Modulo IGBT, GD1000HTA75P6HLT Starpower

Il simbolo

DESCRIZIONE

Valori

UNITÀ

V CES

Tensione tra collettore ed emittente

750

V

V GES

Tensione del portatore-emittente

±20

V

ICN

Collettore Cu implementato renta

1000

A

IC

Corrente del collettore @ T F =125o C

450

A

ICm

Corrente Collettore a Impulso t p =1 ms

2000

A

PD

Massima dissipazione di potenza ation @ T F =75o C T vj =175o C

1282

A

Il simbolo

DESCRIZIONE

Valori

UNITÀ

V RRM

Volt inverso di picco ripetitivo età

750

V

IFN

Collettore Cu implementato renta

1000

A

IF

Diode Corrente continua in avanti Cu renta

450

A

IFM

Corrente in Avanti Massima del Diodo t p =1 ms

2000

A

Il simbolo

DESCRIZIONE

Valore

UNITÀ

T vjmax

Temperatura massima di giunzione

175

o C

T vjop

Temperatura di funzionamento della giunzione continua

Per 10 secondi all'interno di un periodo di 30 secondi, occorrenza massimo 3000 volte durante la durata della vita

-40 a +150 +150 a +175

o C

T STG

Intervallo di temperatura di conservazione

-40 a +125

o C

V ISO

Tensione di isolamento RMS,f=50Hz,t=1 mIN

2500

V

d Creep

Terminale a dissipatore di calore Terminale a terminale

9.0 9.0

mm

d Chiaro

Terminale a dissipatore di calore Terminale a terminale

4.5 4.5

mm

Il simbolo

Parametro

Condizioni di prova

Min.

Tipo.

Max.

UNITÀ

V CE (sat)

Collettore all'emittente Tensione di saturazione

IC= 450 A,V GE = 15V, T vj =25o C

1.10

1.35

V

IC= 450 A,V GE = 15V, T vj =150o C

1.10

IC= 450 A,V GE = 15V, T vj =175o C

1.10

IC=1000A,V GE = 15V, T vj =25o C

1.40

IC=1000A,V GE = 15V, T vj =175o C

1.60

V GE (th)

Limita di emissione della porta Tensione

IC=12.9mA ,V CE =V GE , T vj =25o C

5.5

6.4

7.0

V

ICES

Collettore Tagliato -OFF Corrente

V CE =V CES ,V GE =0V, T vj =25o C

1.0

mA

IGES

Perforazione del portello Corrente

V GE =V GES ,V CE =0V, T vj =25o C

400

nA

Barra Gint

Resistenza interna della porta

1.2

ω

Cies

Capacità di ingresso

V CE =50V,f=100kHz, V GE =0V

66.7

nF

C- Non

Capacità di uscita

1.50

nF

Cres

Trasferimento inverso Capacità

0.35

nF

QG

Importo della porta

V CE =400V,I C = 450A, V GE =-15...+15V

4.74

μC

t d (attivo )

Tempo di ritardo di accensione

V CC =400V,I C= 450A,

Barra Gon =1.2Ω, Barra Goff =1,0Ω, V GE =-8V/+15V,

LS =24nH, T vj =25o C

244

nS

t barra

Tempo di risalita

61

nS

t d ((off)

Disattivamento Tempo di ritardo

557

nS

t f

Tempo di caduta

133

nS

Eattivo

Accendere Commutazione Perdita

11.0

mJ

EoFF

Sconto di accensione Perdita

22.8

mJ

t d (attivo )

Tempo di ritardo di accensione

V CC =400V,I C= 450A,

Barra Gon =1.2Ω, Barra Goff =1,0Ω, V GE =-8V/+15V,

LS =24nH, T vj =150o C

260

nS

t barra

Tempo di risalita

68

nS

t d ((off)

Disattivamento Tempo di ritardo

636

nS

t f

Tempo di caduta

226

nS

Eattivo

Accendere Commutazione Perdita

16.9

mJ

EoFF

Sconto di accensione Perdita

32.2

mJ

t d (attivo )

