Y50KFG,Thyristor a spegnimento rapido non simmetrico

Il simbolo

Caratteristica

Condizioni di prova

T j (℃)

Valore

UNITÀ

MIN

Tipo

Max

IT (AV )

Corrente media in stato di accensione

180。mezza onda sinusoidale 50Hz Raffreddato su entrambi i lati,

T C=55℃

125

1200

A

T C=70℃

125

1000

A

V DRM

Ripetitiva tensione di picco in stato di spegnimento

tp=10ms

125

2000

3000

V

V RRM

Ripetitiva tensione di picco inversa

1000

2500

IDRM /IRRM

Ripetitiva corrente di picco

a V DRM /VRRM

125

80

mA

ITSM

Corrente di sovratensione in stato di accensione

10ms mezza sinusoidale onda V Barra =0.6V RRM

125

16

kA

I2t

I2t per fusione coordinazione

1280

103A2s

V A

Voltaggio di soglia

125

1.55

V

barra T

Resistenza di pendenza in stato di accensione

0.40

mΩ

V TM

Tensione di picco in stato di accensione

ITM =3000A, F=24kN

20≤tq ≤35

25

2.80

V

36≤tq ≤60

2.60

V

61≤tq ≤75

2.40

V

dv/dt

Tasso critico di aumento di stato di spegnimento tensione

V Dm =0.67V DRM

125

1000

V/μs

di/dt

Tasso critico di aumento di stato di accensione corrente (Non ripetitivo)

V Dm = 67% V DRM a 1600A,

Impulso di gate t barra ≤0.5μs IGM =1.5A

125

1500

A/μs

Qr

Tassa di recupero

ITM =1000A ,tp=4000µs, di/ dt=-20A/µs, V Barra = 100V

125

750

μC

tq

Tempo di spegnimento commutato da circuito

ITM =1000A ,tp=4000µs, V Barra = 100V dv/dt=30V/µs , di/dt=-20A/µs

100

20

75

μs

IGT

Corrente di attivazione del gate

V A=12V, IA=1A

25

40

300

mA

V GT

Tensione di attivazione del gate

0.9

3.0

V

IH

Corrente di mantenimento

20

500

mA

IL

Corrente di aggancio

500

mA

V GD

Tensione di gate non attivata

V Dm =67%V DRM

125

0.3

V

Barra th(j-c)

Termica resistenza Giunzione a case

doppio lato raffreddato Forza di bloccaggio 24kN

0.020

℃ /W

Barra th(c-h)

Termica resistenza caso a dissipatore di calore

0.005

F m

Forza di montaggio

19

26

kN

T vj

Temperatura di giunzione

-40

125

℃

T sTG

Temperatura di immagazzinamento

-40

140

℃

At

Peso

440

g

Outline

KT50cT