Breve introduzione
Moduli di tiristore a spegnimento rapido ,MK(H) x200 MK200, 200A, Raffreddamento ad aria ,prodotto da TECHSEM.
VRRM,VDRM |
Tipo e contorno |
600V |
MKx200-06-413F3D |
MHx200-06-413F3D |
800V |
MKx200-08-413F3D |
MHx200-08-413F3D |
1000V |
MKx200-10-413F3D |
MHx200-10-413F3D |
1200V |
MKx200-12-413F3D |
MHx200-12-413F3D |
1400V |
MKx200-14-413F3D |
MHx200-14-413F3D |
1600V |
MKx200-16-413F3D |
MHx200-16-413F3D |
1800V |
MKx200-18-413F3D |
MHx200-18-413F3D |
1800V |
MK200-18-413F3DG |
|
MKx sta per qualsiasi tipo di MKC, MKA, MKK
MHx sta per qualsiasi tipo di MHC, MHA, MHK
Caratteristiche ：
-
Montaggio isolato basso e 2500V~
-
Tecnologia di contatto a pressione con Aumentato capacità di ciclo di potenza
-
Spazio e peso sa - Ving
Applicazioni tipiche ：
- Inverter
- Calore induttivo
- Chopper
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Il simbolo
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Caratteristica
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Condizioni di prova
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Tj( ℃ ) |
Valore |
Unità
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Min |
TIPO |
Max |
Io T(AV) |
Corrente media in stato di accensione |
180° onda sinusoidale mezza 50Hz Raffreddato da un lato, Tc=85 ℃ |
125
|
|
|
200 |
A |
Io T (RMS) |
Corrente di stato RMS |
|
|
314 |
A |
Io DRM Io RRM |
Corrente di picco ripetitiva |
a VDRM a VRRM |
125 |
|
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50 |
mA |
ITSM |
Corrente di sovratensione in stato di accensione |
onda sinusoidale mezza 10ms VR=60%VRRM |
125
|
|
|
4.8 |
kA |
I2t |
I2t per coordinazione fusibile |
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|
115 |
103A 2s |
V A |
Voltaggio di soglia |
|
125
|
|
|
1.65 |
V |
r T |
Resistenza di pendenza in stato di accensione |
|
|
0.60 |
m |
V TM |
Tensione di picco in stato di accensione |
ITM=600A |
25 |
|
|
2.65 |
V |
dv/dt |
Tasso critico di aumento della tensione in stato di off |
VDM=67%VDRM |
125 |
|
|
800 |
V/μs |
di/dt |
Tasso critico di aumento della corrente in stato di funzionamento |
Gate source 1.5A
tr ≤0.5μs Ripetitivo
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125 |
|
|
200 |
A/μs |
tq |
Tempo di spegnimento commutato da circuito |
ITM=200A, tp=4000µs,VR= 100V dv/dt=30V/µs, di/dt=-20A/µs |
125 |
20 |
|
40 |
μs |
25 |
6 |
|
16 |
μs |
Io GT |
Corrente di attivazione del gate |
VA= 12V, IA= 1A
|
25
|
30 |
|
180 |
mA |
Vgt |
Tensione di attivazione del gate |
0.8 |
|
2.5 |
V |
IH |
Corrente di mantenimento |
20 |
|
200 |
mA |
IL |
Corrente di aggancio |
|
|
1000 |
mA |
V GD |
Tensione di gate non attivata |
VDM=67%VDRM |
125 |
|
|
0.2 |
V |
Rth(j-c) |
Resistenza termica Giunzione a custodia |
Raffreddato da un lato per chip |
|
|
|
0.100 |
℃ /W |
Rth(c-h) |
Resistenza termica case a dissipatore |
Raffreddato da un lato per chip |
|
|
|
0.040 |
℃ /W |
VISO |
Tensione di isolamento |
50Hz,R.M.S,t= 1min,Iiso:1mA(MAX) |
|
2500 |
|
|
V |
|
FM
|
Torsione di collegamento terminale ((M8) |
|
|
10.0 |
|
12.0 |
N·m |
Coppia di montaggio (M6) |
|
|
4.5 |
|
6.0 |
N·m |
Tvj |
Temperatura di giunzione |
|
|
-40 |
|
125 |
℃ |
TSTG |
Temperatura di immagazzinamento |
|
|
-40 |
|
125 |
℃ |
Wt |
Peso |
|
|
|
770 |
|
g |
Outline |
413F3D |
EN