Tempo di ritardo di accensione

V CC =400V,I C= 450A,

Barra Gon =1.2Ω, Barra Goff =1,0Ω, V GE =-8V/+15V,

LS =24nH, T vj =175o C

264

nS

t barra

Tempo di risalita

70

nS

t d ((off)

Disattivamento Tempo di ritardo

673

nS

t f

Tempo di caduta

239

nS

Eattivo

Accendere Commutazione Perdita

19.2

mJ

EoFF

Sconto di accensione Perdita

33.6

mJ

ISC

Dati SC

t P≤6μs, V GE = 15V,

T vj =25o C,V CC =400V, V CEM ≤750V

4900

A

t P≤3μs, V GE = 15V,

T vj =175o C,V CC =400V, V CEM ≤750V

3800

Il simbolo

Parametro

Condizioni di prova

Min.

Tipo.

Max.

UNITÀ

V F

Diodo di avanzamento Tensione

IF = 450 A,V GE =0V,T vj =25o C

1.40

1.65

V

IF = 450 A,V GE =0V,T vj =150o C

1.35

IF = 450 A,V GE =0V,T vj =175o C

1.30

IF =1000A,V GE =0V,T vj =25o C

1.80

IF =1000A,V GE =0V,T vj =175o C

1.80

Qbarra

Importo recuperato

V Barra =400V,I F = 450A,

-di/dt=7809A/μs,V GE =-8V LS =24nH ,T vj =25o C

18.5

μC

IRM

Verso il picco inverso

Corrente di recupero

303

A

Ericerca

Ritorno al recupero Energia

3.72

mJ

Qbarra

Importo recuperato

V Barra =400V,I F = 450A,

-di/dt=6940A/μs,V GE =-8V LS =24nH ,T vj =150o C

36.1

μC

IRM

Verso il picco inverso

Corrente di recupero

376

A

Ericerca

Ritorno al recupero Energia

8.09

mJ

Qbarra

Importo recuperato

V Barra =400V,I F = 450A,

-di/dt=6748A/μs,V GE =-8V LS =24nH ,T vj =175o C

40.1

μC

IRM

Verso il picco inverso

Corrente di recupero

383

A

Ericerca

Ritorno al recupero Energia

9.01

mJ

Il simbolo

Parametro

Condizioni di prova

Min.

Tipo.

Max.

UNITÀ

Barra 25

Resistenza Nominale

5.0

kΩ

∆R/R

Deviazione di Barra 100

T C=100 o C,R 100=493.3Ω

-5

5

%

P25

Potenza

Dissipazione

20.0

mW

B 25/50

Valore B

Barra 2=R 25esp [B 25/50(1/T 2- 1/(298.15K))]

3375

K

B 25/80

Valore B

Barra 2=R 25esp [B 25/80(1/T 2- 1/(298.15K))]

3411

K

B 25/100

Valore B

Barra 2=R 25esp [B 25/100(1/T 2- 1/(298.15K))]

3433

K

Il simbolo

Parametro

Min.

Tipo.

Max.

UNITÀ

LCE

Induttanza di deflusso

8

nH

Barra CC+EE

Resistenza di Piombo del Modulo, Terminale a Chip

0.75

mΩ

p

Pressione massima in circolo di raffreddamento cuo

T piastra di base <40o C

T piastra di base 40o C

(pressione relativa)

2.5 2.0

barra

Barra thJF

Giunti -a -Raffreddamento In acqua fredda (perIGBT )Giunzione-a-Fluido di Raffreddamento (per D iodio) △V/ △t=10.0 dm 3/mIN ,T F =75o C

0.068 0.105

0.078 0.120

C/W

M

Torsione di connessione terminale, Vattone M5 Torsione di montaggio Vite M4

3.6 1.8

4.4 2.2

N.M

G

Peso di Modulo

750

g