GD300HFX170C2SA, Modulo IGBT, STARPOWER

Il simbolo

DESCRIZIONE

Valori

UNITÀ

V CES

Tensione tra collettore ed emittente

1700

V

V GES

Tensione del portatore-emittente

±20

V

IC

Corrente del collettore @ T C=25o C @ T C=100o C

493

300

A

ICm

Corrente Collettore a Impulso t p =1 ms

600

A

PD

Dissipation di potenza massima @ T vj =175o C

1829

A

Il simbolo

DESCRIZIONE

Valori

UNITÀ

V RRM

Volt inverso di picco ripetitivo età

1700

V

IF

Diode Corrente continua in avanti Cu renta

300

A

IFM

Corrente in Avanti Massima del Diodo t p =1 ms

600

A

Il simbolo

Parametro

Condizioni di prova

Min.

Tipo.

Max.

UNITÀ

V CE (sat)

Collettore all'emittente Tensione di saturazione

IC=300A,V GE = 15V, T vj =25o C

1.85

2.30

V

IC=300A,V GE = 15V, T vj =125o C

2.25

IC=300A,V GE = 15V, T vj =150o C

2.35

V GE (th)

Limita di emissione della porta Tensione

IC=12.0mA ,V CE =V GE , T vj =25o C

5.6

6.2

6.8

V

ICES

Collettore Tagliato -OFF Corrente

V CE =V CES ,V GE =0V, T vj =25o C

1.0

mA

IGES

Perforazione del portello Corrente

V GE =V GES ,V CE =0V, T vj =25o C

400

nA

Barra Gint

Resistenza al cancello interno atteggiamento

2.5

ω

Cies

Capacità di ingresso

V CE = 25V, f=1MHz, V GE =0V

36.1

nF

Cres

Trasferimento inverso Capacità

0.88

nF

QG

Importo della porta

V GE =-15 ...+15V

2.83

μC

t d (attivo )

Tempo di ritardo di accensione

V CC =900V,I C=300A, Barra G=2.4Ω, Ls=42nH, V GE =± 15V,

T vj =25o C

355

nS

t barra

Tempo di risalita

71

nS

t d ((off)

Disattivamento Tempo di ritardo

473

nS

t f

Tempo di caduta

337

nS

Eattivo

Accendere Commutazione Perdita

89.3

mJ

EoFF

Sconto di accensione Perdita

46.3

mJ

t d (attivo )

Tempo di ritardo di accensione

V CC =900V,I C=300A, Barra G=2.4Ω, Ls=42nH, V GE =± 15V,

T vj =125o C

383

nS

t barra

Tempo di risalita

83

nS

t d ((off)

Disattivamento Tempo di ritardo

549

nS

t f

Tempo di caduta

530

nS

Eattivo

Accendere Commutazione Perdita

126

mJ

EoFF

Sconto di accensione Perdita

68.5

mJ

t d (attivo )

Tempo di ritardo di accensione

V CC =900V,I C=300A, Barra G=2.4Ω, Ls=42nH, V GE =± 15V,

T vj =150o C

389

nS

t barra

Tempo di risalita

88

nS

t d ((off)

Disattivamento Tempo di ritardo

575

nS

t f

Tempo di caduta

585

nS

Eattivo

Accendere Commutazione Perdita

139

mJ

EoFF

Sconto di accensione Perdita

73.4

mJ

ISC

Dati SC

t P≤10μs, V GE = 15V,

T vj =150o C,V CC =1000V,

V CEM ≤1700V

1200

A

Il simbolo

Parametro

Condizioni di prova

Min.

Tipo.

Max.

Unità

V F

Diodo di avanzamento Tensione

IF =300A,V GE =0V,T vj =25o C

1.80

2.25

V

IF =300A,V GE =0V,T vj =125o C

1.95

IF =300A,V GE =0V,T vj =150o C

1.90

Qbarra

Importo recuperato

V Barra =900V,I F =300A,

-di/dt=3247A/μs,V GE = 15V LS =42nH ,T vj =25o C

68

μC

IRM

Verso il picco inverso

Corrente di recupero

202

A

Ericerca

Ritorno al recupero Energia

34.5

mJ

Qbarra

Importo recuperato

V Barra =900V,I F =300A,

-di/dt=2579A/μs,V GE = 15V LS =42nH ,T vj =125o C

114

μC

IRM

Verso il picco inverso

Corrente di recupero

211

A

Ericerca

Ritorno al recupero Energia

61.2

mJ

Qbarra

Importo recuperato

V Barra =900V,I F =300A,

-di/dt=2395A/μs,V GE = 15V LS =42nH ,T vj =150o C

136

μC

IRM

Verso il picco inverso

Corrente di recupero

217

A

Ericerca

Ritorno al recupero Energia

73.9

mJ

Il simbolo

Parametro

Min.

Tipo.

Max.

UNITÀ

LCE

Induttanza di deflusso

20

nH

Barra CC+EE

Resistenza di Piombo del Modulo, Terminale a Chip

0.35

mΩ

Barra ilJC

Giunti -a -Caso (perIGBT ) Connessione con il caso (per D) iodio)

0.082 0.127

C/W

Barra thCH

Cassa-sink (per IGBT) Caso-a-Radiatore (pe r Diode) Caso-a-Radiatore (per M odulo)

0.033 0.051 0.010

C/W

M

Torsione di connessione terminale, Vite M6 Torsione di montaggio Vite M6

2.5 3.0

5.0 5.0

N.M

G

Peso di Modulo

300

g