GD600HFX170C6S,Modulo IGBT,STARPOWER

Il simbolo

Descrizione

Valore

Unità

V CES

Tensione tra collettore ed emittente

1700

V

V GES

Tensione del portatore-emittente

±20

V

Io C

Collettore Corrente @ T C = 25 o C

@ T C = 100o C

1069

600

A

Io CM

Pulsato Collettore Corrente t p =1 mS

1200

A

P P

Massimo Potenza Dissipazione @ T j = 175 o C

4166

W

Il simbolo

Descrizione

Valore

Unità

V RRM

Tensione inversa di picco ripetitiva

1700

V

Io F

Diodo di corrente continua in avanti

600

A

Io FM

Corrente in Avanti Massima del Diodo t p =1 ms

1200

A

Il simbolo

Descrizione

Valore

Unità

T jmax

Massima Temperatura di Giunzione ature

175

o C

T - Giappone

Temperatura di funzionamento della giunzione

-40 a +150

o C

T STG

Intervallo di temperatura di conservazione

-40 a +125

o C

V ISO

Isolamento Tensione RMS ,f=50 HZ ,t=1 min

4000

V

Il simbolo

Parametri

Condizioni di prova

Min.

Tipo.

Max.

Unità

V CE (seduto )

Collettore all'emittente

Tensione di saturazione

Io C =600A, V GE = 15V, T j = 25 o C

1.85

2.20

V

Io C =600A, V GE = 15V, T j = 125 o C

2.25

Io C =600A, V GE = 15V, T j = 150 o C

2.35

V GE (th )

Limita di emissione della porta Tensione

Io C = 12.0mA ,V CE = V GE ,T j = 25 o C

5.6

6.2

6.8

V

Io CES

Interruzione del Collettore

Corrente

V CE = V CES ,V GE =0V,

T j = 25 o C

5.0

mA

Io GES

Perforazione del portello Corrente

V GE = V GES ,V CE =0V,

T j = 25 o C

400

nA

R Gint

Resistenza interna della porta

1.1

ω

C ies

Capacità di ingresso

V CE =25V,f=1 MHz ,

V GE =0V

72.3

nF

C res

Trasferimento inverso

Capacità

1.75

nF

Q G

Importo della porta

V GE - Sì. 15…+15V

5.66

μC

t p (oN )

Tempo di ritardo di accensione

V CC = 900V, Io C =600A, R G = 1.0Ω, V GE =± 15V, T j = 25 o C

160

nS

t r

Tempo di risalita

67

nS

t p (oFF )

Disattivamento Tempo di ritardo

527

nS

t f

Tempo di caduta

138

nS

E oN

Accendere Commutazione

Perdita

154

mJ

E oFF

Sconto di accensione

Perdita

132

mJ

t p (oN )

Tempo di ritardo di accensione

V CC = 900V, Io C =600A, R G = 1.0Ω, V GE =± 15V, T j = 125o C

168

nS

t r

Tempo di risalita

80

nS

t p (oFF )

Disattivamento Tempo di ritardo

585

nS

t f

Tempo di caduta

168

nS

E oN

Accendere Commutazione

Perdita

236

mJ

E oFF

Sconto di accensione

Perdita

189

mJ

t p (oN )

Tempo di ritardo di accensione

V CC = 900V, Io C =600A, R G = 1.0Ω, V GE =± 15V, T j = 150o C

192

nS

t r

Tempo di risalita

80

nS

t p (oFF )

Disattivamento Tempo di ritardo

624

nS

t f

Tempo di caduta

198

nS

E oN

Accendere Commutazione

Perdita

259

mJ

E oFF

Sconto di accensione

Perdita

195

mJ

Io SC

Dati SC

t P ≤10μs, V GE = 15V,

T j = 150 o C ,V CC = 1000V, V CEM ≤1700V

2400

A

Il simbolo

Parametri

Condizioni di prova

Min.

Tipo.

Max.

Unità

V F

Diodo di avanzamento

Tensione

Io F =600A, V GE =0V, T j = 25 o C

1.80

2.25

V

Io F =600A, V GE =0V, T j = 125o C

1.90

Io F =600A, V GE =0V, T j = 150o C

1.95

Q r

Importo recuperato

V R = 900V, Io F =600A,

-di /dt =6700A/μs, V GE - Sì. 15V T j = 25 o C

153

μC

Io RM

Verso il picco inverso

Corrente di recupero

592

A

E ricerca

Ritorno al recupero Energia

76.5

mJ

Q r

Importo recuperato

V R = 900V, Io F =600A,

-di /dt =6700A/μs, V GE - Sì. 15V T j = 125 o C

275

μC

Io RM

Verso il picco inverso

Corrente di recupero

673

A

E ricerca

Ritorno al recupero Energia

150

mJ

Q r

Importo recuperato

V R = 900V, Io F =600A,

-di /dt =6700A/μs, V GE - Sì. 15V T j = 150 o C

299

μC

Io RM

Verso il picco inverso

Corrente di recupero

690

A

E ricerca

Ritorno al recupero Energia

173

mJ

Il simbolo

Parametri

Condizioni di prova

Min.

Tipo.

Max.

Unità

R 25

Resistenza Nominale

5.0

kΩ

δR/R

Deviazione di R 100

T C = 100 o C ,R 100=493.3Ω

-5

5

%

P 25

Potenza

Dissipazione

20.0

mW

B 25/50

- B- valore

R 2=R 25esp [B 25/50 (1/T 2-

1/(298.15K))]

3375

K

B 25/80

- B- valore

R 2=R 25esp [B 25/80 (1/T 2-

1/(298.15K))]

3411

K

B 25/100

- B- valore

R 2=R 25esp [B 25/100 (1/T 2-

1/(298.15K))]

3433

K

Il simbolo

Parametri

Min.

Tipo.

Max.

Unità

L CE

Induttanza di deflusso

20

nH

R CC + EE ’

Resistenza di Piombo del Modulo, Terminale al Chip

1.10

mΩ

R ilJC

Giunti -a -Caso (per IGBT )

Giunti -a -Caso (per Diodo )

0.036

0.073

C/W

R thCH

Caso -a -Dissipatore di Calore (per IGBT )

Caso -a -Dissipatore di Calore (per Diodo )

Cassa-sink (per modulo)

0.027

0.055

0.009

C/W

M

Torsione di connessione terminale, Vite M6 Montaggio Coppia , Vite M 5

3.0

3.0

6.0

6.0

N.M

G

Peso di Modulo

350

g