GD75HFX170C1S, Modulo IGBT, STARPOWER

Il simbolo

DESCRIZIONE

Valore

UNITÀ

V CES

Tensione tra collettore ed emittente

1700

V

V GES

Tensione del portatore-emittente

±20

V

IC

Corrente del collettore @ T C=25o C @ T C=100o C

136

75

A

ICm

Corrente Collettore a Impulso t p =1 ms

150

A

PD

Massimo Potenza Dissipazione @ T vj =175o C

539

A

Il simbolo

DESCRIZIONE

Valore

UNITÀ

V RRM

Volt inverso di picco ripetitivo età

1700

V

IF

Diode Corrente continua in avanti Cu renta

75

A

IFM

Corrente in Avanti Massima del Diodo t p =1 ms

150

A

Il simbolo

Parametro

Condizioni di prova

Min.

Tipo.

Max.

UNITÀ

V CE (sat)

Collettore all'emittente Tensione di saturazione

IC=75A,V GE = 15V, T vj =25o C

1.85

2.20

V

IC=75A,V GE = 15V, T vj =125o C

2.25

IC=75A,V GE = 15V, T vj =150o C

2.35

V GE (th)

Limita di emissione della porta Tensione

IC=3.0mA ,V CE =V GE , T vj =25o C

5.6

6.2

6.8

V

ICES

Collettore Tagliato -OFF Corrente

V CE =V CES ,V GE =0V, T vj =25o C

5.0

mA

IGES

Perforazione del portello Corrente

V GE =V GES ,V CE =0V, T vj =25o C

400

nA

Barra Gint

Resistenza interna della porta

8.5

ω

Cies

Capacità di ingresso

V CE = 25V, f=1MHz, V GE =0V

9.03

nF

Cres

Trasferimento inverso Capacità

0.22

nF

QG

Importo della porta

V GE =-15 ...+15V

0.71

μC

t d (attivo )

Tempo di ritardo di accensione

V CC =900V,I C=75A, Barra G=6,8Ω,V GE =± 15V, LS =60nH ,T vj =25o C

237

nS

t barra

Tempo di risalita

59

nS

t d ((off)

Disattivamento Tempo di ritardo

314

nS

t f

Tempo di caduta

361

nS

Eattivo

Accendere Commutazione Perdita

25.0

mJ

EoFF

Sconto di accensione Perdita

9.5

mJ

t d (attivo )

Tempo di ritardo di accensione

V CC =900V,I C=75A, Barra G=6,8Ω,V GE =± 15V, LS =60nH ,T vj =125o C

254

nS

t barra

Tempo di risalita

70

nS

t d ((off)

Disattivamento Tempo di ritardo

383

nS

t f

Tempo di caduta

524

nS

Eattivo

Accendere Commutazione Perdita

33.3

mJ

EoFF

Sconto di accensione Perdita

15.1

mJ

t d (attivo )

Tempo di ritardo di accensione

V CC =900V,I C=75A, Barra G=6,8Ω,V GE =± 15V, LS =60nH ,T vj =150o C

257

nS

t barra

Tempo di risalita

75

nS

t d ((off)

Disattivamento Tempo di ritardo

396

nS

t f

Tempo di caduta

588

nS

Eattivo

Accendere Commutazione Perdita

36.9

mJ

EoFF

Sconto di accensione Perdita

16.6

mJ

ISC

Dati SC

t P≤10μs, V GE = 15V,

T vj =150o C,V CC =1000V

V CEM ≤1700V

300

A

Il simbolo

Parametro

Condizioni di prova

Min.

Tipo.

Max.

UNITÀ

V F

Diodo di avanzamento Tensione

IF =75A,V GE =0V,T vj =25o C

1.80

2.25

V

IF =75A,V GE =0V,T vj =125o C

1.90

IF =75A,V GE =0V,T vj =150o C

1.95

Qbarra

Importo recuperato

V Barra =900V,I F =75A,

-di/dt=700A/μs,V GE = 15V LS =60nH ,T vj =25o C

16.4

μC

IRM

Verso il picco inverso

Corrente di recupero

58

A

Ericerca

Ritorno al recupero Energia

7.2

mJ

Qbarra

Importo recuperato

V Barra =900V,I F =75A,

-di/dt=600A/μs,V GE = 15V LS =60nH ,T vj =125o C

30.8

μC

IRM

Verso il picco inverso

Corrente di recupero

64

A

Ericerca

Ritorno al recupero Energia

15.8

mJ

Qbarra

Importo recuperato

V Barra =900V,I F =75A,

-di/dt=600A/μs,V GE = 15V LS =60nH ,T vj =150o C

31.4

μC

IRM

Verso il picco inverso

Corrente di recupero

64

A

Ericerca

Ritorno al recupero Energia

18.2

mJ

Il simbolo

Parametro

Min.

Tipo.

Max.

UNITÀ

LCE

Induttanza di deflusso

30

nH

Barra CC+EE

Modulo di resistenza al piombo, Terminal a chip

0.65

mΩ

Barra ilJC

Giunti -a -Caso (perIGBT ) Giunzione-a-Cassa (per Di odo)

0.278 0.467

C/W

Barra thCH

Cassa-sink (per IGBT) Caso-a-Radiatore (pe r Diode) Caso-a-Radiatore (per M odulo)

0.160 0.268 0.050

C/W

M

Torsione di connessione terminale, Vattone M5 Torsione di montaggio Vite M6

2.5 3.0

5.0 5.0

N.M

G

Peso di Modulo

150

g