Breve introduzione
Modulo tiristore/diodo e, MTx1000 MFx1000 MT1 ，1000A ,Raffreddamento ad acqua ，prodotto da TECHSEM.
VRRM,VDRM |
Tipo e contorno |
|
600V
800V
1000V
1200V
1400V
1600V
1800V
1800V
|
MT3 MT3 MT4 MT4 MT4 MT4 MT5 MT5 MT5 MT5 MT5 MT5 MT5 MT5 MT5 MT5 MT5 MT5 MT5 MT5 MT5 MT5 MT5 MT5 MT5 MT5 MT5 MT5 MT5 MT5 MT5 MT5 MT5 MT5 MT5 MT5 MT5 MT5 MT5 |
MFx1000-06-411F3
MFx1000-08-411F3
MFx1000-10-411F3
MFx1000-12-411F3
MFx1000-14-411F3
MFx1000-16-411F3
MFx1000-18-411F3
|
|
MTx significa qualsiasi tipo di MTC, MTA, MTK
MFx significa qualsiasi tipo di MFC, MFA, MFK
|
Caratteristiche
- Base di montaggio isolata 3000V~
- Tecnologia di contatto a pressione con
- Maggiore capacità di cicli di potenza
- Risparmio di spazio e peso
Applicazioni tipiche
- Motori a corrente alternata
- Vari rettificatori
- Fornitura di corrente continua per inversione PWM
|
Il simbolo
|
Caratteristica
|
Condizioni di prova
|
Tj( ℃ ) |
Valore |
Unità
|
Min |
TIPO |
Max |
IT(AV) |
Corrente media in stato di accensione |
180° mezza onda sinusoidale 50Hz
Conducibile a raffreddamento a lato singolo, THS=55 ℃
|
125
|
|
|
1000 |
A |
IT(RMS) |
Corrente di stato RMS |
|
|
1570 |
A |
Idrm Irrm |
Corrente di picco ripetitiva |
a VDRM a VRRM |
125 |
|
|
55 |
mA |
ITSM |
Corrente di sovratensione in stato di accensione |
VR=60%VRRM, t=10ms mezzo seno |
125 |
|
|
26.0 |
kA |
I2t |
I2t per coordinazione fusibile |
125 |
|
|
3380 |
103A 2s |
VTO |
Voltaggio di soglia |
|
125
|
|
|
0.81 |
V |
rT |
Resistenza di pendenza in stato di accensione |
|
|
0.21 |
mΩ |
VTM |
Tensione di picco in stato di accensione |
ITM=3000A |
25 |
|
|
2.05 |
V |
dv/dt |
Tasso critico di aumento della tensione in stato di off |
VDM=67%VDRM |
125 |
|
|
1000 |
V/μs |
di/dt |
Tasso critico di aumento della corrente in stato di funzionamento |
Gate source 1.5A
tr ≤ 0,5 μs Ripetitiva
|
125 |
|
|
200 |
A/μs |
IGT |
Corrente di attivazione del gate |
VA= 12V, IA= 1A
|
25
|
30 |
|
200 |
mA |
Vgt |
Tensione di attivazione del gate |
0.8 |
|
3.0 |
V |
IH |
Corrente di mantenimento |
10 |
|
200 |
mA |
IL |
Corrente di aggancio |
|
|
1000 |
mA |
VGD |
Tensione di gate non attivata |
VDM=67%VDRM |
125 |
|
|
0.20 |
V |
Rth(j-c) |
Resistenza termica Giunzione a custodia |
Frigoriferi a lato singolo per chip |
|
|
|
0.048 |
℃ /W |
Rth(c-h) |
Resistenza termica case a dissipatore |
Frigoriferi a lato singolo per chip |
|
|
|
0.018 |
℃ /W |
VISO |
Tensione di isolamento |
50Hz,R.M.S,t= 1min,Iiso:1mA(MAX) |
|
3000 |
|
|
V |
|
FM
|
Torsione di connessione terminale ((M12) |
|
|
12 |
|
16 |
N·m |
Torsione di montaggio ((M8) |
|
|
10 |
|
12 |
N·m |
Tvj |
Temperatura di giunzione |
|
|
-40 |
|
125 |
℃ |
TSTG |
Temperatura di immagazzinamento |
|
|
-40 |
|
125 |
℃ |
Wt |
Peso |
|
|
|
3230 |
|
g |
Outline |
411F3 |
EN
