GD75HFX170C1S, Modulo IGBT, STARPOWER

Il simbolo

Descrizione

Valore

Unità

V CES

Tensione tra collettore ed emittente

1700

V

V GES

Tensione del portatore-emittente

±20

V

Io C

Corrente del collettore @ T C = 25 o C @ T C =100 o C

136

75

A

Io CM

Corrente Collettore a Impulso t p =1 ms

150

A

P P

Massimo Potenza Dissipazione @ T vj = 175 o C

539

W

Il simbolo

Descrizione

Valore

Unità

V RRM

Volt inverso di picco ripetitivo età

1700

V

Io F

Diode Corrente continua in avanti Cu renta

75

A

Io FM

Corrente in Avanti Massima del Diodo t p =1 ms

150

A

Il simbolo

Parametri

Condizioni di prova

Min.

Tipo.

Max.

Unità

V CE (sat)

Collettore all'emittente Tensione di saturazione

Io C =75A,V GE = 15V, T vj = 25 o C

1.85

2.20

V

Io C =75A,V GE = 15V, T vj = 125 o C

2.25

Io C =75A,V GE = 15V, T vj = 150 o C

2.35

V GE (th )

Limita di emissione della porta Tensione

Io C =3.0 mA ,V CE = V GE , T vj = 25 o C

5.6

6.2

6.8

V

Io CES

Collettore Taglio -OFF Corrente

V CE = V CES ,V GE =0V, T vj = 25 o C

5.0

mA

Io GES

Perforazione del portello Corrente

V GE = V GES ,V CE =0V, T vj = 25 o C

400

nA

R Gint

Resistenza interna della porta

8.5

ω

C ies

Capacità di ingresso

V CE = 25V, f=1MHz, V GE =0V

9.03

nF

C res

Trasferimento inverso Capacità

0.22

nF

Q G

Importo della porta

V GE =-15 ...+15V

0.71

μC

t p (oN )

Tempo di ritardo di accensione

V CC =900V,I C =75A, R G =6,8Ω,V GE =± 15V, LS = 60 nH ,T vj = 25 o C

237

nS

t r

Tempo di risalita

59

nS

t d ((off)

Disattivamento Tempo di ritardo

314

nS

t f

Tempo di caduta

361

nS

E oN

Accendere Commutazione Perdita

25.0

mJ

E oFF

Sconto di accensione Perdita

9.5

mJ

t p (oN )

Tempo di ritardo di accensione

V CC =900V,I C =75A, R G =6,8Ω,V GE =± 15V, LS = 60 nH ,T vj = 125 o C

254

nS

t r

Tempo di risalita

70

nS

t d ((off)

Disattivamento Tempo di ritardo

383

nS

t f

Tempo di caduta

524

nS

E oN

Accendere Commutazione Perdita

33.3

mJ

E oFF

Sconto di accensione Perdita

15.1

mJ

t p (oN )

Tempo di ritardo di accensione

V CC =900V,I C =75A, R G =6,8Ω,V GE =± 15V, LS = 60 nH ,T vj = 150 o C

257

nS

t r

Tempo di risalita

75

nS

t d ((off)

Disattivamento Tempo di ritardo

396

nS

t f

Tempo di caduta

588

nS

E oN

Accendere Commutazione Perdita

36.9

mJ

E oFF

Sconto di accensione Perdita

16.6

mJ

Io SC

Dati SC

t P ≤10μs, V GE = 15V,

T vj = 150 o C ,V CC =1000V

V CEM ≤1700V

300

A

Il simbolo

Parametri

Condizioni di prova

Min.

Tipo.

Max.

Unità

V F

Diodo di avanzamento Tensione

Io F =75A,V GE =0V,T vj =2 5o C

1.80

2.25

V

Io F =75A,V GE =0V,T vj = 12 5o C

1.90

Io F =75A,V GE =0V,T vj =15 0o C

1.95

Q r

Importo recuperato

V R =900V,I F =75A,

-di/dt=700A/μs,V GE = 15V LS = 60 nH ,T vj = 25 o C

16.4

μC

Io RM

Verso il picco inverso

Corrente di recupero

58

A

E ricerca

Ritorno al recupero Energia

7.2

mJ

Q r

Importo recuperato

V R =900V,I F =75A,

-di/dt=600A/μs,V GE = 15V LS = 60 nH ,T vj = 125 o C

30.8

μC

Io RM

Verso il picco inverso

Corrente di recupero

64

A

E ricerca

Ritorno al recupero Energia

15.8

mJ

Q r

Importo recuperato

V R =900V,I F =75A,

-di/dt=600A/μs,V GE = 15V LS = 60 nH ,T vj = 150 o C

31.4

μC

Io RM

Verso il picco inverso

Corrente di recupero

64

A

E ricerca

Ritorno al recupero Energia

18.2

mJ

Il simbolo

Parametri

Min.

Tipo.

Max.

Unità

L CE

Induttanza di deflusso

30

nH

R CC+EE

Modulo di resistenza al piombo, Terminal a chip

0.65

mΩ

R ilJC

Giunti -a -Caso (perIGBT ) Giunzione-a-Cassa (per Di odo)

0.278 0.467

C/W

R thCH

Cassa-sink (per IGBT) Caso-a-Radiatore (pe r Diode) Caso-a-Radiatore (per M odulo)

0.160 0.268 0.050

C/W

M

Torsione di connessione terminale, Vattone M5 Torsione di montaggio Vite M6

2.5 3.0

5.0 5.0

N.M

G

Peso di Modulo

150

g