GD1000HFA120C6S_B39、IGBTモジュール、STARPOWER

シンボル

説明

バリュー

ユニット

V CES

集合器-放出器の電圧

1200

V

V 総エネルギー

ゲート・エミッター・ボルト

±20

V

わかった CN

実装されたコレクター Cu rrent

1000

A について

わかった C

コレクタ電流 @ T F =75 o C

765

A について

わかった CRM

繰り返す 頂点 収集家 現在 tp 限定された by T バイト

2000

A について

P D

最大電力損失 する @ T F =75 o C ,T j =175 o C

1515

W について

シンボル

説明

バリュー

ユニット

V RRM

繰り返しのピーク リバース・ボルト 年齢

1200

V

わかった FN

実装されたコレクター Cu rrent

1000

A について

わかった F

ダイオード 連続前向きCu rrent

765

A について

わかった FRM

繰り返す 頂点 フォワード 現在 tp 限定された by T バイト

2000

A について

わかった FSM

サージ前方電流 t p =10ms @ T vj = 25o C @ T vj =150 について o C

4100

3000

A について

わかった 2t

わかった 2t- 価値 ,t p =10 ms @ T vj =25 o C @ T vj =150 について o C

84000

45000

A について 2s

シンボル

説明

価値

ユニット

T jmax

交差点最大温度

175

o C

T バイト

交差点の動作温度

-40から+150

o C

T STG

保管温度範囲

-40から+125

o C

V ISO

絶縁電圧 RMS,f=50Hz,t =1分

4000

V

シンボル

パラメータ

試験条件

分。

タイプする

マックス。

ユニット

V 衛星

収集機から発信機へ 飽和電圧

わかった C =1000A,V 遺伝子組み換え =15V T vj =25 o C

1.45

1.90

V

わかった C =1000A,V 遺伝子組み換え =15V T vj =125 について o C

1.65

わかった C =1000A,V 遺伝子組み換え =15V T vj =175 o C

1.80

V 遺伝子組み換え (tH )

ゲート発信者の限界値 圧力は

わかった C =24.0 mA ,V CE = V 遺伝子組み換え , T vj =25 o C

5.5

6.3

7.0

V

わかった CES

収集家 カット -オフ 現在

V CE = V CES ,V 遺伝子組み換え =0V T vj =25 o C

1.0

mA

わかった 総エネルギー

ゲート発射器の漏れ 現在

V 遺伝子組み換え = V 総エネルギー ,V CE =0V T vj =25 o C

400

nA

R ゲント

内部ゲート抵抗 アンス

0.5

ω

C ies

入力容量

V CE 電気回路が25Vで,f=100KHzで, V 遺伝子組み換え =0V

51.5

ロープ

C res

逆転移転 容量

0.36

ロープ

Q G

ゲートチャージ

V 遺伝子組み換え =-15...+15V

13.6

微分

t d (on )

オンする遅延時間

V CC =600V,I C =900A,

R G =0.51Ω, L S =40nH, V 遺伝子組み換え =-8V/+15V,

T vj =25 o C

330

nS

t r

昇る時間

140

nS

t 消して

切断する 遅延時間

842

nS

t f

秋の時間

84

nS

E on

オン スイッチング 損失

144

mJ

E オフ

切断する 損失

87.8

mJ

t d (on )

オンする遅延時間

V CC =600V,I C =900A,

R G =0.51Ω, L S =40nH, V 遺伝子組み換え =-8V/+15V,

T vj =125 について o C

373

nS

t r

昇る時間

155

nS

t 消して

切断する 遅延時間

915

nS

t f

秋の時間

135

nS

E on

オン スイッチング 損失

186

mJ

E オフ

切断する 損失

104

mJ

t d (on )

オンする遅延時間

V CC =600V,I C =900A,

R G =0.51Ω, L S =40nH, V 遺伝子組み換え =-8V/+15V,

T vj =175 o C

390

nS

t r

昇る時間

172

nS

t 消して

切断する 遅延時間

950

nS

t f

秋の時間

162

nS

E on

オン スイッチング 損失

209

mJ

E オフ

切断する 損失

114

mJ

わかった SC

SC データ

t P ≤8μs,V 遺伝子組み換え =15V

T vj =150 について o C,V CC =800V

V 単数 ≤ 1200V

3200

A について

t P ≤6μs,V 遺伝子組み換え =15V

T vj =175 o C,V CC =800V

V 単数 ≤ 1200V

3000

A について

シンボル

パラメータ

試験条件

分。

タイプする

マックス。

ユニット

V F

ダイオード 前向き 圧力は

わかった F =1000A,V 遺伝子組み換え =0V,T vj =25 o C

1.60

2.05

V

わかった F =1000A,V 遺伝子組み換え =0V,T vj =125 について o C

1.70

わかった F =1000A,V 遺伝子組み換え =0V,T vj =175 o C

1.60

Q r

回収された電荷

V R =600V,I F =900A,

-di/dt=4930A/μs,V 遺伝子組み換え =-8V, L S =40 nH ,T vj =25 o C

91.0

微分

わかった ロープ

ピーク逆

回復電流

441

A について

E レス

逆転回復 エネルギー

26.3

mJ

Q r

回収された電荷

V R =600V,I F =900A,

-di/dt=4440A/μs,V 遺伝子組み換え =-8V, L S =40 nH ,

T vj =125 について o C

141

微分

わかった ロープ

ピーク逆

回復電流

493

A について

E レス

逆転回復 エネルギー

42.5

mJ

Q r

回収された電荷

V R =600V,I F =900A,

-di/dt=4160A/μs,V 遺伝子組み換え =-8V, L S =40 nH ,

T vj =175 o C

174

微分

わかった ロープ

ピーク逆

回復電流

536

A について

E レス

逆転回復 エネルギー

52.4

mJ

シンボル

パラメータ

試験条件

分。

タイプする

マックス。

ユニット

R 25

定数抵抗

5.0

kΩ

∆R/R

偏差 の R 100

T C =100 o C ロープ 100=493.3Ω

-5

5

%

P 25

電力

散熱

20.0

mW

B について 25/50

B値

R 2=R 25経験 [B 25/50 1/T 2- 半角形から

3375

K

B について 25/80

B値

R 2=R 25経験 [B 25/80 1/T 2- 半角形から

3411

K

B について 25/100

B値

R 2=R 25経験 [B 25/100 1/T 2- 半角形から

3433

K

シンボル

パラメータ

分。

タイプする

マックス。

ユニット

L CE

流れる誘導力

20

nH

R CC + ロープ ’

モジュールリード抵抗,端末からチップ

0.80

mΩ

R thJF

接合 -オー -冷却 流体 (perIGBT )結合冷却液 (Dあたり) ヨード) △ V/ △ t=10.0 dM 3/ほんの少し ,T F =75 o C

0.066 0.092

総量

M

端末接続トーク 六角ボルトM6 固定トーク スクロール M5

3.0 3.0

6.0 6.0

N.M<br>

G

重量 の モジュール

400

g

P

最大圧 冷却回路

3

バー

∆p

圧縮降冷却回数 キュート

∆V/∆t=10.0dm 3/分 F =25 o C 冷却 液体=50% 水/50% エチレングリコール

47

mbar