Breve introduzione
Modulo Thyristor/Diode, MTx1200,MFx1200 ，1200A ,Raffreddamento ad aria ,prodotto da TECHSEM.
VRRM,VDRM |
Tipo e contorno |
600V |
Numero di modello: MTx1200-06-412F3 |
Numero di modello: MFx1200-06-412F3 |
800V |
Numero di modello: MTx1200-08-412F3 |
Numero di modello: MFx1200-08-412F3 |
1000V |
Modello MTx1200-10-412F3 |
Numero di modello: MFx1200-10-412F3 |
1200V |
Modello MTx1200-12-412F3 |
Numero di modello: MFx1200-12-412F3 |
1400V |
Modello MTx1200-14-412F3 |
Numero di modello: MFx1200-14-412F3 |
1600V |
Modello MTx1200-16-412F3 |
Numero di modello: MFx1200-16-412F3 |
1800V |
Modello MTx1200-18-412F3 |
Numero di modello: MFx1200-18-412F3 |
1800V |
Modello MT1200-18-412F3G |
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MTx significa qualsiasi tipo di MTC, MTA, MTK
MFx sta per qualsiasi tipo e di MFC, MFA, MFK
Caratteristiche
- Base di montaggio isolata 3000V~
- Tecnologia di contatto a pressione con
- Maggiore capacità di cicli di potenza
- Risparmio di spazio e peso
Applicazioni tipiche
- Motori a corrente alternata
- Vari rettificatori
- Fornitura di corrente continua per inversione PWM
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Il simbolo
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Caratteristica
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Condizioni di prova
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Tj( ℃ ) |
Valore |
Unità
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Min |
TIPO |
Max |
IT(AV) |
Corrente media in stato di accensione |
180° mezza onda sinusoidale 50Hz
Raffreddato su un solo lato, TC=60 ℃
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125
|
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1200 |
A |
IT(RMS) |
Corrente di stato RMS |
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1884 |
A |
Idrm Irrm |
Corrente di picco ripetitiva |
a VDRM a VRRM |
125 |
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55 |
mA |
ITSM |
Corrente di sovratensione in stato di accensione |
VR=60%VRRM,,t=10ms semiseno, |
125 |
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|
26 |
kA |
I2t |
I2t per coordinazione fusibile |
125 |
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3380 |
103A 2s |
VTO |
Voltaggio di soglia |
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125
|
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0.70 |
V |
rT |
Resistenza di pendenza in stato di accensione |
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|
0.14 |
mΩ |
VTM |
Tensione di picco in stato di accensione |
ITM=3000A |
25 |
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1.96 |
V |
dv/dt |
Tasso critico di aumento della tensione in stato di off |
VDM=67%VDRM |
125 |
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|
1000 |
V/μs |
di/dt |
Tasso critico di aumento della corrente in stato di funzionamento |
Gate source 1.5A
tr ≤0.5μs Ripetitivo
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125 |
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200 |
A/μs |
IGT |
Corrente di attivazione del gate |
VA=12V, IA=1A
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25
|
30 |
|
200 |
mA |
Vgt |
Tensione di attivazione del gate |
0.8 |
|
3.0 |
V |
IH |
Corrente di mantenimento |
10 |
|
200 |
mA |
IL |
Corrente di aggancio |
|
|
1500 |
mA |
VGD |
Tensione di gate non attivata |
VDM=67%VDRM |
125 |
|
|
0.20 |
V |
Rth(j-c) |
Resistenza termica Giunzione a custodia |
A 180 ° seno. Raffreddato da un lato per chip |
|
|
|
0.048 |
℃ /W |
Rth(c-h) |
Resistenza termica case a dissipatore |
A 180 ° seno. Raffreddato da un lato per chip |
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|
|
0.020 |
℃ /W |
VISO |
Tensione di isolamento |
50Hz, R.M.S, t=1min, Iiso:1mA(max) |
|
3000 |
|
|
V |
|
FM
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Torsione di connessione terminale ((M12) |
|
|
12.0 |
|
16.0 |
N·m |
Torsione di montaggio ((M8) |
|
|
10.0 |
|
12.0 |
N·m |
Tvj |
Temperatura di giunzione |
|
|
-40 |
|
125 |
℃ |
TSTG |
Temperatura di immagazzinamento |
|
|
-40 |
|
125 |
℃ |
Wt |
Peso |
|
|
|
3660 |
|
g |
Outline |
412F3 |
EN
