GD300HFX170C2SA, Modulo IGBT, STARPOWER

Il simbolo

Descrizione

Valori

Unità

V CES

Tensione tra collettore ed emittente

1700

V

V GES

Tensione del portatore-emittente

±20

V

Io C

Corrente del collettore @ T C =25o C @ T C =100o C

493

300

A

Io CM

Corrente Collettore a Impulso t p =1 ms

600

A

P P

Dissipation di potenza massima @ T vj =175o C

1829

W

Il simbolo

Descrizione

Valori

Unità

V RRM

Volt inverso di picco ripetitivo età

1700

V

Io F

Diode Corrente continua in avanti Cu renta

300

A

Io FM

Corrente in Avanti Massima del Diodo t p =1 ms

600

A

Il simbolo

Parametri

Condizioni di prova

Min.

Tipo.

Max.

Unità

V CE (sat)

Collettore all'emittente Tensione di saturazione

Io C =300A,V GE = 15V, T vj =25o C

1.85

2.30

V

Io C =300A,V GE = 15V, T vj =125o C

2.25

Io C =300A,V GE = 15V, T vj =150o C

2.35

V GE (th )

Limita di emissione della porta Tensione

Io C =12.0mA ,V CE =V GE , T vj =25o C

5.6

6.2

6.8

V

Io CES

Collettore Taglio -OFF Corrente

V CE =V CES ,V GE =0V, T vj =25o C

1.0

mA

Io GES

Perforazione del portello Corrente

V GE =V GES ,V CE =0V, T vj =25o C

400

nA

R Gint

Resistenza al cancello interno atteggiamento

2.5

ω

C ies

Capacità di ingresso

V CE = 25V, f=1MHz, V GE =0V

36.1

nF

C res

Trasferimento inverso Capacità

0.88

nF

Q G

Importo della porta

V GE =-15 ...+15V

2.83

μC

t p (oN )

Tempo di ritardo di accensione

V CC =900V,I C =300A, R G =2.4Ω, Ls=42nH, V GE =± 15V,

T vj =25o C

355

nS

t r

Tempo di risalita

71

nS

t d ((off)

Disattivamento Tempo di ritardo

473

nS

t f

Tempo di caduta

337

nS

E oN

Accendere Commutazione Perdita

89.3

mJ

E oFF

Sconto di accensione Perdita

46.3

mJ

t p (oN )

Tempo di ritardo di accensione

V CC =900V,I C =300A, R G =2.4Ω, Ls=42nH, V GE =± 15V,

T vj =125o C

383

nS

t r

Tempo di risalita

83

nS

t d ((off)

Disattivamento Tempo di ritardo

549

nS

t f

Tempo di caduta

530

nS

E oN

Accendere Commutazione Perdita

126

mJ

E oFF

Sconto di accensione Perdita

68.5

mJ

t p (oN )

Tempo di ritardo di accensione

V CC =900V,I C =300A, R G =2.4Ω, Ls=42nH, V GE =± 15V,

T vj =150o C

389

nS

t r

Tempo di risalita

88

nS

t d ((off)

Disattivamento Tempo di ritardo

575

nS

t f

Tempo di caduta

585

nS

E oN

Accendere Commutazione Perdita

139

mJ

E oFF

Sconto di accensione Perdita

73.4

mJ

Io SC

Dati SC

t P ≤10μs, V GE = 15V,

T vj =150o C,V CC =1000V,

V CEM ≤1700V

1200

A

Il simbolo

Parametri

Condizioni di prova

Min.

Tipo.

Max.

Unità

V F

Diodo di avanzamento Tensione

Io F =300A,V GE =0V,T vj =25o C

1.80

2.25

V

Io F =300A,V GE =0V,T vj =125o C

1.95

Io F =300A,V GE =0V,T vj =150o C

1.90

Q r

Importo recuperato

V R =900V,I F =300A,

-di/dt=3247A/μs,V GE = 15V LS =42nH ,T vj =25o C

68

μC

Io RM

Verso il picco inverso

Corrente di recupero

202

A

E ricerca

Ritorno al recupero Energia

34.5

mJ

Q r

Importo recuperato

V R =900V,I F =300A,

-di/dt=2579A/μs,V GE = 15V LS =42nH ,T vj =125o C

114

μC

Io RM

Verso il picco inverso

Corrente di recupero

211

A

E ricerca

Ritorno al recupero Energia

61.2

mJ

Q r

Importo recuperato

V R =900V,I F =300A,

-di/dt=2395A/μs,V GE = 15V LS =42nH ,T vj =150o C

136

μC

Io RM

Verso il picco inverso

Corrente di recupero

217

A

E ricerca

Ritorno al recupero Energia

73.9

mJ

Il simbolo

Parametri

Min.

Tipo.

Max.

Unità

L CE

Induttanza di deflusso

20

nH

R CC+EE

Resistenza di Piombo del Modulo, Terminale a Chip

0.35

mΩ

R ilJC

Giunti -a -Caso (perIGBT ) Connessione con il caso (per D) iodio)

0.082 0.127

C/W

R thCH

Cassa-sink (per IGBT) Caso-a-Radiatore (pe r Diode) Caso-a-Radiatore (per M odulo)

0.033 0.051 0.010

C/W

M

Torsione di connessione terminale, Vite M6 Torsione di montaggio Vite M6

2.5 3.0

5.0 5.0

N.M

G

Peso di Modulo

300

g