■Caratteristiche
-
Die IGBT a bassissime perdite sottile
- Design SPT+ altamente resistente
- Ampio SOA
- Passivazione: Nitruro più poliimmide
■ Massimo Valori nominali
Parametri |
Il simbolo |
Condizioni |
Valore |
Unità |
min |
max |
Tensione tra collettore ed emittente |
V CES |
V GE = 0 V |
|
3300 |
V |
Corrente di collettore DC |
Io C |
|
|
63 |
A |
Corrente di picco del collettore |
Io CM |
Limitato da Tvjmax |
|
125 |
A |
Tensione del portatore-emittente |
V GES |
|
-20 |
+20 |
V |
SOA di cortocircuito IGBT |
t psc |
V CC = 2500 V, V CEM ≤ 3300 V, V GE ≤ 15 V,T vj ≤ 150 ° C |
|
10 |
μs |
Temperatura di giunzione |
T vj |
|
-40 |
125 |
°C |
■ Valori caratteristici IGBT
Parametri |
Il simbolo |
Condizioni |
Valore |
Unità |
Min. |
Tipo. |
Max. |
Co tensione di Rottura Collettore-Emettitore |
V ((BR) CES |
VGE = 0 V, IC = 1 mA, Tvj = 25 °C |
3300 |
|
|
V |
Tensione di saturazione del collettore-emettitore |
VCE (sat) |
IC = 63 A, VGE = 15 V |
Tvj = 25 °C |
|
2.45 |
2.95 |
V |
Tvj = 150 °C |
|
3.30 |
3.80 |
V |
Corrente di taglio collettore-emittente |
ICES |
VCE = 3300 V,VGE = 0 V |
Tvj = 25 °C |
|
|
100 |
µA |
Tvj = 150 °C |
|
2000 |
|
µA |
Corrente di perdita del portatore-emettitore |
IGES |
VCE = 0 V,VGE = ±20 V, Tvj = 150 °C |
-500 |
|
500 |
nA |
Tensione di soglia del portale-emittente |
VGE (th) |
IC = 10 mA, VCE = VGE, Tvj = 25 °C |
5.8 |
6.8 |
7.8 |
V |
Importo della porta |
CdG |
IC = 63 A, VCE = 1800 V, VGE = -15 V ~ 15 V |
|
500 |
|
nC |
Capacità di ingresso |
- Cies |
VCE = 25 V, VGE = 0 V, f = 1 MHz, Tvj = 25 °C
|
|
6.38 |
|
nF |
Capacità di uscita |
Coes |
|
0.5 |
|
nF |
Capacità di trasferimento inverso |
Cres |
|
0.13 |
|
nF |
Resistenza interna della porta |
RGint |
|
|
5 |
|
ω |
Tempo di ritardo di accensione |
td (in) |
VCC = 1800 V, IC = 63 A,
RG = 24 Ω, CGE = 13,75 nF, VGE = ±15 V,
Ls = 3600 nH, carico induttivo
|
Tvj = 25 °C |
|
600 |
|
nS |
Tvj = 150 °C |
|
680 |
|
nS |
Tempo di risalita |
tr |
Tvj = 25 °C |
|
260 |
|
nS |
Tvj = 150 °C |
|
300 |
|
nS |
Tempo di ritardo di spegnimento |
td (off) |
Tvj = 25 °C |
|
1700 |
|
nS |
Tvj = 150 °C |
|
1900 |
|
nS |
Tempo di caduta |
tF |
Tvj = 25 °C |
|
1000 |
|
nS |
Tvj = 150 °C |
|
1500 |
|
nS |
Accensione di energia di commutazione |
EON |
VCC = 1800 V, IC = 63 A,
RG = 24 Ω, CGE = 13,75 nF, VGE = ±15 V,
Ls = 3600 nH, carico induttivo,
FWD: ½ DD125F33K2
|
Tvj = 25 °C |
|
67 |
|
mJ |
Tvj = 150 °C |
|
91 |
|
mJ |
Disattivazione Energia di commutazione |
EOFF |
Tvj = 25 °C |
|
88 |
|
mJ |
Tvj = 150 °C |
|
110 |
|
mJ |
Corrente di cortocircuito |
Isc |
VGE = 15 V, tpsc ≤ 10 µs, VCC = 2500 V, Tvj = 150 °C, VCEM ≤ 3300 V |
|
270 |
|
A |


Catalogo IGBT Dies
- Un'ampia gamma di prodotti soddisfa le esigenze dei clienti per wafer IGBT di diversi livelli di tensione.
- I clienti possono scegliere tra wafer da 8 pollici e da 12 pollici, il che li aiuta a ridurre efficacemente i costi.
IGBT Catalogo dei wafer
Articolo n.
|
S p ec |
TECNOLOGIA |
Banda |
Tensione |
C - Renta |
10 |
di potenza superiore a 50 kVA |
50A |
Ep T -FS |
|
3300V |
62.5A |
Ep T -FS |
|
di potenza superiore a 600 V |
75A |
Trench-FS |
|
100A |
Trench-FS |
|
150A |
Trench-FS |
|
200A |
Trench-FS |
|
1200V |
100A |
Trench-FS |
|
140A |
Trench-FS |
|
150A |
Trench-FS |
|
200A |
Trench-FS |
|
250a |
Trench-FS |
|
300A |
Trench-FS |
|
950V |
100A |
Trench-FS |
|
200A |
Trench-FS |
|
750V |
200A |
Trench-FS |
|
315A |
Trench-FS |
|
650V |
75A |
Trench-F S |
|
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Capacità produttiva sufficiente
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