Breve introduzione:
Produzione personalizzata da YT, pacchetto StakPak, modulo IGBT con FWD.
Caratteristiche
-
di potenza superiore a 50 kVA Porta piana Struttura di fermo di campo
-
Alto Robustezza
-
Alto Affidabilità
-
Temperatura Positiva Coefficiente
-
Alto corto Capacità del circuito
Applicazioni
- Sistema flessibile HVDC
-
Vento offshore produzione di energia
-
A grande scala Industriale Trasmissione
Massimo Valutato Valori
Parametri |
Il simbolo |
Condizioni |
Valore |
Unità |
Tensione tra collettore ed emittente |
V CES |
V GE =0V, T vj = 25 ° C |
4500 |
V |
Collettore di corrente continua Cu renta |
Io C |
T C =100 ° C,T vj = 125 ° C |
2000 |
A |
Corrente di picco del collettore |
Io CM |
t p =1 ms |
4000 |
A |
Porta -Emittente Tensione |
V GES |
|
± 20 |
V |
Totale Potenza Dissipazione |
P - Non |
T C = 25 ° C,T vj = 125 ° C |
20800 |
W |
CC In avanti Cu renta |
Io F |
|
2000 |
A |
Pico Cur in avanti affitto |
Io MF |
t p =1 ms |
4000 |
A |
Corrente di sovratensione |
Io FSM |
V R =0V,T vj = 125 ° C,
t p = 10ms, mezza onda sinusoidale
|
14000 |
A |
SOA di cortocircuito IGBT |
t psc |
V CC = 3400V, V CEM Chip ≤ 4500 V V GE ≤ 15V,T vj ≤ 125 ° C |
10 |
μs |
Connessione massima Temperatura |
T vj (max ) |
|
125 |
℃ |
Giunti Temperatura di funzionamento |
T vj (op ) |
|
-40~125 |
℃ |
Temperatura della cassa |
T C |
|
-40~125 |
℃ |
Temperatura di conservazione |
T sTG |
|
-40~70 |
℃ |
Forza di montaggio |
F M |
|
60~75 |
kN |
Valori caratteristici IGBT
Parametri |
Il simbolo |
Condizioni |
Valore |
Unità |
Min. |
Tipo. |
Max. |
Tensione di rottura collettore-emettitore |
V ((BR) CES |
VGE=0V, IC=10mA, Tvj=25°C |
4500 |
|
|
V |
Tensione di saturazione del collettore-emettitore |
VCE (sat) |
IC=2000A, VGE=15V |
Tvj=25°C |
|
2.70 |
3.05 |
V |
Tvj=125°C |
|
3.35 |
3.85 |
V |
Corrente di taglio collettore-emittente |
ICES |
VCE=4500V, VGE=0V |
Tvj=25°C |
|
|
1 |
mA |
Tvj=125°C |
|
15 |
100 |
mA |
Corrente di perdita del portatore-emettitore |
IGES |
VCE=0V, VGE=±20V, Tvj=125°C |
-500 |
|
500 |
nA |
Tensione di soglia del portale-emittente |
VGE (th) |
IC=320mA, VCE=VGE, Tvj=25°C |
6.7 |
|
7.7 |
V |
Importo della porta |
CdG |
IC=2000A, VCE=2800V, VGE=-15V~+15V |
|
10 |
|
μC |
Capacità di ingresso |
- Cies |
VCE=25V, VGE=0V, f=500kHz, Tvj=25°C
|
|
213 |
|
nF |
Capacità di uscita |
Coes |
|
15.3 |
|
nF |
Capacità di trasferimento inverso |
Cres |
|
4.7 |
|
nF |
Resistenza interna della porta |
RGint |
|
|
0 |
|
ω |
Tempo di ritardo di accensione |
td (in) |
IC=2000A,
VCE=2800V,
VGE=± 15V,
RGon=1,8Ω,
RGoff=8,2Ω,
Cge=330nF,
LS=140nH,
Carico induttivo
|
Tvj=25°C |
|
1100 |
|
nS |
Tvj=125°C |
|
900 |
|
nS |
Tempo di risalita |
tr |
Tvj=25°C |
|
400 |
|
nS |
Tvj=125°C |
|
450 |
|
nS |
Tempo di ritardo di spegnimento |
td (off) |
Tvj=25°C |
|
3800 |
|
nS |
Tvj=125°C |
|
4100 |
|
nS |
Tempo di caduta |
tF |
Tvj=25°C |
|
1200 |
|
nS |
Tvj=125°C |
|
1400 |
|
nS |
Accensione di energia di commutazione |
EON |
Tvj=25°C |
|
14240 |
|
mJ |
Tvj=125°C |
|
15730 |
|
mJ |
Disattivazione Energia di commutazione |
EOFF |
Tvj=25°C |
|
6960 |
|
mJ |
Tvj=125°C |
|
8180 |
|
mJ |
Corrente di cortocircuito |
Isc
|
VGE≤15V, tpsc≤10μs, VCC=3400V, Tvj=125°C
VCEM CHIP≤4500V
|
|
8400
|
|
A
|
Valori caratteristici dei diodi
Parametri |
Il simbolo |
Condizioni |
Valore |
Unità |
Min. |
Tipo. |
Max. |
Voltaggio di avanzamento |
VF |
IF=2000A |
Tvj=25°C |
|
2.60 |
|
V |
Tvj=125°C |
|
2.85 |
|
V |
Corrente di recupero inversa |
- Non lo so. |
IF=2000A, VR=2800V, VGE=15V, RGon=1.8Ω, LS=140nH,
Carico induttivo
|
Tvj=25°C |
|
1620 |
|
A |
Tvj=125°C |
|
1970 |
|
A |
Importo di recupero inverso |
Qrr |
Tvj=25°C |
|
1750 |
|
uC |
Tvj=125°C |
|
2700 |
|
uC |
Tempo di recupero inverso |
trr |
Tvj=25°C |
|
4.0 |
|
uS |
Tvj=125°C |
|
5.1 |
|
uS |
Perdite di energia da recupero inverso |
Erec |
Tvj=25°C |
|
2350 |
|
mJ |
Tvj=125°C |
|
3860 |
|
mJ |
Configurazione del circuito

