GD950HTA75P6H

Introduzione

Breve introduzione

Modulo IGBT ,prodotto da Strumento di controllo . 950V 750A. - Sì.

Caratteristiche

Tecnologia IGBT a bassa velocità di scarico (VCE)
Basse perdite di cambio
capacità di cortocircuito di 6 μs
VCE (sat) con coefficiente di temperatura positivo
Temperatura massima di giunzione 175 ℃
Cassa a bassa induttanza
FWD antiparallelo di recupero inverso veloce e morbido
Baseplate in rame isolato con pinfin utilizzando Si ₃N ₄Tecnologia AMB

Applicazioni tipiche

Applicazione automobilistica
Veicolo ibrido ed elettrico
Invertitori per motori

Assoluto Massimo Classificazioni T F = 25 o C a meno che altrimenti notato

IGBT

Il simbolo	Descrizione	Valori	Unità
V CES	Tensione tra collettore ed emittente	750	V
V GES	Tensione del portatore-emittente	±20	V
Io CN	Collettore Cu implementato renta	950	A
Io C	Corrente del collettore @ T F =100 o C	450	A
Io CM	Corrente Collettore a Impulso t p =1 ms	1900	A
P P	Massima dissipazione di potenza ation @ T F =75 o C T j = 175 o C	877	W

Diodo

Il simbolo	Descrizione	Valori	Unità
V RRM	Volt inverso di picco ripetitivo età	750	V
Io FN	Collettore Cu implementato renta	950	A
Io F	Diode Corrente continua in avanti Cu renta	450	A
Io FM	Corrente in Avanti Massima del Diodo t p =1 ms	1900	A

Modulo

Il simbolo	Descrizione	Valore	Unità
T jmax	Temperatura massima di giunzione	175	o C
T - Giappone	Temperatura di funzionamento della giunzione continua Per 10 secondi all'interno di un periodo di 30 secondi, occorrenza massimo 3000 volte durante la durata della vita	-40 a +150 +150 a +175	o C
T STG	Intervallo di temperatura di conservazione	-40 a +125	o C
V ISO	Tensione di isolamento RMS,f=50Hz,t=1 min	2500	V

IGBT Caratteristiche T F = 25 o C a meno che altrimenti notato

Il simbolo	Parametro	Condizioni di prova	Min.	Tipo.	Max.	Unità
V CE (sat)	Collettore all'emittente Tensione di saturazione	Io C = 450 A,V GE = 15V, T j = 25 o C		1.10	1.35	V
		Io C = 450 A,V GE = 15V, T j = 150 o C		1.15
		Io C = 450 A,V GE = 15V, T j = 175 o C		1.15
		Io C =950A,V GE = 15V, T j = 25 o C		1.40
		Io C =950A,V GE = 15V, T j = 175 o C		1.65
V GE (th )	Limita di emissione della porta Tensione	Io C =12.9 mA ,V CE = V GE , T j = 25 o C	5.5	6.5	7.0	V
Io CES	Collettore Taglio -OFF Corrente	V CE = V CES ,V GE =0V, T j = 25 o C			1.0	mA
Io GES	Perforazione del portello Corrente	V GE = V GES ,V CE =0V, T j = 25 o C			400	nA
R Gint	Resistenza interna della porta			1.0		ω
C ies	Capacità di ingresso	V CE =50V,f=100kHz, V GE =0V		72.3		nF
C - Non	Capacità di uscita			1.51		nF
C res	Trasferimento inverso Capacità			0.32		nF
Q G	Importo della porta	V CE =400V,I C = 450A, V GE =-15...+15V		4.77		μC
t p (oN )	Tempo di ritardo di accensione	V CC =400V,I C = 450A, R G =2.4Ω, V GE =-8V/+15V, L S =24nH, T j = 25 o C		315		nS
t r	Tempo di risalita			61		nS
t d ((off)	Disattivamento Tempo di ritardo			729		nS
t f	Tempo di caduta			70		nS
E oN	Accendere Commutazione Perdita			12.4		mJ
E oFF	Sconto di accensione Perdita			18.3		mJ
t p (oN )	Tempo di ritardo di accensione	V CC =400V,I C = 450A, R G =2.4Ω, V GE =-8V/+15V, L S =24nH, T j = 150 o C		338		nS
t r	Tempo di risalita			74		nS
t d ((off)	Disattivamento Tempo di ritardo			826		nS
t f	Tempo di caduta			151		nS
E oN	Accendere Commutazione Perdita			20.7		mJ
E oFF	Sconto di accensione Perdita			25.3		mJ
t p (oN )	Tempo di ritardo di accensione	V CC =400V,I C = 450A, R G =2.4Ω, V GE =-8V/+15V, L S =24nH, T j = 175 o C		343		nS
t r	Tempo di risalita			77		nS
t d ((off)	Disattivamento Tempo di ritardo			846		nS
t f	Tempo di caduta			171		nS
E oN	Accendere Commutazione Perdita			25.0		mJ
E oFF	Sconto di accensione Perdita			27.3		mJ
Io SC	Dati SC	t P ≤6μs, V GE = 15V, T j = 25 o C,V CC =400V, V CEM ≤750V		4500		A
		t P ≤3μs, V GE = 15V, T j = 175 o C,V CC =400V, V CEM ≤750V		3300

