Moduli di tiristore a spegnimento rapido

MK(H)x300 MK300,Moduli di Tirostori a Spegnimento Rapido,Raffreddamento ad Aria

300A,600V~1800V,405F3

Brand:

TECHSEM

Spu:

MK(H) x300 MK300

Appurtenance:

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Introduzione
Outline
Schema del circuito equivalente

Introduzione

Breve introduzione

Moduli di tiristore a spegnimento rapido ,MK(H)x 300 MK 3003,3 00A .Aria raffreddamento, prodotto da TECHSEM .

VDRM, VRRM	Tipo e contorno
600V	MKx300-06-405F3	MHx300-06-405F3
800V	MKx300-08-405F3	MHx300-08-405F3
1000V	MKx300-10-405F3	MHx300-10-405F3
1200V	MKx300-12-405F3	MHx300-12-405F3
1400V	MKx300-14-405F3	MHx300-14-405F3
1600V	MKx300-16-405F3	MHx300-16-405F3
1800V	MKx300-18-405F3	MHx300-18-405F3

Caratteristiche ：

Base di montaggio isolata 2500V~
Tecnologia di contatto a pressione con Maggiore capacità di cicli di potenza
Risparmio di spazio e peso

Applicazioni tipiche

Inverter
Calore induttivo
Chopper

Il simbolo	Caratteristica	Condizioni di prova	Tj(°C)	Valore			Unità
Il simbolo	Caratteristica	Condizioni di prova	Tj(°C)	Min	TIPO	Max	Unità
IT(AV)	Corrente media in stato di accensione	onda sinusoidale mezza 180° 50Hz Raffreddato da un lato,Tc=55°C	125			300	A
IT(RMS)	Corrente di stato RMS		125			471	A
Idrm Irrm	Corrente di picco ripetitiva	a VDRM a VRRM	125			50	mA
ITSM	Corrente di sovratensione in stato di accensione	onda sinusoidale mezza 10ms VR=60%VRRM	125			5.60	kA
I2t	I2t per coordinazione fusibile	onda sinusoidale mezza 10ms VR=60%VRRM	125			160	A ²s* 10 ³
VTO	Voltaggio di soglia		125			1.50	V
rT	Resistenza di pendenza in stato di accensione		125			0.75	mΩ
VTM	Tensione di picco in stato di accensione	ITM=900A	25			2.20	V
dv/dt	Tasso critico di aumento della tensione in stato di off	VDM=67%VDRM	125			800	V/μs
di/dt	Tasso critico di aumento della corrente in stato di funzionamento	Gate source 1.5A tr ≤0.5μs Ripetitivo	125			200	A/μs
tq	Tempo di spegnimento commutato da circuito	ITM=300A, tp=4000μs, VR=100V dv/dt=30V/μs, di/dt=-20A/μs	125	20		40	μs
tq	Tempo di spegnimento commutato da circuito	ITM=300A, tp=4000μs, VR=100V dv/dt=30V/μs, di/dt=-20A/μs	25	6		16	μs
IGT	Corrente di attivazione del gate	VA= 12V, IA= 1A	25	30		200	mA
Vgt	Tensione di attivazione del gate			0.8		3.0	V
IH	Corrente di mantenimento			10		200	mA
VGD	Tensione di gate non attivata	VDM= 67%VDRM	125			0.2	V
Rth(j-c)	Resistenza termica Giunzione a custodia	Raffreddato da un lato per chip				0.110	°C /W
Rth(c-h)	Resistenza termica case a dissipatore	Raffreddato da un lato per chip				0.040	°C /W
VISO	Tensione di isolamento	50Hz,R.M.S,t= 1min,Iiso:1mA(MAX)		2500			V
FM	Torsione di collegamento terminale ((M8)			10.0		12.0	N·m
FM	Coppia di montaggio (M6)			4.5		6.0	N·m
Tvj	Temperatura di giunzione			-40		125	°C
TSTG	Temperatura di immagazzinamento			-40		125	°C
Wt	Peso				1060		g
Outline	405F3