Modulo IGBT 1700V

GD3600SGX170C4S,Modulo IGBT,Modulo IGBT ad alta corrente,STARPOWER

GD3600SGX170C4S,Modulo IGBT,Modulo IGBT ad alta corrente,STARPOWER

1700V 3600A, C4

Brand:

Strumento di controllo

Spu:

GD3600SGX170C4S

Introduzione
Outline

Introduzione

Breve introduzione

Modulo IGBT ,prodotto da STARPOWER. 1 700V 3600A ,C4 .

Caratteristiche

Tecnologia IGBT a bassa velocità di scarico (VCE)
capacità di cortocircuito di 10 μs
VCE (sat) con coefficiente di temperatura positivo
Temperatura massima di giunzione 175 ℃
Cassa a bassa induttanza
FWD antiparallelo di recupero inverso veloce e morbido
Piastra di base in rame isolato con tecnologia DBC

Applicazioni tipiche

Convertitori ad alta potenza
Azionamenti per motori

Assoluto Massimo Classificazioni T C = 25 o C a meno che altrimenti notato

IGBT

Il simbolo	Descrizione	Valore	Unità
V CES	Tensione tra collettore ed emittente	1700	V
V GES	Tensione del portatore-emittente	±20	V
Io C	Corrente del collettore @ T C =100 o C	3600	A
Io CM	Corrente Collettore a Impulso t p =1 ms	7200	A
P P	Dissipation di potenza massima @ T j = 175 o C	21.4	kw

Diodo

Il simbolo	Descrizione	Valore	Unità
V RRM	Volt inverso di picco ripetitivo età	1700	V
Io F	Diode Corrente continua in avanti Cu renta	3600	A
Io FM	Corrente in Avanti Massima del Diodo t p =1 ms	7200	A
Io FSM	Corrente di Surrogazione in Avanti V R =0V,T p =10ms, @T j = 25 o C @T j = 150 o C	23.22 19.95	kA
Io 2t	Io 2valore t,V R =0V,T p =10m s,T j = 25 o C Io 2valore t,V R =0V,T p = 10 ms ,t j = 150 o C	2695 1990	kA 2s

Modulo

Il simbolo	Descrizione	Valore	Unità
T jmax	Temperatura massima di giunzione	175	o C
T - Giappone	Temperatura di funzionamento della giunzione	-40 a +150	o C
T STG	Intervallo di temperatura di conservazione	-40 a +125	o C
V ISO	Tensione di Isolazione RMS,f=50Hz,t =1min	4000	V

