MTx820,MFx820,Moduli di Tirostori/Diodi,Raffreddamento ad Aria

VRRM ,VDRM

TIPO & Esemplare

600V

MTC820-06-416F3

MFC820-06-416F3

800V

MTC820-08-416F3

MFC820-08-416F3

1000V

MTC820-10-415F3

MFC820-10-416F3

1200V

MTC820-12-416F3

MFC820-12-416F3

1400V

MTC820-14-416F3

MFC820-14-416F3

1600V

MTC820-16-416F3

MFC820-16-416F3

1800V

MTC820-18-416F3

MFC820-18-416F3

1800V

MT820-18-416F3G

Il simbolo

Caratteristica

Condizioni di prova

Tj(℃)

Valore

Unità

Min

TIPO

Max

IT(AV)

Corrente media in stato di accensione

180° onda sinusoidale a mezza onda 50Hz raffreddamento a un solo lato, Tc=85℃

135

820

A

IT(RMS)

Corrente di stato RMS

180。mezza onda sinusoidale 50Hz

1287

A

Idrm Irrm

Corrente di picco ripetitiva

a VDRM a VRRM

135

120

mA

ITSM

Corrente di sovratensione in stato di accensione

10 ms di mezza onda sinusoidale, VR=0V

135

20.1

kA

Io ²t

I2t per coordinazione fusibile

2020

A ²s* 10 ³

VTO

Voltaggio di soglia

135

0.81

V

rT

Resistenza di pendenza in stato di accensione

0.24

mΩ

VTM

Tensione di picco in stato di accensione

ITM= 1500A

25

1.38

V

dv/dt

Tasso critico di aumento della tensione in stato di off

VDM=67%VDRM

135

1000

V/μs

di/dt

Tasso critico di aumento della corrente in stato di funzionamento

Gate source 1.5A

tr ≤0.5μs Ripetitivo

135

200

A/μs

tgd

Tempo di ritardo controllato da un cancello

IG= 1A dig/dt= 1A/μs

25

4

μs

tq

Tempo di spegnimento commutato da circuito

ITM=800A, tp=2000μs, VR =50V dv/dt=20V/μs,di/dt=-10A/μs

135

250

μs

IGT

Corrente di attivazione del gate

VA= 12V, IA= 1A

25

30

250

mA

Vgt

Tensione di attivazione del gate

0.8

3.0

V

IH

Corrente di mantenimento

10

300

mA

IL

Corrente di aggancio

IA=1A IG=1A dig/dt=1A/μs tg=30us

25

1500

mA

VGD

Tensione di gate non attivata

VDM=67%VDRM

135

0.25

V

IGD

Corrente di porta non innescata

VDM=67%VDRM

135

5

mA

Rth(j-c)

Resistenza termica Giunzione a custodia

Raffreddato da un lato per chip

0.047

℃/W

Rth(c-h)

Resistenza termica case a dissipatore

Raffreddato da un lato per chip

0.015

℃/W

VISO

Tensione di isolamento

50Hz,R.M.S,t= 1min,Iiso:1mA(MAX)

3000

V

FM

Coppia di collegamento terminale (M10)

10.0

12.0

N·m

Coppia di montaggio (M6)

4.5

6.0

N·m

Tvj

Temperatura di giunzione

-40

135

℃

TSTG

Temperatura di immagazzinamento

-40

125

℃

Wt

Peso

1410

g

Outline

416F3