YMIBD800-17,Modulo IGBT,Interruttore doppio IGBT,CRRC

(Simbolo)

(Parametro)

(Condizioni di prova)

(valore)

(Unità)

VCES

Tensione tra collettore ed emittente

V GE = 0V, TC= 25 。C

1700

V

V GES

Tensione del portatore-emittente

TC= 25 。C

± 20

V

I C

Corrente tra collettore ed emittente

TC = 80 。C

800

A

I C ((PK)

Corrente di picco del collettore

t P=1ms

1600

A

P max

Dissipazione di potenza massima del transistor

Tvj = 150 。C, TC = 25 。C

6.94

kw

- Non lo so.

Diodo I 2t

VR = 0V, t P = 10 ms, Tvj = 125 。C

120

kA2s

Visol

Tensione di isolamento per modulo

(terminali comuni alla piastra base),

RMS AC, 1 min, 50Hz, TC= 25 。C

4000

V

Q PD

Scarica parziale per modulo

IEC1287. V1 = 1800V, V2 = 1300V, 50Hz RMS, TC= 25 。C

10

pC

(Il simbolo )

(Parametri )

(Condizioni di prova)

(Min )

(Tipizzazione )

(Max )

(Unità )

I CES

Corrente di taglio del collettore

V GE = 0V,VCE = VCES

1

mA

V GE = 0V, VCE = VCES , TC=125 ° C

25

mA

I GES

Corrente di perdita di portata

V GE = ±20V, VCE = 0V

4

μA

V GE (TH)

Tensione di soglia di ingresso

I C = 40mA, V GE = VCE

5.00

5.70

6.50

V

VCE (sat)

Tensione di saturazione del collettore-emettitore

V GE =15V, I C = 800A

2.30

2.60

V

V GE =15V, I C = 800A,Tvj = 125 ° C

2.80

3.10

V

I F

Corrente di diodo in avanti

dC CC

800

A

I FRM

Corrente di diodo massima in avanti

t P = 1ms

1600

A

VF(*1)

Tensione di diodo in avanti

I F = 800A

1.70

2.00

V

I F = 800A, Tvj = 125 ° C

1.80

2.10

V

C ies

Capacità di ingresso

VCE = 25V, V GE = 0V, f = 1MHz

60

nF

Q g

Importo della porta

±15V

9

μC

C res

Capacità di trasferimento inverso

VCE = 25V, V GE = 0V, f = 1MHz

-

nF

L M

Induttanza del modulo

20

nH

R INT

Resistenza interna del transistor

270

μΩ

I SC

Corrente di cortocircuito, ISC

Tvj = 125° C, VCC = 1000V,

V GE ≤15V, tp ≤10μs,

VCE(max) = VCES – L (*2)×di/dt,

IEC 6074-9

3700

A

td (off)

Tempo di ritardo di spegnimento

I C =800A

VCE =900V

L ~ 100nH

V GE = ±15V

RG(ON) = 2.2Ω

RG(OFF)= 2.2Ω

890

nS

t f

Tempo di caduta

220

nS

E OFF

Perdite di energia di spegnimento

220

mJ

td (in)

Tempo di ritardo di accensione

320

nS

t r

Tempo di risalita

190

nS

EON

Perdita di energia all'accensione

160

mJ

Q rr

Carica di recupero inverso del diodo

I F = 800A

VCE = 900V

diF/dt =4000A/us

260

μC

I rr

Corrente di recupero inverso del diodo

510

A

E rec

Energia di recupero inverso del diodo

180

mJ

td (off)

Tempo di ritardo di spegnimento

I C =800A

VCE =900V

L ~ 100nH

V GE = ±15V

RG(ON) = 2.2Ω

RG(OFF)= 2.2Ω

980

nS

t f

Tempo di caduta

280

nS

E OFF

Perdite di energia di spegnimento

290

mJ

td (in)

Tempo di ritardo di accensione

400

nS

t r

Tempo di risalita

250

nS

EON

Perdita di energia all'accensione

230

mJ

Q rr

Carica di recupero inverso del diodo

I F = 800A

VCE = 900V

diF/dt =4000A/us

420

μC

I rr

Corrente di recupero inverso del diodo

580

A

E rec

Energia di recupero inverso del diodo

280

mJ