Breve introduzione 
 Modulo tiristore per saldatura   ,MTC   160,160A,   Raffreddamento ad aria   ,prodotto da TECHSEM. 
 
VDRM, VRRM   | 
Tipo e contorno   | 
| 
 600V  
800V  
1000V  
1200V  
1400V  
1600V  
1800V  
 | 
MTC160-06-229H3/229H3B MTC160-08-229H3/229H3B MTC160-10-229H3/229H3B MTC160-12-229H3/229H3B MTC160-14-229H3/229H3B MTC160-16-229H3/229H3B MTC160-18-229H3/229H3B     | 
 
 
Caratteristiche :
- Base di montaggio isolata 3000V~ 
 
- 
Tecnologia di giunto saldato con    maggiore capacità di cicli di potenza   
 
- Risparmio di spazio e peso 
 
Applicazioni tipiche :
- Motori a corrente alternata 
 
- Vari rettificatori 
 
- Alimentazione DC per inverter PWM 
 
 
| 
   
Il simbolo  
 | 
   
Caratteristica  
 | 
   
Condizioni di prova  
 | 
Tj( ℃ )  | 
Valore     | 
   
Unità  
 | 
Min     | 
TIPO   | 
Max     | 
IT(AV)   | 
Corrente media in stato di accensione   | 
180° onda sinusoidale mezza 50Hz Raffreddato da un lato, Tc=85   ℃   | 
125  | 
   | 
   | 
160  | 
A   | 
IT(RMS)   | 
Corrente di stato RMS     | 
125  | 
   | 
   | 
251  | 
A   | 
Idrm Irrm   | 
Corrente di picco ripetitiva   | 
a VDRM a VRRM   | 
125  | 
   | 
   | 
40  | 
mA   | 
ITSM   | 
Corrente di sovratensione in stato di accensione   | 
onda sinusoidale mezza 10ms VR=60%VRRM     | 
   
125 
 | 
   | 
   | 
3.8  | 
kA     | 
Io   2t     | 
I2t per coordinazione fusibile   | 
   | 
   | 
72.2  | 
A 2s*10 3  | 
VTO   | 
Voltaggio di soglia   | 
   | 
   
125 
 | 
   | 
   | 
0.85  | 
V     | 
rT   | 
Resistenza di pendenza in stato di accensione   | 
   | 
   | 
1.50  | 
mΩ   | 
VTM   | 
Tensione di picco in stato di accensione   | 
ITM=480A     | 
25  | 
   | 
   | 
1.80  | 
V     | 
dv/dt   | 
Tasso critico di aumento della tensione in stato di off   | 
VDM=67%VDRM   | 
125  | 
   | 
   | 
1000  | 
V/μs   | 
di/dt   | 
Tasso critico di aumento della corrente in stato di funzionamento   | 
 Gate source 1.5A    
tr ≤0.5μs Ripetitivo    
 | 
125  | 
   | 
   | 
200  | 
A/μs   | 
IGT   | 
Corrente di attivazione del gate   | 
   
  
VA= 12V, IA= 1A  
 | 
   
  
25 
 | 
30  | 
   | 
200  | 
mA   | 
Vgt   | 
Tensione di attivazione del gate   | 
0.6  | 
   | 
2.5  | 
V     | 
IH   | 
Corrente di mantenimento   | 
10  | 
   | 
250  | 
mA   | 
IL   | 
Corrente di aggancio   | 
   | 
   | 
1000  | 
mA   | 
VGD   | 
Tensione di gate non attivata   | 
VDM=67%VDRM   | 
125  | 
   | 
   | 
0.2  | 
V     | 
Rth(j-c)   | 
Resistenza termica Giunzione a custodia   | 
Raffreddato da un lato per chip   | 
   | 
   | 
   | 
0.17  | 
℃ /W  | 
Rth(c-h)   | 
Resistenza termica case a dissipatore   | 
Raffreddato da un lato per chip   | 
   | 
   | 
   | 
0.08  | 
℃  /W  | 
VISO   | 
Tensione di isolamento   | 
50Hz,R.M.S,t= 1min,Iiso:1mA(MAX)     | 
   | 
3000  | 
   | 
   | 
V     | 
| 
   
FM  
 | 
Coppia di collegamento terminale (M6)   | 
   | 
   | 
2.5  | 
   | 
4.0  | 
N·m   | 
Coppia di montaggio (M6)   | 
   | 
   | 
4.5  | 
   | 
6.0  | 
N·m   | 
Tvj   | 
Temperatura di giunzione   | 
   | 
   | 
-40  | 
   | 
125  | 
℃   | 
TSTG   | 
Temperatura di immagazzinamento   | 
   | 
   | 
-40  | 
   | 
125  | 
℃   | 
Wt   | 
Peso   | 
   | 
   | 
   | 
165  | 
   | 
g   | 
Outline   | 
229H3 、229H3B     |