GD225HFX120C6SA, Modulo IGBT, STARPOWER

Il simbolo

DESCRIZIONE

Valore

UNITÀ

V CES

Tensione tra collettore ed emittente

1200

V

V GES

Tensione del portatore-emittente

±20

V

IC

Corrente del collettore @ T C=25o C @ T C=100o C

368

225

A

ICm

Corrente Collettore a Impulso t p =1 ms

450

A

PD

Dissipation di potenza massima @ T j =175o C

1229

A

Il simbolo

DESCRIZIONE

Valore

UNITÀ

V RRM

Volt inverso di picco ripetitivo età

1200

V

IF

Diode Corrente continua in avanti Cu renta

225

A

IFM

Corrente in Avanti Massima del Diodo t p =1 ms

450

A

Il simbolo

DESCRIZIONE

Valore

UNITÀ

T jmax

Temperatura massima di giunzione

175

o C

T - Giappone

Temperatura di funzionamento della giunzione

-40 a +150

o C

T STG

Intervallo di temperatura di conservazione

-40 a +125

o C

V ISO

Tensione di Isolazione RMS,f=50Hz,t =1min

2500

V

Il simbolo

Parametro

Condizioni di prova

Min.

Tipo.

Max.

UNITÀ

V CE (sat)

Collettore all'emittente Tensione di saturazione

IC=225A,V GE = 15V, T j =25o C

1.70

2.15

V

IC=225A,V GE = 15V, T j =125o C

1.95

IC=225A,V GE = 15V, T j =150o C

2.00

V GE (th)

Limita di emissione della porta Tensione

IC=5.63mA ,V CE =V GE , T j =25o C

5.2

6.0

6.8

V

ICES

Collettore Tagliato -OFF Corrente

V CE =V CES ,V GE =0V, T j =25o C

1.0

mA

IGES

Perforazione del portello Corrente

V GE =V GES ,V CE =0V, T j =25o C

400

nA

Barra Gint

Resistenza al cancello interno atteggiamento

1.7

ω

Cies

Capacità di ingresso

V CE = 25V, f=1MHz, V GE =0V

23.3

nF

Cres

Trasferimento inverso Capacità

0.65

nF

QG

Importo della porta

V GE =-15 ...+15V

1.75

μC

t d (attivo )

Tempo di ritardo di accensione

V CC = 600V,I C=225A, Barra G= 1,6Ω,V GE =± 15V, T j =25o C

171

nS

t barra

Tempo di risalita

43

nS

t d ((off)

Disattivamento Tempo di ritardo

391

nS

t f

Tempo di caduta

72

nS

Eattivo

Accendere Commutazione Perdita

7.3

mJ

EoFF

Sconto di accensione Perdita

17.5

mJ

t d (attivo )

Tempo di ritardo di accensione

V CC = 600V,I C=225A, Barra G= 1,6Ω,V GE =± 15V, T j =125o C

182

nS

t barra

Tempo di risalita

43

nS

t d ((off)

Disattivamento Tempo di ritardo

484

nS

t f

Tempo di caduta

93

nS

Eattivo

Accendere Commutazione Perdita

13.4

mJ

EoFF

Sconto di accensione Perdita

27.3

mJ

t d (attivo )

Tempo di ritardo di accensione

V CC = 600V,I C=225A, Barra G= 1,6Ω,V GE =± 15V, T j =150o C

193

nS

t barra

Tempo di risalita

43

nS

t d ((off)

Disattivamento Tempo di ritardo

515

nS

t f

Tempo di caduta

103

nS

Eattivo

Accendere Commutazione Perdita

16.1

mJ

EoFF

Sconto di accensione Perdita

30.4

mJ

ISC

Dati SC

t P≤10μs, V GE = 15V,

T j =150o C,V CC = 900V, V CEM ≤ 1200V

900

A

Il simbolo

Parametro

Condizioni di prova

Min.

Tipo.

Max.

UNITÀ

V F

Diodo di avanzamento Tensione

IF =225A,V GE =0V,T j =25o C

1.85

2.30

V

IF =225A,V GE =0V,T j =125o C

1.90

IF =225A,V GE =0V,T j =150o C

1.95

Qbarra

Importo recuperato

V CC = 600V,I F =225A,

-di/dt=5600A/μs,V GE = 15 V, T j =25o C

25.9

μC

IRM

Verso il picco inverso

Corrente di recupero

345

A

Ericerca

Ritorno al recupero Energia

11.8

mJ

Qbarra

Importo recuperato

V CC = 600V,I F =225A,

-di/dt=5600A/μs,V GE = 15 V, T j =125o C

49.5

μC

IRM

Verso il picco inverso

Corrente di recupero

368

A

Ericerca

Ritorno al recupero Energia

21.6

mJ

Qbarra

Importo recuperato

V CC = 600V,I F =225A,

-di/dt=5600A/μs,V GE = 15 V, T j =150o C

56.4

μC

IRM

Verso il picco inverso

Corrente di recupero

391

A

Ericerca

Ritorno al recupero Energia

24.5

mJ

Il simbolo

Parametro

Condizioni di prova

Min.

Tipo.

Max.

UNITÀ

Barra 25

Resistenza Nominale

5.0

kΩ

∆R/R

Deviazione di Barra 100

T C=100 o C,R 100=493.3Ω

-5

5

%

P25

Potenza

Dissipazione

20.0

mW

B 25/50

Valore B

Barra 2=R 25esp [B 25/50(1/T 2- 1/(298.15K))]

3375

K

B 25/80

Valore B

Barra 2=R 25esp [B 25/80(1/T 2- 1/(298.15K))]

3411

K

B 25/100

Valore B

Barra 2=R 25esp [B 25/100(1/T 2- 1/(298.15K))]

3433

K

Il simbolo

Parametro

Min.

Tipo.

Max.

UNITÀ

LCE

Induttanza di deflusso

20

nH

Barra CC+EE

Modulo di resistenza al piombo, Terminal a chip

1.10

mΩ

Barra ilJC

Giunti -a -Caso (perIGBT ) Connessione con il caso (per D) iodio)

0.122 0.188

C/W

Barra thCH

Caso -a -Dissipatore di Calore (perIGBT ) Cassa-sink (per diodo) Cassa-sink (per Modulo)

0.030 0.046 0.009

C/W

M

Torsione di connessione terminale, Vite M6 Torsione di montaggio Vattone M5

3.0 3.0

6.0 6.0

N.M

G

Peso di Modulo

350

g