Numero di parte Y50KFG-KT50cT
Brochure del prodotto:SCARICA
Io T(AV) |
1200A |
V DRM |
2000V~ 3000V |
V RRM |
1000V~ 2500V |
t q |
20~75µs |
Caratteristiche
Applicazioni tipiche
|
Il simbolo |
Caratteristica |
Condizioni di prova |
T j (℃ ) |
Valore |
Unità |
||||
Min |
TIPO |
Max |
|||||||
Io T (AV ) |
Corrente media in stato di accensione |
180。mezza onda sinusoidale 50Hz Raffreddato su entrambi i lati, |
T C =55℃ |
125 |
|
|
1200 |
A |
|
T C =70℃ |
125 |
|
|
1000 |
A |
||||
V DRM |
Ripetitiva tensione di picco in stato di spegnimento |
tp=10ms |
125 |
2000 |
|
3000 |
V |
||
V RRM |
Ripetitiva tensione di picco inversa |
1000 |
|
2500 |
|||||
Io DRM /IRRM |
Ripetitiva corrente di picco |
a V DRM /VRRM |
125 |
|
|
80 |
mA |
||
Io TSM |
Corrente di sovratensione in stato di accensione |
10ms mezza sinusoidale onda V R =0.6 V RRM |
125 |
|
|
16 |
kA |
||
Io 2t |
Io 2t per fusione coordinazione |
|
|
1280 |
103A 2s |
||||
V To |
Voltaggio di soglia |
|
125 |
|
|
1.55 |
V |
||
r T |
Resistenza di pendenza in stato di accensione |
|
|
0.40 |
mΩ |
||||
|
V TM |
Tensione di picco in stato di accensione |
Io TM =3000A, F=24kN |
20≤ tq ≤ 35 |
25 |
|
|
2.80 |
V |
|
36≤ tq ≤ 60 |
|
|
2.60 |
V |
|||||
61≤ tq ≤ 75 |
|
|
2.40 |
V |
|||||
dv/dt |
Tasso critico di aumento di stato di spegnimento tensione |
V Dm =0.67 V DRM |
125 |
|
|
1000 |
V/μs |
||
di/dt |
Tasso critico di aumento di stato di accensione corrente (Non ripetitivo) |
V Dm = 67% V DRM to 1600A, Impulso di gate t r ≤0.5μs Io GM =1.5A |
125 |
|
|
1500 |
A/μs |
||
Q r |
Tassa di recupero |
Io TM =1000A ,tp=4000µs, di/ dt=-20A/µs, V R = 100V |
125 |
|
750 |
|
μC |
||
tq |
Tempo di spegnimento commutato da circuito |
Io TM =1000A ,tp=4000µs, V R = 100V dv/dt=30V/µs , di/dt=-20A/µs |
100 |
20 |
|
75 |
μs |
||
Io GT |
Corrente di attivazione del gate |
V A =12V, Io A =1A |
25 |
40 |
|
300 |
mA |
||
V GT |
Tensione di attivazione del gate |
0.9 |
|
3.0 |
V |
||||
Io H |
Corrente di mantenimento |
20 |
|
500 |
mA |
||||
Io L |
Corrente di aggancio |
|
|
500 |
mA |
||||
V GD |
Tensione di gate non attivata |
V Dm =67% V DRM |
125 |
|
|
0.3 |
V |
||
R th (j-c) |
Termica resistenza Giunzione a case |
doppio lato raffreddato Forza di bloccaggio 24kN |
|
|
|
0.020 |
℃ /W |
||
R th (c-h) |
Termica resistenza caso a dissipatore di calore |
|
|
|
0.005 |
||||
F m |
Forza di montaggio |
|
|
19 |
|
26 |
kN |
||
T vj |
Temperatura di giunzione |
|
|
-40 |
|
125 |
℃ |
||
T sTG |
Temperatura di immagazzinamento |
|
|
-40 |
|
140 |
℃ |
||
W t |
Peso |
|
|
|
440 |
|
g |
||
Outline |
KT50cT |
||||||||
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