Outline

Laboratorio ben attrezzato
Disponiamo di un laboratorio ben attrezzato per i test e controlliamo rigorosamente la qualità dei nostri prodotti . Questo garantisce che il tasso di conformità dei prodotti che consegniamo ai clienti raggiunga il 100%.



Fabbrica moderna automatizzata
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Capacità produttiva sufficiente
La solida forza complessiva del produttore e una capacità produttiva sufficiente garantiscono la consegna puntuale di ogni ordine.

Caso applicativo:
Aggiornamento del sistema di propulsione per Rompi ghiaccio nucleare (Sistema 60 MW) .
Punti dolenti del cliente:
- Malfunzionamento a freddo
- Danni da vibrazione
- Limitazioni di spazio
Soluzioni navali YT2000ASW45CZ
Problema |
Innovazione tecnologica |
Certificazione |
Guasto Indotto dal Freddo |
Collegamento die con argento sinterizzato (Funzionamento a -55℃)
|
Materiale: Elimina adesivi organici |
Sopravvivenza all'impatto del ghiaccio |
Press-pack in lega di titanio + ammortizzatori multistadio (resistenza alle vibrazioni 15g) |
Superato IEC 60068-3-8: 8g/80Hz |
Resistenza alla corrosione |
Terminali placcati oro + sigillatura ermetica (IP6K9K) |
Test nebbia salina MIL-STD-810H |
Ottimizzazione dello Spazio |
Raffreddamento bilaterale → ingombro 40% inferiore rispetto ai moduli standard |
Approvazione tipo Lloyd's Register |
Risultati operativi:
- ✅ Zero guasti all'avviamento a freddo a -45℃ (4 inverni artici)
- ✅ Guasti correlati alle vibrazioni ridotti del 92%
- ✅ Tempo di manutenzione ridotto del 50% con design a cartuccia estraibile
- ✅ Recupero di energia risparmia 8.700L carburante/anno per nave
Perché gli Architetti Navali si fidano di questa soluzione
Verifica da parte di terzi


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