050

総量

分

端末接続トーク スクロール M5 固定トーク 六角ボルトM6

2.5 3.0

5.0 5.0

N.M<br>

G

重量 の モジュール

150

g