GD225HFX120C6SA, Modulo IGBT, STARPOWER

Introduzione

Breve introduzione

Modulo IGBT ,prodotto da Strumento di controllo . 1200V 225A. - Sì.

Caratteristiche

Tecnologia IGBT a bassa velocità di scarico (VCE)
capacità di cortocircuito di 10 μs
VCE (sat) con coefficiente di temperatura positivo
Temperatura massima di giunzione 175 ℃
Cassa a bassa induttanza
FWD antiparallelo di recupero inverso veloce e morbido
Piastra di base in rame isolato con tecnologia DBC

Applicazioni tipiche

Invertitori per motori
Amplificatore servo-driver a corrente alternata e continua
Fonte di alimentazione ininterrotta

Assoluto Massimo Classificazioni T F = 25 o C a meno che altrimenti notato

IGBT

Il simbolo	Descrizione	Valore	Unità
V CES	Tensione tra collettore ed emittente	1200	V
V GES	Tensione del portatore-emittente	±20	V
Io C	Corrente del collettore @ T C = 25 o C @ T C =100 o C	368 225	A
Io CM	Corrente Collettore a Impulso t p =1 ms	450	A
P P	Dissipation di potenza massima @ T j = 175 o C	1229	W

Diodo

Il simbolo	Descrizione	Valore	Unità
V RRM	Volt inverso di picco ripetitivo età	1200	V
Io F	Diode Corrente continua in avanti Cu renta	225	A
Io FM	Corrente in Avanti Massima del Diodo t p =1 ms	450	A

Modulo

Il simbolo	Descrizione	Valore	Unità
T jmax	Temperatura massima di giunzione	175	o C
T - Giappone	Temperatura di funzionamento della giunzione	-40 a +150	o C
T STG	Intervallo di temperatura di conservazione	-40 a +125	o C
V ISO	Tensione di Isolazione RMS,f=50Hz,t =1min	2500	V

IGBT Caratteristiche T C = 25 o C a meno che altrimenti notato

Il simbolo	Parametro	Condizioni di prova	Min.	Tipo.	Max.	Unità
V CE (sat)	Collettore all'emittente Tensione di saturazione	Io C =225A,V GE = 15V, T j = 25 o C		1.70	2.15	V
		Io C =225A,V GE = 15V, T j = 125 o C		1.95
		Io C =225A,V GE = 15V, T j = 150 o C		2.00
V GE (th )	Limita di emissione della porta Tensione	Io C =5.63 mA ,V CE = V GE , T j = 25 o C	5.2	6.0	6.8	V
Io CES	Collettore Taglio -OFF Corrente	V CE = V CES ,V GE =0V, T j = 25 o C			1.0	mA
Io GES	Perforazione del portello Corrente	V GE = V GES ,V CE =0V, T j = 25 o C			400	nA
R Gint	Resistenza al cancello interno atteggiamento			1.7		ω
C ies	Capacità di ingresso	V CE = 25V, f=1MHz, V GE =0V		23.3		nF
C res	Trasferimento inverso Capacità	V CE = 25V, f=1MHz, V GE =0V		0.65		nF
Q G	Importo della porta	V GE =-15 ...+15V		1.75		μC
t p (oN )	Tempo di ritardo di accensione	V CC = 600V,I C =225A, R G = 1,6Ω,V GE =± 15V, T j = 25 o C		171		nS
t r	Tempo di risalita			43		nS
t d ((off)	Disattivamento Tempo di ritardo			391		nS
t f	Tempo di caduta			72		nS
E oN	Accendere Commutazione Perdita			7.3		mJ
E oFF	Sconto di accensione Perdita			17.5		mJ
t p (oN )	Tempo di ritardo di accensione	V CC = 600V,I C =225A, R G = 1,6Ω,V GE =± 15V, T j = 125 o C		182		nS
t r	Tempo di risalita			43		nS
t d ((off)	Disattivamento Tempo di ritardo			484		nS
t f	Tempo di caduta			93		nS
E oN	Accendere Commutazione Perdita			13.4		mJ
E oFF	Sconto di accensione Perdita			27.3		mJ
t p (oN )	Tempo di ritardo di accensione	V CC = 600V,I C =225A, R G = 1,6Ω,V GE =± 15V, T j = 150 o C		193		nS
t r	Tempo di risalita			43		nS
t d ((off)	Disattivamento Tempo di ritardo			515		nS
t f	Tempo di caduta			103		nS
E oN	Accendere Commutazione Perdita			16.1		mJ
E oFF	Sconto di accensione Perdita			30.4		mJ
Io SC	Dati SC	t P ≤10μs, V GE = 15V, T j = 150 o C,V CC = 900V, V CEM ≤ 1200V		900		A

Diodo Caratteristiche T C = 25 o C a meno che altrimenti notato

Il simbolo	Parametro	Condizioni di prova	Min.	Tipo.	Max.	Unità
V F	Diodo di avanzamento Tensione	Io F =225A,V GE =0V,T j = 25 o C		1.85	2.30	V
		Io F =225A,V GE =0V,T j =1 25o C		1.90
		Io F =225A,V GE =0V,T j =1 50o C		1.95
Q r	Importo recuperato	V CC = 600V,I F =225A, -di/dt=5600A/μs,V GE = 15 V, T j = 25 o C		25.9		μC
Io RM	Verso il picco inverso Corrente di recupero			345		A
E ricerca	Ritorno al recupero Energia			11.8		mJ
Q r	Importo recuperato	V CC = 600V,I F =225A, -di/dt=5600A/μs,V GE = 15 V, T j = 125 o C		49.5		μC
Io RM	Verso il picco inverso Corrente di recupero			368		A
E ricerca	Ritorno al recupero Energia			21.6		mJ
Q r	Importo recuperato	V CC = 600V,I F =225A, -di/dt=5600A/μs,V GE = 15 V, T j = 150 o C		56.4		μC
Io RM	Verso il picco inverso Corrente di recupero			391		A
E ricerca	Ritorno al recupero Energia			24.5		mJ

NTC Caratteristiche T C = 25 o C a meno che altrimenti notato

Il simbolo	Parametro	Condizioni di prova	Min.	Tipo.	Max.	Unità
R 25	Resistenza Nominale			5.0		kΩ
∆R/R	Deviazione di R 100	T C =100 o C ,R 100=493.3Ω	-5		5	%
P 25	Potenza Dissipazione				20.0	mW
B 25/50	Valore B	R 2=R 25esp [B 25/50 (1/T 2- 1/(298.15K))]		3375		K
B 25/80	Valore B	R 2=R 25esp [B 25/80 (1/T 2- 1/(298.15K))]		3411		K
B 25/100	Valore B	R 2=R 25esp [B 25/100 (1/T 2- 1/(298.15K))]		3433		K

Modulo Caratteristiche T C = 25 o C a meno che altrimenti notato

Il simbolo	Parametro	Min.	Tipo.	Max.	Unità
L CE	Induttanza di deflusso		20		nH
R CC+EE	Modulo di resistenza al piombo, Terminal a chip		1.10		mΩ
R ilJC	Giunti -to -Caso (perIGBT ) Connessione con il caso (per D) iodio)			0.122 0.188	C/W
R thCH	Caso -to -Dissipatore di Calore (perIGBT ) Cassa-sink (per diodo) Cassa-sink (per Modulo)		0.030 0.046 0.009		C/W
M	Torsione di connessione terminale, Vite M6 Torsione di montaggio Vattone M5	3.0 3.0		6.0 6.0	N.M
G	Peso di Modulo		350		g