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Chip IGBT

Chip IGBT

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4500V 50A IGBT Die Alta tensione IGBT Die Basso consumo ultra sottile IGBT Die Altamente resistente Design SPT+ Ampia SOA Passivazione: Nitruro più poliimmide

4500V 50A

Brand:
YT
Spu:
DG50P45K1
  • Introduzione
Introduzione

■Caratteristiche

  • Die IGBT a bassissime perdite sottile
  • Design SPT+ altamente resistente
  • Ampio SOA
  • Passivazione: Nitruro più poliimmide

Massimo Valori nominali

Parametri

Il simbolo

Condizioni

Valore

Unità

min

max

Tensione tra collettore ed emittente

VCES

VGE = 0 V

4500

V

Corrente di collettore DC

Ic

631)

A

Corrente di picco del collettore

MIC

Limitato da Tvjmax

100

A

Tensione del portatore-emittente

VGES

-20

+20

V

SOA di cortocircuito IGBT

tpsc

VCC = 3400 V, VCEM ≤ 4500 V, VGE ≤ 15 V,Tvj ≤ 125 °C

10

μs

Temperatura di giunzione

Tvj

-40

125

°C

Valori caratteristici IGBT

Parametri

Il simbolo

Condizioni

Valore

Unità

Min.

Tipo.

Max.

Tensione di rottura collettore-emettitore

V ((BR) CES

VGE = 0 V, IC = 1 mA, Tvj = 25 °C

4500

V

Tensione di saturazione del collettore-emettitore

VCE (sat)

IC = 63 A, VGE = 15 V

Tvj = 25 °C

2.70

3.05

V

Tvj = 125 °C

3.35

3.85

V

Corrente di taglio collettore-emittente

ICES

VCE = 4500 V,VGE = 0 V

Tvj = 25 °C

100

µA

Tvj = 125 °C

1500

µA

Corrente di perdita del portatore-emettitore

IGES

VCE = 0 V, VGE = ±20 V, Tvj = 125 °C

-500

500

nA

Tensione di soglia del portale-emittente

VGE (th)

IC = 10 mA, VCE = VGE, Tvj = 25 °C

6.7

7.2

7.7

V

Importo della porta

CdG

IC = 63 A, VCE = 2800 V, VGE = -15 V ~ 15 V

520

nC

Capacità di ingresso

- Cies

VCE = 25 V, VGE = 0 V, f = 1 MHz, Tvj = 25 °C

6.46

nF

Capacità di uscita

Coes

0.46

nF

Capacità di trasferimento inverso

Cres

0.17

nF

Resistenza interna della porta

RGint

5

ω

IGBT芯片尺寸(1)(1).png IGBT电路(1)(1).png

Catalogo IGBT Dies

  • Un'ampia gamma di prodotti soddisfa le esigenze dei clienti per wafer IGBT di diversi livelli di tensione.
  • I clienti possono scegliere tra wafer da 8 pollici e da 12 pollici, il che li aiuta a ridurre efficacemente i costi.

IGBT Catalogo dei wafer


Articolo n.

S p ec

TECNOLOGIA

Banda

Tensione

C - Renta

10

di potenza superiore a 50 kVA

50A

Ep T -FS

3300V

62.5A

Ep T -FS

di potenza superiore a 600 V

75A

Trench-FS

100A

Trench-FS

150A

Trench-FS

200A

Trench-FS

1200V

100A

Trench-FS

140A

Trench-FS

150A

Trench-FS

200A

Trench-FS

250a

Trench-FS

300A

Trench-FS

950V

100A

Trench-FS

200A

Trench-FS

750V

200A

Trench-FS

315A

Trench-FS

650V

75A

Trench-FS

Stabilimento

La moderna fabbrica automatizzata garantisce che tutti gli indicatori di prestazione dei nostri prodotti siano molto consistenti, riducendo al minimo le differenze nei parametri di ogni prodotto. Questo non solo assicura l'affidabilità e la coerenza dei nostri prodotti, ma rappresenta anche un'importante garanzia per il funzionamento sicuro e affidabile degli impianti dei nostri clienti.

生产车间1-缩小(19c75bab06).png生产车间2-缩小(e4332fadff).png生产车间3-缩小(22c1f2fe52).png生产车间4-缩小.png

laboratorio

Disponiamo di un laboratorio ben attrezzato per effettuare test e controlliamo rigorosamente la qualità dei nostri prodotti. Questo garantisce che il tasso di conformità dei prodotti che consegniamo ai clienti raggiunga il 100%.

检查实验.png实验室1-照射实验.PNG

质量控制.png

Capacità produttiva

La solida forza complessiva del produttore e una capacità produttiva sufficiente garantiscono la consegna puntuale di ogni ordine.

warehouse1.jpg

Applicazioni

I nostri wafer IGBT possono soddisfare i requisiti per la produzione di moduli IGBT utilizzati nell'equipaggiamento elettrico per settori industriali come il trasporto ferroviario, la trasmissione di energia elettrica, la generazione di energia solare, l'accumulo di energia, dispositivi di riscaldamento a induzione, saldatrici e sistemi di controllo automatico.

L'ampia gamma di applicazioni industriali ha pienamente convalidato la qualità dei nostri wafer IGBT, ricevendo grandi apprezzamenti e approvazione da parte dei clienti.

轨道交通的应用.png

电力行业应用-缩小.png

I nostri utenti

I nostri utenti operano in numerosi settori industriali.

Usres.png

Perché sceglierci?

B beijing World E To Technology Co., Ltd. è un importante fornitore di prodotti semiconduttori in Cina, come moduli IGBT, componenti IGBT discreti, chip IGBT, ADC/DAC, Tiristori. L'azienda è principalmente impegnata nella distribuzione ufficiale dei marchi CRRC, Starpower, Techsem NARI. Con qualifiche per importazioni ed esportazioni e 11 anni di esperienza nel settore, esportiamo in Russia, Emirati Arabi Uniti e numerose altre destinazioni in Europa.
Abbiamo rigorosi criteri di selezione dei produttori, disponiamo di team tecnici professionisti e di un controllo di qualità sui prodotti per garantire il regolare funzionamento dei progetti dei nostri clienti nei settori del trasporto ferroviario, dell'industria elettrica, dei veicoli elettrici, degli inverter per motori e dei convertitori di frequenza.

Nel frattempo, aiutare i clienti a personalizzare vari tiristori e gruppi di potenza in base alle loro particolari esigenze di parametri è un'importante componente della nostra produzione su contratto e uno dei nostri punti di forza.
办公场景.png公司门头.png
Consegna sicura

Collaboriamo con le principali compagnie internazionali di trasporti per garantire consegne puntuali.

Allo stesso tempo, confezioniamo con cura ogni lotto di merce merce consegnata ai nostri clienti seguendo le loro indicazioni, per assicurare che i prodotti arrivino integri e senza danni.

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