Modulo IGBT, GD1000HTA75P6HLT Starpower

Il simbolo

Descrizione

Valori

Unità

V CES

Tensione tra collettore ed emittente

750

V

V GES

Tensione del portatore-emittente

±20

V

Io CN

Collettore Cu implementato renta

1000

A

Io C

Corrente del collettore @ T F = 125 o C

450

A

Io CM

Corrente Collettore a Impulso t p =1 ms

2000

A

P P

Massima dissipazione di potenza ation @ T F =75 o C T vj = 175 o C

1282

W

Il simbolo

Descrizione

Valori

Unità

V RRM

Volt inverso di picco ripetitivo età

750

V

Io FN

Collettore Cu implementato renta

1000

A

Io F

Diode Corrente continua in avanti Cu renta

450

A

Io FM

Corrente in Avanti Massima del Diodo t p =1 ms

2000

A

Il simbolo

Descrizione

Valore

Unità

T vjmax

Temperatura massima di giunzione

175

o C

T vjop

Temperatura di funzionamento della giunzione continua

Per 10 secondi all'interno di un periodo di 30 secondi, occorrenza massimo 3000 volte durante la durata della vita

-40 a +150 +150 a +175

o C

T STG

Intervallo di temperatura di conservazione

-40 a +125

o C

V ISO

Tensione di isolamento RMS,f=50Hz,t=1 min

2500

V

p Creep

Terminale a dissipatore di calore Terminale a terminale

9.0 9.0

mm

p Chiaro

Terminale a dissipatore di calore Terminale a terminale

4.5 4.5

mm

Il simbolo

Parametri

Condizioni di prova

Min.

Tipo.

Max.

Unità

V CE (sat)

Collettore all'emittente Tensione di saturazione

Io C = 450 A,V GE = 15V, T vj = 25 o C

1.10

1.35

V

Io C = 450 A,V GE = 15V, T vj = 150 o C

1.10

Io C = 450 A,V GE = 15V, T vj = 175 o C

1.10

Io C =1000A,V GE = 15V, T vj = 25 o C

1.40

Io C =1000A,V GE = 15V, T vj = 175 o C

1.60

V GE (th )

Limita di emissione della porta Tensione

Io C =12.9 mA ,V CE = V GE , T vj = 25 o C

5.5

6.4

7.0

V

Io CES

Collettore Taglio -OFF Corrente

V CE = V CES ,V GE =0V, T vj = 25 o C

1.0

mA

Io GES

Perforazione del portello Corrente

V GE = V GES ,V CE =0V, T vj = 25 o C

400

nA

R Gint

Resistenza interna della porta

1.2

ω

C ies

Capacità di ingresso

V CE =50V,f=100kHz, V GE =0V

66.7

nF

C - Non

Capacità di uscita

1.50

nF

C res

Trasferimento inverso Capacità

0.35

nF

Q G

Importo della porta

V CE =400V,I C = 450A, V GE =-15...+15V

4.74

μC

t p (oN )

Tempo di ritardo di accensione

V CC =400V,I C = 450A,

R Gon =1.2Ω, R Goff =1,0Ω, V GE =-8V/+15V,

L S =24nH, T vj = 25 o C

244

nS

t r

Tempo di risalita

61

nS

t d ((off)

Disattivamento Tempo di ritardo

557

nS

t f

Tempo di caduta

133

nS

E oN

Accendere Commutazione Perdita

11.0

mJ

E oFF

Sconto di accensione Perdita

22.8

mJ

t p (oN )

Tempo di ritardo di accensione

V CC =400V,I C = 450A,

R Gon =1.2Ω, R Goff =1,0Ω, V GE =-8V/+15V,

L S =24nH, T vj = 150 o C

260

nS

t r

Tempo di risalita

68

nS

t d ((off)

Disattivamento Tempo di ritardo

636

nS

t f

Tempo di caduta

226

nS

E oN

Accendere Commutazione Perdita

16.9

mJ

E oFF

Sconto di accensione Perdita

32.2

mJ

t p (oN )

