MTx1000 MFx1000 MT1000,Moduli Thyristor/Diode,Raffreddamento a acqua

VRRM,VDRM

Tipo e contorno

2000 V

MT2 sistema di controllo

MFx1000-20-411F3

2200V

MT2 di cui all'articolo 4

MFx1000-22-411F3

2500 V

MT2 sistema di controllo

MFx1000-25-411F3

2500 V

MT3cfr.

Il simbolo

Caratteristica

Condizioni di prova

Tj( ℃ )

Valore

Unità

Min

TIPO

Max

IT(AV)

Corrente media in stato di accensione

180。mezza onda sinusoidale 50Hz

Conducibile a raffreddamento a lato singolo, THS=55 ℃

125

1000

A

IT(RMS)

Corrente di stato RMS

1570

A

Idrm Irrm

Corrente di picco ripetitiva

a VDRM a VRRM

125

50

mA

ITSM

Corrente di sovratensione in stato di accensione

VR=60%VRRM, t=10ms mezzo seno

125

18.0

kA

I2t

I2t per coordinazione fusibile

125

1620

10³A ²s

VTO

Voltaggio di soglia

125

0.85

V

rT

Resistenza di pendenza in stato di accensione

0.24

mΩ

VTM

Tensione di picco in stato di accensione

ITM=3000A

25

2.20

V

dv/dt

Tasso critico di aumento della tensione in stato di off

VDM=67%VDRM

125

1000

V/μs

di/dt

Tasso critico di aumento della corrente in stato di funzionamento

Gate source 1.5A

tr ≤ 0,5 μs Ripetitiva

125

200

A/μs

IGT

Corrente di attivazione del gate

VA= 12V, IA= 1A

25

30

200

mA

Vgt

Tensione di attivazione del gate

0.8

3.0

V

IH

Corrente di mantenimento

10

200

mA

IL

Corrente di aggancio

1000

mA

VGD

Tensione di gate non attivata

VDM=67%VDRM

125

0.20

V

Rth(j-c)

Resistenza termica Giunzione a custodia

Frigoriferi a lato singolo per chip

0.048

。C/W

Rth(c-h)

Resistenza termica case a dissipatore

Frigoriferi a lato singolo per chip

0.024

。C/W

VISO

Tensione di isolamento

50Hz,R.M.S,t= 1min,Iiso:1mA(MAX)

3000

V

FM

Torsione di connessione terminale ((M12)

12

16

N·m

Torsione di montaggio ((M8)

10

12

N·m

Tvj

Temperatura di giunzione

-40

125

℃

TSTG

Temperatura di immagazzinamento

-40

125

℃

Wt

Peso

3230

g

Outline

411F3