GD600HFX170C6S,Modulo IGBT,STARPOWER

Il simbolo

DESCRIZIONE

Valore

UNITÀ

V CES

Tensione tra collettore ed emittente

1700

V

V GES

Tensione del portatore-emittente

±20

V

IC

Collettore Corrente @ T C=25o C

@ T C= 100o C

1069

600

A

ICm

Pulsato Collettore Corrente t p =1ms

1200

A

PD

Massimo Potenza Dissipazione @ T j =175o C

4166

A

Il simbolo

DESCRIZIONE

Valore

UNITÀ

V RRM

Tensione inversa di picco ripetitiva

1700

V

IF

Diodo di corrente continua in avanti

600

A

IFM

Corrente in Avanti Massima del Diodo t p =1 ms

1200

A

Il simbolo

DESCRIZIONE

Valore

UNITÀ

T jmax

Massima Temperatura di Giunzione ature

175

o C

T - Giappone

Temperatura di funzionamento della giunzione

-40 a +150

o C

T STG

Intervallo di temperatura di conservazione

-40 a +125

o C

V ISO

Isolamento Tensione RMS ,f=50 Hz ,t=1 mIN

4000

V

Il simbolo

Parametro

Condizioni di prova

Min.

Tipo.

Max.

UNITÀ

V CE (seduto )

Collettore all'emittente

Tensione di saturazione

IC=600A, V GE = 15V, T j =25o C

1.85

2.20

V

IC=600A, V GE = 15V, T j =125o C

2.25

IC=600A, V GE = 15V, T j =150o C

2.35

V GE (th)

Limita di emissione della porta Tensione

IC= 12.0mA ,V CE =V GE ,T j =25o C

5.6

6.2

6.8

V

ICES

Interruzione del Collettore

Corrente

V CE =V CES ,V GE =0V,

T j =25o C

5.0

mA

IGES

Perforazione del portello Corrente

V GE =V GES ,V CE =0V,

T j =25o C

400

nA

Barra Gint

Resistenza interna della porta

1.1

ω

Cies

Capacità di ingresso

V CE =25V,f=1 MHz ,

V GE =0V

72.3

nF

Cres

Trasferimento inverso

Capacità

1.75

nF

QG

Importo della porta

V GE =- 15…+15V

5.66

μC

t d (attivo )

Tempo di ritardo di accensione

V CC = 900V, IC=600A, Barra G= 1.0Ω, V GE =± 15V, T j =25o C

160

nS

t barra

Tempo di risalita

67

nS

t d (oFF )

Disattivamento Tempo di ritardo

527

nS

t f

Tempo di caduta

138

nS

Eattivo

Accendere Commutazione

Perdita

154

mJ

EoFF

Sconto di accensione

Perdita

132

mJ

t d (attivo )

Tempo di ritardo di accensione

V CC = 900V, IC=600A, Barra G= 1.0Ω, V GE =± 15V, T j = 125o C

168

nS

t barra

Tempo di risalita

80

nS

t d (oFF )

Disattivamento Tempo di ritardo

585

nS

t f

Tempo di caduta

168

nS

Eattivo

Accendere Commutazione

Perdita

236

mJ

EoFF

Sconto di accensione

Perdita

189

mJ

t d (attivo )

Tempo di ritardo di accensione

V CC = 900V, IC=600A, Barra G= 1.0Ω, V GE =± 15V, T j = 150o C

192

nS

t barra

Tempo di risalita

80

nS

t d (oFF )

Disattivamento Tempo di ritardo

624

nS

t f

Tempo di caduta

198

nS

Eattivo

Accendere Commutazione

Perdita

259

mJ

EoFF

Sconto di accensione

Perdita

195

mJ

ISC

Dati SC

t P≤10μs, V GE = 15V,

T j =150o C,V CC = 1000V, V CEM ≤1700V

2400

A

Il simbolo

Parametro

Condizioni di prova

Min.

Tipo.

Max.

Unità

V F

Diodo di avanzamento

Tensione

IF =600A, V GE =0V, T j =25o C

1.80

2.25

V

IF =600A, V GE =0V, T j = 125o C

1.90

IF =600A, V GE =0V, T j = 150o C

1.95

Qbarra

Importo recuperato

V Barra = 900V, IF =600A,

-di /dt =6700A/μs, V GE =- 15V T j =25o C

153

μC

IRM

Verso il picco inverso

Corrente di recupero

592

A

Ericerca

Ritorno al recupero Energia

76.5

mJ

Qbarra

Importo recuperato

V Barra = 900V, IF =600A,

-di /dt =6700A/μs, V GE =- 15V T j =125o C

275

μC

IRM

Verso il picco inverso

Corrente di recupero

673

A

Ericerca

Ritorno al recupero Energia

150

mJ

Qbarra

Importo recuperato

V Barra = 900V, IF =600A,

-di /dt =6700A/μs, V GE =- 15V T j =150o C

299

μC

IRM

Verso il picco inverso

Corrente di recupero

690

A

Ericerca

Ritorno al recupero Energia

173

mJ

Il simbolo

Parametro

Condizioni di prova

Min.

Tipo.

Max.

UNITÀ

Barra 25

Resistenza Nominale

5.0

kΩ

δR/R

Deviazione di Barra 100

T C= 100 o C,R 100=493.3Ω

-5

5

%

P25

Potenza

Dissipazione

20.0

mW

B 25/50

- B- valore

Barra 2=R 25esp [B 25/50(1/T 2-

1/(298.15K))]

3375

K

B 25/80

- B- valore

Barra 2=R 25esp [B 25/80(1/T 2-

1/(298.15K))]

3411

K

B 25/100

- B- valore

Barra 2=R 25esp [B 25/100(1/T 2-

1/(298.15K))]

3433

K

Il simbolo

Parametro

Min.

Tipo.

Max.

UNITÀ

LCE

Induttanza di deflusso

20

nH

Barra CC ’+EE ’

Resistenza di Piombo del Modulo, Terminale al Chip

1.10

mΩ

Barra ilJC

Giunti -a -Caso (per IGBT )

Giunti -a -Caso (per Diodo )

0.036

0.073

C/W

Barra thCH

Caso -a -Dissipatore di Calore (per IGBT )

Caso -a -Dissipatore di Calore (per Diodo )

Cassa-sink (per modulo)

0.027

0.055

0.009

C/W

M

Torsione di connessione terminale, Vite M6 Montaggio Coppia , Vite M5

3.0

3.0

6.0

6.0

N.M

G

PESO DI Modulo

350

g