GD200HFX120C2S, Modulo IGBT, STARPOWER

Il simbolo

DESCRIZIONE

Valori

Unità

V CES

Tensione tra collettore ed emittente

1200

V

V GES

Tensione del portatore-emittente

±20

V

IC

Corrente del collettore @ T C=25o C

@ T C=90o C

297

200

A

ICm

Corrente Collettore a Impulso t p =1 ms

400

A

PD

Dissipation di potenza massima @ T j =175o C

937

A

Il simbolo

DESCRIZIONE

Valori

Unità

V RRM

Tensione inversa di picco ripetitiva

1200

V

IF

Diodo di continua curvatura anteriore affitto

200

A

IFM

Corrente in Avanti Massima del Diodo t p =1 ms

400

A

Il simbolo

DESCRIZIONE

Valori

Unità

T jmax

Temperatura massima di giunzione

175

o C

T - Giappone

Temperatura di funzionamento della giunzione

-40 a +150

o C

T STG

Temperatura di conservazione Autonomia

-40 a +125

o C

V ISO

Tensione di isolamento RMS,f=50Hz,t=1 mIN

2500

V

Il simbolo

Parametro

Condizioni di prova

Min.

Tipo.

Max.

Unità

V CE (sat)

Collettore all'emittente

Tensione di saturazione

IC=200A,V GE = 15V, T j =25o C

1.75

2.20

V

IC=200A,V GE = 15V, T j =125o C

2.00

IC=200A,V GE = 15V, T j =150o C

2.05

V GE (th)

Limita di emissione della porta Tensione

IC=5.0mA ,V CE =V GE , T j =25o C

5.2

6.0

6.8

V

ICES

Collettore Tagliato -OFF

Corrente

V CE =V CES ,V GE =0V,

T j =25o C

5.0

mA

IGES

Perforazione del portello Corrente

V GE =V GES ,V CE =0V, T j =25o C

400

nA

Barra Gint

Resistenza al cancello interno atteggiamento

1.0

ω

Cies

Capacità di ingresso

V CE = 25V, f=1MHz,

V GE =0V

18.6

nF

Cres

Trasferimento inverso

Capacità

0.52

nF

DG

Importo della porta

V GE =- 15…+15V

1.40

μC

t d (attivo )

Tempo di ritardo di accensione

V CC = 600V,I C=200A, Barra G= 1. 1Ω,V GE =± 15V, T j =25o C

120

nS

t barra

Tempo di risalita

26

nS

t d (oFF )

Disattivamento Tempo di ritardo

313

nS

t f

Tempo di caduta

88

nS

Eattivo

Accendere Commutazione

Perdita

8.96

mJ

EoFF

Sconto di accensione

Perdita

10.7

mJ

t d (attivo )

Tempo di ritardo di accensione

V CC = 600V,I C=200A, Barra G= 1. 1Ω,V GE =± 15V, T j = 125o C

129

nS

t barra

Tempo di risalita

30

nS

t d (oFF )

Disattivamento Tempo di ritardo

391

nS

t f

Tempo di caduta

157

nS

Eattivo

Accendere Commutazione

Perdita

15.8

mJ

EoFF

Sconto di accensione

Perdita

16.1

mJ

t d (attivo )

Tempo di ritardo di accensione

V CC = 600V,I C=200A, Barra G= 1. 1Ω,V GE =± 15V, T j = 150o C

129

nS

t barra

Tempo di risalita

34

nS

t d (oFF )

Disattivamento Tempo di ritardo

411

nS

t f

Tempo di caduta

175

nS

Eattivo

Accendere Commutazione

Perdita

17.5

mJ

EoFF

Sconto di accensione

Perdita

18.1

mJ

ISC

Dati SC

t P≤ 10 μs,V GE = 15V,

T j =150o C,V CC = 900V, V CEM ≤ 1200V

720

A

Il simbolo

Parametro

Condizioni di prova

Min.

Tipo.

Max.

Unità

V F

Diodo di avanzamento

Tensione

IF =200A,V GE =0V,T j =25o C

1.75

2.15

V

IF =200A,V GE =0V,T j = 125o C

1.65

IF =200A,V GE =0V,T j = 150o C

1.65

Dbarra

Importo recuperato

V Barra = 600V,I F =200A,

-di/dt=5400A/μs,V GE =- 15V T j =25o C

18.5

μC

IRM

Verso il picco inverso

Corrente di recupero

239

A

Ericerca

Ritorno al recupero Energia

8.08

mJ

Dbarra

Importo recuperato

V Barra = 600V,I F =200A,

-di/dt=5400A/μs,V GE =- 15V T j =125o C

33.1

μC

IRM

Verso il picco inverso

Corrente di recupero

250

A

Ericerca

Ritorno al recupero Energia

14.5

mJ

Dbarra

Importo recuperato

V Barra = 600V,I F =200A,

-di/dt=5400A/μs,V GE =- 15V T j =150o C

38.4

μC

IRM

Verso il picco inverso

Corrente di recupero

259

A

Ericerca

Ritorno al recupero Energia

15.9

mJ

Il simbolo

Parametro

Min.

Tipo.

Max.

Unità

LCE

Induttanza di deflusso

15

nH

Barra CC+EE

Resistenza di Contatto del Modulo nce, Terminale a Chip

0.25

mΩ

Barra ilJC

Connessione con il caso (per IGB) T)

Giunzione-a-Cassa (per Di odo)

0.160

0.206

C/W

Barra thCH

Cassa-sink (per IGBT)

Cassa-sink (p) diodo)

Cassa-sink (per Modulo)

0.036

0.046

0.010

C/W

M

Torsione di connessione terminale, Vite M6 Torsione di montaggio Vite M6

2.5

3.0

5.0

5.0

N.M

G

Peso di Modulo

300

g