IGBT Caratteristiche T C = 25 o C a meno che altrimenti notato

Il simbolo	Parametro	Condizioni di prova	Min.	Tipo.	Max.	Unità
V CE (sat)	Collettore all'emittente Tensione di saturazione	Io C =3600A,V GE = 15V, T j = 25 o C		1.85	2.30	V
		Io C =3600A,V GE = 15V, T j = 125 o C		2.25
		Io C =3600A,V GE = 15V, T j = 150 o C		2.30
V GE (th )	Limita di emissione della porta Tensione	Io C =144,0 mA ,V CE = V GE , T j = 25 o C	5.6	6.2	6.8	V
Io CES	Collettore Taglio -OFF Corrente	V CE = V CES ,V GE =0V, T j = 25 o C			5.0	mA
Io GES	Perforazione del portello Corrente	V GE = V GES ,V CE =0V, T j = 25 o C			400	nA
R Gint	Resistenza interna della porta			0.7		ω
C ies	Capacità di ingresso	V CE = 25V, f=100 kHz, V GE =0V		427		nF
C res	Trasferimento inverso Capacità	V CE = 25V, f=100 kHz, V GE =0V		10.7		nF
Q G	Importo della porta	V GE =-15...+15V		35.3		μC
t p (oN )	Tempo di ritardo di accensione	V CC =900V,I C =3600A, R Gon =1.2Ω, R Goff = 0,9Ω, V GE =-9V/+15V, L S =65 nH ,T j = 25 o C		1161		nS
t r	Tempo di risalita			413		nS
t d ((off)	Disattivamento Tempo di ritardo			4761		nS
t f	Tempo di caduta			430		nS
E oN	Accendere Commutazione Perdita			1734		mJ
E oFF	Sconto di accensione Perdita			2580		mJ
t p (oN )	Tempo di ritardo di accensione	V CC =900V,I C =3600A, R Gon =1.2Ω, R Goff = 0,9Ω, V GE =-9V/+15V, L S =65 nH ,T j = 125 o C		1370		nS
t r	Tempo di risalita			547		nS
t d ((off)	Disattivamento Tempo di ritardo			5303		nS
t f	Tempo di caduta			457		nS
E oN	Accendere Commutazione Perdita			2679		mJ
E oFF	Sconto di accensione Perdita			2881		mJ
t p (oN )	Tempo di ritardo di accensione	V CC =900V,I C =3600A, R Gon =1.2Ω, R Goff = 0,9Ω, V GE =-9V/+15V, L S =65 nH ,T j = 150 o C		1413		nS
t r	Tempo di risalita			585		nS
t d ((off)	Disattivamento Tempo di ritardo			5490		nS
t f	Tempo di caduta			473		nS
E oN	Accendere Commutazione Perdita			2863		mJ
E oFF	Sconto di accensione Perdita			2960		mJ
Io SC	Dati SC	t P ≤10μs, V GE = 15V, T j = 150 o C,V CC =1000V, V CEM ≤1700V		14.0		kA

Diodo Caratteristiche T C = 25 o C a meno che altrimenti notato

Il simbolo	Parametro	Condizioni di prova	Min.	Tipo.	Max.	Unità
V F	Diodo di avanzamento Tensione	Io F =3600A,V GE =0V,T j = 25o C		1.80	2.25	V
		Io F =3600A,V GE =0V,T j = 125 o C		1.90
		Io F =3600A,V GE =0V,T j = 150 o C		1.95
Q r	Importo recuperato	V R =900V,I F =3600A, -de/dt=7000A/μs,V GE =-9V, L S =65 nH ,T j = 25 o C		207		μC
Io RM	Verso il picco inverso Corrente di recupero			1030		A
E ricerca	Ritorno al recupero Energia			199		mJ
Q r	Importo recuperato	V R =900V,I F =3600A, -de/dt=5700/μs,V GE =-9V, L S =65 nH ,T j = 125 o C		288		μC
Io RM	Verso il picco inverso Corrente di recupero			1020		A
E ricerca	Ritorno al recupero Energia			339		mJ
Q r	Importo recuperato	V R =900V,I F =3600A, - di/dt=5200A/μs,V GE =-9V, L S =65 nH ,T j = 150 o C		391		μC
Io RM	Verso il picco inverso Corrente di recupero			996		A
E ricerca	Ritorno al recupero Energia			341		mJ

Modulo Caratteristiche T C = 25 o C a meno che altrimenti notato

Il simbolo	Parametro	Min.	Tipo.	Max.	Unità
L CE	Induttanza di deflusso		6.0		nH
R CC+EE	Modulo di resistenza al piombo, Terminal a chip		0.085		mΩ
R ilJC	Giunti -to -Caso (perIGBT ) Giunzione-a-Cassa (per Di odo)			7.0 12.8	K/kW
R thCH	Caso -to -Dissipatore di Calore (perIGBT )Caso-a-Radiatore (pe r Diode) Caso-a-Radiatore (per M odulo)		6.2 11.3 4.0		K/kW
p Creep	Terminale-al-Radiatore Terminale-a-Terminale		32.2 32.2		mm
p Chiaro	Terminale-al-Radiatore Terminale-a-Terminale		19.1 19.1		mm
M	Torsione di connessione terminale, Vite M4 Torsione di connessione terminale, Vite M8 Torsione di montaggio Vite M6	1.8 8.0 4.25		2.1 10 5.75	N.M
G	Peso di Modulo		2060		g