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Breve introduzione
VRRM |
Tipo e contorno |
1200V |
MRC100-12-224H3 |
Caratteristiche :
Applicazioni tipiche
Il simbolo |
Caratteristica |
Condizioni di prova |
Tj( ℃ ) |
Valore |
Unità |
||
Min |
TIPO |
Max |
|||||
IF(AV) |
Corrente media diretta |
TC=75 ℃ , Per diodo |
150 |
|
|
100 |
A |
TC=85 ℃ , 20KHz, Per modulo |
|
|
75 |
A |
|||
IF(RMS) |
Corrente diretta RMS |
TC=75 ℃ , Per diodo |
|
|
150 |
A |
|
IRRM |
Corrente di picco ripetitiva |
a VRRM |
125 |
|
|
10 |
mA |
IFSM |
Corrente di picco in avanti |
VR=0V, tp=10ms |
45 |
|
|
1100 |
A |
VR=0V,tp=8.3ms |
45 |
|
|
1200 |
|||
Io 2t |
Io 2t per coordinazione fusibile |
VR=0V, tp=10ms |
45 |
|
|
6050 |
103A 2s |
VR=0V,tp=8.3ms |
45 |
|
|
7200 |
|||
PD |
Dissipazione di Potenza Massima |
|
|
|
280 |
|
W |
VFM |
Tensione di picco in avanti |
IFM= 100A |
25 |
|
1.58 |
1.80 |
V |
125 |
|
1.35 |
|
||||
trr |
Tempo di recupero inverso |
I F= 1A, diF/dt=-200A/μs, VR=30V |
25 |
|
90 |
|
nS |
trr |
Tempo di recupero inverso |
VR=600V, IF=100A, diF/dt=-200A/μs |
25 |
|
160 |
|
nS |
IRM |
Corrente inversa |
|
10 |
|
A |
||
trr |
Tempo di recupero inverso |
125 |
|
400 |
|
nS |
|
IRM |
Corrente inversa |
|
21 |
|
A |
||
Rth(j-c) |
Resistenza termica Giunzione a custodia |
A 1800 seno. Raffreddato da un lato per chip |
|
|
|
0.40 |
℃ /W |
VISO |
Tensione di isolamento |
50Hz,R.M.S,t= 1min |
|
3000 |
|
|
V |
FM |
Coppia di collegamento terminale (M5) |
|
|
2.55 |
|
3.45 |
N·m |
Coppia di montaggio (M6) |
|
|
4.25 |
|
5.75 |
N·m |
|
Tvj |
Temperatura di giunzione |
|
|
-40 |
|
150 |
℃ |
TSTG |
Temperatura di immagazzinamento |
|
|
-40 |
|
125 |
℃ |
Wt |
Peso |
|
|
|
100 |
|
g |
Outline |
224H3 |
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