Moduli IGCT a blocco inverso
Moduli Integrated Gate-Commutated Thyristor a blocco inverso (RB-IGCT) sono dispositivi semiconduttori ad alta potenza avanzati progettati per sistemi di conversione di potenza ad alta tensione di nuova generazione. Grazie alla capacità integrata di bloccare la tensione inversa, i moduli RB-IGCT offrono eccellenti prestazioni elettriche, elevata affidabilità ed efficienza superiore per applicazioni di conversione energetica esigenti.
Basati sulla collaudata tecnologia IGCT e su avanzati involucri press-pack , i moduli RB-IGCT combinano i vantaggi dei dispositivi tiristore, tra cui perdite di conduzione ultra-basse e capacità di corrente elevata, con prestazioni di spegnimento controllato tramite gate rapide ed efficienti. La struttura robusta in press-pack garantisce eccellenti prestazioni termiche, resistenza meccanica e funzionamento affidabile anche sotto forti sollecitazioni elettriche e termiche.
La capacità integrata di blocco in inversione consente ai moduli RB-IGCT di semplificare la progettazione del sistema riducendo la necessità di componenti aggiuntivi per la protezione da tensione inversa, migliorando la densità di potenza e l'affidabilità complessiva del sistema.
Vantaggi principali
Capacità integrata di blocco da tensione inversa per una progettazione del sistema semplificata;
Elevata tensione ed elevata corrente per applicazioni di conversione di potenza su larga scala;
Perdite di conduzione ultra-basse per un'efficienza energetica migliorata;
Capacità di spegnimento rapido con prestazioni di commutazione eccellenti;
Design avanzato del pacchetto press-pack con capacità di raffreddamento su entrambi i lati;
Alta affidabilità in condizioni di stress elettrico, termico e meccanico .
Applicazioni
Trasmissione in corrente continua ad alta tensione (HVDC);
Sistemi flessibili di trasmissione in corrente alternata (FACTS);
Convertitori a media e alta tensione;
Sistemi di alimentazione per trazione ferroviaria;
Alimentatori industriali su larga scala;
Sistemi di conversione energetica da fonti rinnovabili e connessi alla rete elettrica;
Applicazioni per l’accumulo di energia e la conversione ad alta potenza.
YT-RBC5580Y11
Parametri principali
V DRM |
8000 |
V |
V RRM |
8000 |
V |
IO TGQM |
6600 |
UN |
IO T(AV) |
3290 |
UN |
IO TSM |
40 |
kA |
V UN |
1.25 |
V |
r T |
0.26 |
mΩ |
R ilJC |
3.6 |
K/ kw |
Applicazioni
● Circuito in corrente continua |
● Convertitore ibrido con commutazione tramite interruttore |
Caratteristiche
● Elevata corrente di tenuta |
● Bassa perdita di conduzione |
● Blocco sia in direzione diretta che inversa |
● Acquisizione autonoma dell’energia |
Blocco Dati
Simbolo l |
Parametro |
Condizioni |
Min. |
Tipo. |
Max. |
UNITÀ |
V DRM |
Tensione di picco ripetitiva in stato di off |
Unità di gate alimentata ,T Vj =90℃,IO D≤IO DRM ,t p = 10ms |
- |
- |
8000 |
V |
IO DRM |
Corrente ripetitiva di picco in condizione di blocco |
Unità di gate alimentata ,T Vj =90℃,V D≤V DRM ,t p = 10ms |
- |
- |
300 |
mA |
V RRM |
Tensione ripetitiva di picco in inversa allo stato spento |
Unità di gate alimentata ,T Vj =90℃,IO R ≤IO RRM ,t p = 10ms |
- |
- |
8000 |
V |
IO RRM |
Corrente ripetitiva di picco in inversa allo stato spento |
Unità di gate alimentata ,T Vj =90℃,V R ≤V RRM ,t p = 10ms |
- |
- |
300 |
mA |
V GRM |
Tensione ripetitiva di picco in inversa sul gate |
/ |
- |
- |
24 |
V |
IO D(DC) |
Corrente in continua allo stato spento |
Unità di gate alimentata ,T Vj =90℃,V D(CC )=6450 V |
- |
- |
40 |
mA |
IO R(DC) |
Corrente in continua in inversa |
Unità di gate alimentata ,T Vj =90℃,V R (CC )=6450 V |
- |
- |
40 |
mA |
V Ral |
Tensione di avalancha inversa prolungata |
Unità di gate alimentata , T Vj =90℃ ,t p =250 μs/2 500 μs |
- |
- |
8500 |
V |
IO Ral |
Corrente di valanga inversa prolungata |
Unità di gate alimentata , T Vj =90℃ ,t p =250 μs/2 500 μs |
- |
- |
30 |
UN |
V Ras |
Tensione di valanga inversa breve |
Unità di gate alimentata , T Vj =90℃ ,t p= 1,5 μs/50 μs |
- |
- |
8900 |
V |
IO Ras |
Corrente di valanga inversa breve |
Porta uNITÀ alimentato, T Vj =90℃ ,t p= 1,5 μs/50 μs |
- |
- |
50 |
UN |
d v /dt |
Tasso critico di aumento della tensione in stato di off |
Unità di gate alimentata ,T Vj =90℃,V Dm = 6400 V |
- |
- |
4000 |
V/ μs |
EN
