GD800HFX120C6HA,Modulo IGBT,STARPOWER

Il simbolo

Descrizione

Valore

Unità

V CES

Tensione tra collettore ed emittente

1200

V

V GES

Tensione del portatore-emittente

±20

V

Io C

Corrente del collettore @ T C =100 o C

800

A

Io CM

Corrente Collettore a Impulso t p =1 ms

1600

A

P P

Dissipation di potenza massima @ T j = 175 o C

5172

W

Il simbolo

Descrizione

Valore

Unità

V RRM

Volt inverso di picco ripetitivo età

1200

V

Io F

Diode Corrente continua in avanti Cu renta

800

A

Io FM

Corrente in Avanti Massima del Diodo t p =1 ms

1600

A

Il simbolo

Descrizione

Valore

Unità

T jmax

Temperatura massima di giunzione

175

o C

T - Giappone

Temperatura di funzionamento della giunzione

-40 a +150

o C

T STG

Intervallo di temperatura di conservazione

-40 a +125

o C

V ISO

Tensione di isolamento RMS, f=50Hz, t= 1min

2500

V

Il simbolo

Parametri

Condizioni di prova

Min.

Tipo.

Max.

Unità

V CE (sat)

Collettore all'emittente Tensione di saturazione

Io C = 800 A, V GE = 15V, T j = 25 o C

1.95

2.40

V

Io C = 800 A, V GE = 15V, T j = 125 o C

2.30

Io C = 800 A, V GE = 15V, T j = 150 o C

2.40

V GE (th )

Limita di emissione della porta Tensione

Io C = 24,0 mA ,V CE = V GE , T j = 25 o C

5.6

6.2

6.8

V

Io CES

Collettore Taglio -OFF Corrente

V CE = V CES ,V GE =0V, T j = 25 o C

1.0

mA

Io GES

Perforazione del portello Corrente

V GE = V GES ,V CE =0V, T j = 25 o C

400

nA

R Gint

Resistenza interna della porta

0.7

ω

C ies

Capacità di ingresso

V CE = 25V, f=1MHz, V GE =0V

62.1

nF

C res

Trasferimento inverso Capacità

1.74

nF

Q G

Importo della porta

V GE =-15...+15V

4.66

μC

t p (oN )

Tempo di ritardo di accensione

V CC = 600V,I C = 800A, R G =1.0Ω, V GE =± 15V, L S = 40 nH ,T j = 25 o C

266

nS

t r

Tempo di risalita

98

nS

t d ((off)

Disattivamento Tempo di ritardo

394

nS

t f

Tempo di caduta

201

nS

E oN

Accendere Commutazione Perdita

108

mJ

E oFF

Sconto di accensione Perdita

73.8

mJ

t p (oN )

Tempo di ritardo di accensione

V CC = 600V,I C = 800A, R G =1.0Ω, V GE =± 15V, L S = 40 nH ,T j = 125 o C

280

nS

t r

Tempo di risalita

115

nS

t d ((off)

Disattivamento Tempo di ritardo

435

nS

t f

Tempo di caduta

275

nS

E oN

Accendere Commutazione Perdita

153

mJ

E oFF

Sconto di accensione Perdita

91.3

mJ

t p (oN )

Tempo di ritardo di accensione

V CC = 600V,I C = 800A, R G =1.0Ω, V GE =± 15V, L S = 40 nH ,T j = 150 o C

282

nS

t r

Tempo di risalita

117

nS

t d ((off)

Disattivamento Tempo di ritardo

446

nS

t f

Tempo di caduta

290

nS

E oN

Accendere Commutazione Perdita

165

mJ

E oFF

Sconto di accensione Perdita

94.4

mJ

Io SC

Dati SC

t P ≤10μs, V GE = 15V,

T j = 150 o C,V CC = 800V, V CEM ≤ 1200V

2400

A

Il simbolo

Parametri

Condizioni di prova

Min.

Tipo.

Max.

Unità

V F

Diodo di avanzamento Tensione

Io F = 800 A, V GE =0V,T j = 25 o C

2.00

2.45

V

Io F = 800 A, V GE =0V,T j =1 25o C

2.15

Io F = 800 A, V GE =0V,T j =1 50o C

2.20

Q r

Importo recuperato

V CC = 600V,I F = 800A,

- di/dt=5800A/μs,V GE = 15 V, L S = 40 nH ,T j = 25 o C

48.1

μC

Io RM

Verso il picco inverso

Corrente di recupero

264

A

E ricerca

Ritorno al recupero Energia

18.0

mJ

Q r

Importo recuperato

V CC = 600V,I F = 800A,

-di/dt=4800A/μs,V GE = 15 V, L S = 40 nH ,T j = 125 o C

95.3

μC

Io RM

Verso il picco inverso

Corrente di recupero

291

A

E ricerca

Ritorno al recupero Energia

35.3

mJ

Q r

Importo recuperato

V CC = 600V,I F = 800A,

-di/dt=4550A/μs,V GE = 15 V, L S = 40 nH ,T j = 150 o C

107

μC

Io RM

Verso il picco inverso

Corrente di recupero

293

A

E ricerca

Ritorno al recupero Energia

38.5

mJ

Il simbolo

Parametri

Condizioni di prova

Min.

Tipo.

Max.

Unità

R 25

Resistenza Nominale

5.0

kΩ

∆R/R

Deviazione di R 100

T C =100 o C ,R 100=493.3Ω

-5

5

%

P 25

Potenza

Dissipazione

20.0

mW

B 25/50

Valore B

R 2=R 25esp [B 25/50 (1/T 2- 1/(298.15K))]

3375

K

B 25/80

Valore B

R 2=R 25esp [B 25/80 (1/T 2- 1/(298.15K))]

3411

K

B 25/100

Valore B

R 2=R 25esp [B 25/100 (1/T 2- 1/(298.15K))]

3433

K

Il simbolo

Parametri

Min.

Tipo.

Max.

Unità

R ilJC

Giunti -a -Caso (perIGBT ) Giunzione-a-Cassa (per Di odo)

0.029 0.050

C/W

R thCH

Cassa-sink (per IGBT) Caso-a-Radiatore (pe r Diode) Cassa-sink (per Modulo)

0.028 0.049 0.009

C/W

M

Torsione di connessione terminale, Vite M6 Torsione di montaggio Vattone M5

3.0 3.0

6.0 6.0

N.M

G

Peso di Modulo

350

g