Modulo IGBT, YMIF1500-33 | I1-01, Singolo IGBT, 38mm, CRRC

参数

符号

条件

最小值

massimo valore

单 位

极-发射极短路时的集电 极- emissioni 极

V CES

3300

V

集电极电流 (cluster di corrente elettrica)

Io C

1500

A

massimo raccolto di corrente elettrica

Io CM

t p =1 mS

3000

A

集电极-发射极短路时的 极- emissioni 极

V GES

-20

20

V

totale consumo di potenza

P - Non

T c =25°C, Tvj =150°C

14700

W

2° tubo di corrente media diretta

Io F

1500

A

2° tubo retrogrado

Io MF

3000

A

2° tubo 浪涌电流

Io FSM

V R =0V, T vj =150°C, t p =10 mS ,正弦半波

13500

A

短路安全工作区 (Aula di sicurezza in corridoio breve)

t psc

V CC =2500V, V GE ≤ 15 V, T vj ≤ 150°C

10

μs

绝缘电压

V isolato

1min ,f=50 HZ

6000

V

结温

T vj

175

°C

T vj(op)

-50

150

°C

温

T c

-50

150

°C

temperatura di conservazione

T sTG

-50

125

°C

M s

底板与散热器 (Trambe il piatto e il distributore di calore) M6 螺丝

4

6

Nm

M t1

principale elettrodo M8 螺丝

8

10

M t2

辅助电极 M4 螺丝

2

3

参数

符号

条件

最小值

特征值

massimo valore

unità

极-发射极短路时的 集电极-发射极电压

V (BR )CES

V GE =0V, Io C =10 mA ,T vj = 25°C

3300

V

集电极-发射极和电 压

V CEsat

Io C =1500A, V GE =15V

T vj = 25°C

2.5

2.9

V

T vj = 125°C

3.1

3.4

V

T vj = 150°C

3.25

集电极截止电流 (cluster di corrente elettrica)

Io CES

V CE =3300V, V GE =0V

T vj = 25°C

0.06

4

mA

T vj = 125°C

20

40

mA

T vj = 150°C

100

极漏电流 (极 scappamento di corrente)

Io GES

V CE =0V, V GE = ± 20V, T vj = 125°C

-500

500

nA

极-emissioni极 valore di tensione elettrica

V GE (th)

Io C = 240 mA ,V CE = V GE ,T vj = 25°C

5

7

V

极电荷

Q G

Io C =1500A, V CE =1800V, V GE =-15V..15V

11

μC

C ies

V CE = 25V, V GE =0V,f=1 MHz , T vj = 25°C

151

nF

capacità di uscita

C - Non

12.6

capacità di trasmissione inversa

C res

3.85

开通延迟

t p (oN )

V CC =1800V, Io C =1500A,

V GE =± 15V, Cge =330 nF ,

R G = 1.0ω - Sì, sì. σ =280 nH ,

感性负载 (in inglese)

T vj = 25°C

650

nS

T vj = 125°C

590

T vj =150°C

590

升时间

t r

T vj = 25°C

240

T vj = 125°C

270

T vj =150°C

280

关断延迟

t p (oFF )

V CC =1800V, Io C =1500A,

V GE =± 15V, Cge =330 nF ,

R G = 1.0ω - Sì, sì. σ =280 nH ,

感性负载 (in inglese)

T vj = 25°C

1600

nS

T vj = 125°C

1750

T vj =150°C

1800

- Il tempo scende.

t f

T vj = 25°C

380

T vj = 125°C

440

T vj =150°C

470

开通能量

E oN

V CC =1800V, Io C =1500A,

V GE =± 15V, Cge =330 nF ,

R G = 1.0ω - Sì, sì. σ =280 nH ,

感性负载 (in inglese)

T vj = 25°C

1600

mJ

T vj = 125°C

2150

T vj =150°C

2350

关断能量 (Gran parte della mia energia)

E oFF

V CC =1800V, Io C =1500A,

V GE =± 15V, Cge =330 nF ,

R G = 1.0ω - Sì, sì. σ =280 nH ,

感性负载 (in inglese)

T vj = 25°C

2`00

mJ

T vj = 125°C

2800

T vj =150°C

3000

corrente di cortocircuito

Io SC

t psc ≤10μs, V GE = 15V, T vj =150°C, V CC =2500V,

6400

A

induttanza parassita

L σ CE

8

nH

参数

符号

条件

最小值

特征值

massimo valore

unità

tensione media diretta del diodo

V F

Io F =1500A

T vj = 25°C

2.05

2.5

V

T vj = 125°C

2.25

2.6

T vj = 150°C

2.2

corrente di recupero inversa

Io r

V CC =1800V,

Io C =1500A,

V GE =± 15V,

R G = 1.3ω ,

Cge = 220 nF

L σ =280 nH ,

感性负载 (in inglese)

T vj = 25°C

1700

A

T vj = 125°C

1850

A

T vj = 150°C

1900

carica di recupero inversa

Q r

T vj = 25°C

950

μC

T vj = 125°C

1550

μC

T vj = 150°C

1800

tempo di recupero inverso

t r

T vj = 25°C

1050

nS

T vj = 125°C

1350

T vj = 150°C

1500

energia di recupero inversa

E ricerca

T vj = 25°C

1150

mJ

T vj = 125°C

1900

T vj = 150°C

2250