GD3600SGX170C4S,Modulo IGBT,Modulo IGBT ad alta corrente,STARPOWER

Il simbolo

Descrizione

Valore

Unità

V CES

Tensione tra collettore ed emittente

1700

V

V GES

Tensione del portatore-emittente

±20

V

Io C

Corrente del collettore @ T C =100 o C

3600

A

Io CM

Corrente Collettore a Impulso t p =1 ms

7200

A

P P

Dissipation di potenza massima @ T j = 175 o C

21.4

kw

Il simbolo

Descrizione

Valore

Unità

V RRM

Volt inverso di picco ripetitivo età

1700

V

Io F

Diode Corrente continua in avanti Cu renta

3600

A

Io FM

Corrente in Avanti Massima del Diodo t p =1 ms

7200

A

Io FSM

Corrente di Surrogazione in Avanti V R =0V,T p =10ms, @T j = 25 o C @T j = 150 o C

23.22 19.95

kA

Io 2t

Io 2valore t,V R =0V,T p =10m s,T j = 25 o C Io 2valore t,V R =0V,T p = 10 ms ,t j = 150 o C

2695

1990

kA 2s

Il simbolo

Descrizione

Valore

Unità

T jmax

Temperatura massima di giunzione

175

o C

T - Giappone

Temperatura di funzionamento della giunzione

-40 a +150

o C

T STG

Intervallo di temperatura di conservazione

-40 a +125

o C

V ISO

Tensione di Isolazione RMS,f=50Hz,t =1min

4000

V

Il simbolo

Parametri

Condizioni di prova

Min.

Tipo.

Max.

Unità

V CE (sat)

Collettore all'emittente Tensione di saturazione

Io C =3600A,V GE = 15V, T j = 25 o C

1.85

2.30

V

Io C =3600A,V GE = 15V, T j = 125 o C

2.25

Io C =3600A,V GE = 15V, T j = 150 o C

2.30

V GE (th )

Limita di emissione della porta Tensione

Io C =144,0 mA ,V CE = V GE , T j = 25 o C

5.6

6.2

6.8

V

Io CES

Collettore Taglio -OFF Corrente

V CE = V CES ,V GE =0V, T j = 25 o C

5.0

mA

Io GES

Perforazione del portello Corrente

V GE = V GES ,V CE =0V, T j = 25 o C

400

nA

R Gint

Resistenza interna della porta

0.7

ω

C ies

Capacità di ingresso

V CE = 25V, f=100 kHz, V GE =0V

427

nF

C res

Trasferimento inverso Capacità

10.7

nF

Q G

Importo della porta

V GE =-15...+15V

35.3

μC

t p (oN )

Tempo di ritardo di accensione

V CC =900V,I C =3600A, R Gon =1.2Ω, R Goff = 0,9Ω, V GE =-9V/+15V,

L S =65 nH ,T j = 25 o C

1161

nS

t r

Tempo di risalita

413

nS

t d ((off)

Disattivamento Tempo di ritardo

4761

nS

t f

Tempo di caduta

430

nS

E oN

Accendere Commutazione Perdita

1734

mJ

E oFF

Sconto di accensione Perdita

2580

mJ

t p (oN )

Tempo di ritardo di accensione

V CC =900V,I C =3600A, R Gon =1.2Ω, R Goff = 0,9Ω, V GE =-9V/+15V,

L S =65 nH ,T j = 125 o C

1370

nS

t r

Tempo di risalita

547

nS

t d ((off)

Disattivamento Tempo di ritardo

5303

nS

t f

Tempo di caduta

457

nS

E oN

Accendere Commutazione Perdita

2679

mJ

E oFF

Sconto di accensione Perdita

2881

mJ

t p (oN )

Tempo di ritardo di accensione

V CC =900V,I C =3600A, R Gon =1.2Ω, R Goff = 0,9Ω, V GE =-9V/+15V,

L S =65 nH ,T j = 150 o C

1413

nS

t r

Tempo di risalita

585

nS

t d ((off)

Disattivamento Tempo di ritardo

5490

nS

t f

Tempo di caduta

473

nS

E oN

Accendere Commutazione Perdita

2863

mJ

E oFF

Sconto di accensione Perdita

2960

mJ

Io SC

Dati SC

t P ≤10μs, V GE = 15V,

T j = 150 o C,V CC =1000V, V CEM ≤1700V

14.0

kA

Il simbolo

Parametri

Condizioni di prova

Min.

Tipo.

Max.

Unità

V F

Diodo di avanzamento Tensione

Io F =3600A,V GE =0V,T j = 25o C

1.80

2.25

V

Io F =3600A,V GE =0V,T j = 125 o C

1.90

Io F =3600A,V GE =0V,T j = 150 o C

1.95

Q r

Importo recuperato

V R =900V,I F =3600A,

-de/dt=7000A/μs,V GE =-9V, L S =65 nH ,T j = 25 o C

207

μC

Io RM

Verso il picco inverso

Corrente di recupero

1030

A

E ricerca

Ritorno al recupero Energia

199

mJ

Q r

Importo recuperato

V R =900V,I F =3600A,

-de/dt=5700/μs,V GE =-9V, L S =65 nH ,T j = 125 o C

288

μC

Io RM

Verso il picco inverso

Corrente di recupero

1020

A

E ricerca

Ritorno al recupero Energia

339

mJ

Q r

Importo recuperato

V R =900V,I F =3600A,

- di/dt=5200A/μs,V GE =-9V, L S =65 nH ,T j = 150 o C

391

μC

Io RM

Verso il picco inverso

Corrente di recupero

996

A

E ricerca

Ritorno al recupero Energia

341

mJ

Il simbolo

Parametri

Min.

Tipo.

Max.

Unità

L CE

Induttanza di deflusso

6.0

nH

R CC+EE

Modulo di resistenza al piombo, Terminal a chip

0.085

mΩ

R ilJC

Giunti -a -Caso (perIGBT ) Giunzione-a-Cassa (per Di odo)

7.0 12.8

K/kW

R thCH

Caso -a -Dissipatore di Calore (perIGBT )Caso-a-Radiatore (pe r Diode) Caso-a-Radiatore (per M odulo)

6.2 11.3 4.0

K/kW

p Creep

Terminale-al-Radiatore Terminale-a-Terminale

32.2 32.2

mm

p Chiaro

Terminale-al-Radiatore Terminale-a-Terminale

19.1 19.1

mm

M

Torsione di connessione terminale, Vite M4 Torsione di connessione terminale, Vite M8 Torsione di montaggio Vite M6

1.8 8.0 4.25

2.1

10

5.75

N.M

G

Peso di Modulo

2060

g