Diodo Caratteristiche T F = 25 o C a meno che altrimenti notato

Il simbolo	Parametro	Condizioni di prova	Min.	Tipo.	Max.	Unità
V F	Diodo di avanzamento Tensione	Io F = 450 A,V GE =0V,T j = 25 o C		1.40	1.65	V
		Io F = 450 A,V GE =0V,T j =1 50o C		1.35
		Io F = 450 A,V GE =0V,T j =1 75o C		1.30
		Io F =950A,V GE =0V,T j = 25 o C		1.75
		Io F =950A,V GE =0V,T j =1 75o C		1.75
Q r	Importo recuperato	V R =400V,I F = 450A, -di/dt=7760A/μs,V GE =-8V L S = 24 nH ,T j = 25 o C		10.1		μC
Io RM	Verso il picco inverso Corrente di recupero			287		A
E ricerca	Ritorno al recupero Energia			4.83		mJ
Q r	Importo recuperato	V R =400V,I F = 450A, -di/dt=6300A/μs,V GE =-8V L S = 24 nH ,T j = 150 o C		25.6		μC
Io RM	Verso il picco inverso Corrente di recupero			341		A
E ricerca	Ritorno al recupero Energia			9.32		mJ
Q r	Importo recuperato	V R =400V,I F = 450A, -di/dt=5990A/μs,V GE =-8V L S = 24 nH ,T j = 175 o C		30.4		μC
Io RM	Verso il picco inverso Corrente di recupero			354		A
E ricerca	Ritorno al recupero Energia			10.6		mJ

NTC Caratteristiche T F = 25 o C a meno che altrimenti notato

Il simbolo	Parametro	Condizioni di prova	Min.	Tipo.	Max.	Unità
R 25	Resistenza Nominale			5.0		kΩ
∆R/R	Deviazione di R 100	T C =100 o C ,R 100=493.3Ω	-5		5	%
P 25	Potenza Dissipazione				20.0	mW
B 25/50	Valore B	R 2=R 25esp [B 25/50 (1/T 2- 1/(298.15K))]		3375		K
B 25/80	Valore B	R 2=R 25esp [B 25/80 (1/T 2- 1/(298.15K))]		3411		K
B 25/100	Valore B	R 2=R 25esp [B 25/100 (1/T 2- 1/(298.15K))]		3433		K

Modulo Caratteristiche T F = 25 o C a meno che altrimenti notato

Il simbolo	Parametro	Min.	Tipo.	Max.	Unità
L CE	Induttanza di deflusso		8		nH
R CC+EE	Resistenza di Piombo del Modulo, Terminale a Chip		0.75		mΩ
△ p	△ V/ △ t=10.0 dm 3/min ,T F =75 o C		64		mbar
p	Pressione massima in circolo di raffreddamento cuo T piastra di base < 40 o C T piastra di base > 40 o C (pressione relativa)			2.5 2.0	bar
R thJF	Giunti -to -Raffreddamento Fluid (perIGBT )Giunzione-a-Fluido di Raffreddamento (per D iodio) △ V/ △ t=10.0 dm 3/min ,T F =75 o C		0.098 0.140	0.114 0.160	C/W
M	Torsione di connessione terminale, Vattone M5 Torsione di montaggio Vite M4	3.6 1.8		4.4 2.2	N.M
G	Peso di Modulo		750		g