GD100HCX170C6SA,IGBTモジュール,STARPOWER

シンボル

説明

価値

ユニット

V CES

集合器-放出器の電圧

1700

V

V 総エネルギー

ゲート・エミッター・ボルト

±20

V

わかった C

コレクタ電流 @ T C =25 o C @ T C =100 o C

196

100

A

わかった Cm

パルスコレクター電流 t p =1ms

200

A

P D

最大電源 消耗 @ T vj =175 o C

815

W について

シンボル

説明

価値

ユニット

V RRM

繰り返しのピーク リバース・ボルト 年齢

1700

V

わかった F

ダイオード 連続前向きCu rrent

100

A

わかった Fm

ダイオード最大順方向電流 t p =1ms

200

A

シンボル

説明

価値

ユニット

T vjmax

交差点最大温度

175

o C

T バイト

交差点の動作温度

-40から+150

o C

T STG

保管温度範囲

-40から+125

o C

V ISO

絶縁電圧 RMS,f=50Hz,t= 1分前

4000

V

シンボル

パラメータ

試験条件

分。

タイプする

マックス。

ユニット

V 衛星

収集機から発信機へ 飽和電圧

わかった C =100A,V 遺伝子組み換え =15V T vj =25 o C

1.85

2.20

V

わかった C =100A,V 遺伝子組み換え =15V T vj =125 について o C

2.25

わかった C =100A,V 遺伝子組み換え =15V T vj =150 について o C

2.35

V 遺伝子組み換え (tH )

ゲート発信者の限界値 圧力は

わかった C =4.00 mA ,V CE = V 遺伝子組み換え , T vj =25 o C

5.6

6.2

6.8

V

わかった CES

収集家 カット -オフ 現在

V CE = V CES ,V 遺伝子組み換え =0V T vj =25 o C

5.0

mA

わかった 総エネルギー

ゲート発射器の漏れ 現在

V 遺伝子組み換え = V 総エネルギー ,V CE =0V T vj =25 o C

400

nA

R ゲント

内部ゲート抵抗

7.5

ω

C ies

入力容量

V CE 電気回路が1Mhzで V 遺伝子組み換え =0V

12.0

ロープ

C res

逆転移転 容量

0.29

ロープ

Q G

ゲートチャージ

V 遺伝子組み換え =-15 ...+15V

0.94

微分

t d (on )

オンする遅延時間

V CC =900V,I C =100A, R G =1.0Ω,V 遺伝子組み換え =±15V LS =52 nH ,T vj =25 o C

196

nS

t r

昇る時間

44

nS

t 消して

切断する 遅延時間

298

nS

t f

秋の時間

367

nS

E on

オン スイッチング 損失

26.4

mJ

E オフ

切断する 損失

14.7

mJ

t d (on )

オンする遅延時間

V CC =900V,I C =100A, R G =1.0Ω,V 遺伝子組み換え =±15V LS =52 nH ,T vj =125 について o C

217

nS

t r

昇る時間

53

nS

t 消して

切断する 遅延時間

361

nS

t f

秋の時間

516

nS

E on

オン スイッチング 損失

36.0

mJ

E オフ

切断する 損失

21.0

mJ

t d (on )

オンする遅延時間

V CC =900V,I C =100A, R G =1.0Ω,V 遺伝子組み換え =±15V LS =52 nH ,T vj =150 について o C

223

nS

t r

昇る時間

56

nS

t 消して

切断する 遅延時間

374

nS

t f

秋の時間

551

nS

E on

オン スイッチング 損失

39.1

mJ

E オフ

切断する 損失

22.4

mJ

わかった SC

SC データ

t P ≤10μs V 遺伝子組み換え =15V

T vj =150 について o C,V CC =1000V,

V 単数 ≤1700V

400

A

シンボル

パラメータ

分。

タイプする

マックス。

ユニット

L CE

流れる誘導力

20

nH

R CC+EE

モジュール鉛抵抗 ターミナルからチップへ

1.10

mΩ

R thJC

接合 -〜に至るまで -事例 (perIGBT ) ケースへの接点 (DIあたり) オーデ)

0.184 0.274

総量

R thCH

ケースからヒートシンクへの（per IGBT) ケースからヒートシンク (pe) ダイオード) ケースからヒートシンク (Mあたり) 臭い)

0.060 0.090 0.009

総量

M

端末接続トーク 六角ボルトM6 固定トーク スクロール M5

3.0 3.0

6.0 6.0

N.M<br>

G

重量 の モジュール

350

g