Tempo di ritardo di accensione

V CC =400V,I C = 450A,

R Gon =1.2Ω, R Goff =1,0Ω, V GE =-8V/+15V,

L S =24nH, T vj = 175 o C

264

nS

t r

Tempo di risalita

70

nS

t d ((off)

Disattivamento Tempo di ritardo

673

nS

t f

Tempo di caduta

239

nS

E oN

Accendere Commutazione Perdita

19.2

mJ

E oFF

Sconto di accensione Perdita

33.6

mJ

Io SC

Dati SC

t P ≤6μs, V GE = 15V,

T vj = 25 o C,V CC =400V, V CEM ≤750V

4900

A

t P ≤3μs, V GE = 15V,

T vj = 175 o C,V CC =400V, V CEM ≤750V

3800

Il simbolo

Parametri

Condizioni di prova

Min.

Tipo.

Max.

Unità

V F

Diodo di avanzamento Tensione

Io F = 450 A,V GE =0V,T vj =2 5o C

1.40

1.65

V

Io F = 450 A,V GE =0V,T vj = 150 o C

1.35

Io F = 450 A,V GE =0V,T vj = 175 o C

1.30

Io F =1000A,V GE =0V,T vj = 25 o C

1.80

Io F =1000A,V GE =0V,T vj = 175 o C

1.80

Q r

Importo recuperato

V R =400V,I F = 450A,

-di/dt=7809A/μs,V GE =-8V L S = 24 nH ,T vj = 25 o C

18.5

μC

Io RM

Verso il picco inverso

Corrente di recupero

303

A

E ricerca

Ritorno al recupero Energia

3.72

mJ

Q r

Importo recuperato

V R =400V,I F = 450A,

-di/dt=6940A/μs,V GE =-8V L S = 24 nH ,T vj = 150 o C

36.1

μC

Io RM

Verso il picco inverso

Corrente di recupero

376

A

E ricerca

Ritorno al recupero Energia

8.09

mJ

Q r

Importo recuperato

V R =400V,I F = 450A,

-di/dt=6748A/μs,V GE =-8V L S = 24 nH ,T vj = 175 o C

40.1

μC

Io RM

Verso il picco inverso

Corrente di recupero

383

A

E ricerca

Ritorno al recupero Energia

9.01

mJ

Il simbolo

Parametri

Condizioni di prova

Min.

Tipo.

Max.

Unità

R 25

Resistenza Nominale

5.0

kΩ

∆R/R

Deviazione di R 100

T C =100 o C ,R 100=493.3Ω

-5

5

%

P 25

Potenza

Dissipazione

20.0

mW

B 25/50

Valore B

R 2=R 25esp [B 25/50 (1/T 2- 1/(298.15K))]

3375

K

B 25/80

Valore B

R 2=R 25esp [B 25/80 (1/T 2- 1/(298.15K))]

3411

K

B 25/100

Valore B

R 2=R 25esp [B 25/100 (1/T 2- 1/(298.15K))]

3433

K

Il simbolo

Parametri

Min.

Tipo.

Max.

Unità

L CE

Induttanza di deflusso

8

nH

R CC+EE

Resistenza di Piombo del Modulo, Terminale a Chip

0.75

mΩ

p

Pressione massima in circolo di raffreddamento cuo

T piastra di base < 40 o C

T piastra di base 40o C

(pressione relativa)

2.5 2.0

bar

R thJF

Giunti -a -Raffreddamento In acqua fredda (perIGBT )Giunzione-a-Fluido di Raffreddamento (per D iodio) △ V/ △ t=10.0 dm 3/min ,T F =75 o C

0.068 0.105

0.078 0.120

C/W

M

Torsione di connessione terminale, Vattone M5 Torsione di montaggio Vite M4

3.6 1.8

4.4 2.2

N.M

G

Peso di Modulo

750

g