GD200HFX120C2SA_B36,Modulo IGBT,STARPOWER

Il simbolo

Descrizione

Valori

Unità

V CES

Tensione tra collettore ed emittente

1200

V

V GES

Tensione del portatore-emittente

±20

V

Io C

Corrente del collettore @ T C = 25 o C

@ T C =100 o C

340

200

A

Io CM

Corrente Collettore a Impulso t p =1 ms

400

A

P P

Dissipation di potenza massima @ T j = 175 o C

1190

W

Il simbolo

Descrizione

Valori

Unità

V RRM

Volt inverso di picco ripetitivo età

1200

V

Io F

Diode Corrente continua in avanti Cu renta

200

A

Io FM

Corrente in Avanti Massima del Diodo t p =1 ms

400

A

Il simbolo

Descrizione

Valori

Unità

T jmax

Temperatura massima di giunzione

175

o C

T - Giappone

Temperatura di funzionamento della giunzione

-40 a +150

o C

T STG

Intervallo di temperatura di conservazione

-40 a +125

o C

V ISO

Tensione di Isolazione RMS,f=50Hz,t =1min

2500

V

Il simbolo

Parametri

Condizioni di prova

Min.

Tipo.

Max.

Unità

V CE (sat)

Collettore all'emittente

Tensione di saturazione

Io C =200A,V GE = 15V, T j = 25 o C

1.70

2.15

V

Io C =200A,V GE = 15V, T j = 125 o C

1.95

Io C =200A,V GE = 15V, T j = 150 o C

2.00

V GE (th )

Limita di emissione della porta Tensione

Io C =8.0 mA ,V CE = V GE , T j = 25 o C

5.6

6.2

6.8

V

Io CES

Collettore Taglio -OFF

Corrente

V CE = V CES ,V GE =0V,

T j = 25 o C

1.0

mA

Io GES

Perforazione del portello Corrente

V GE = V GES ,V CE =0V, T j = 25 o C

400

nA

R Gint

Resistenza al cancello interno atteggiamento

3.75

ω

C ies

Capacità di ingresso

V CE = 25V, f=1MHz,

V GE =0V

20.7

nF

C res

Trasferimento inverso

Capacità

0.58

nF

Q G

Importo della porta

V GE - Sì. 15…+15V

1.55

μC

t p (oN )

Tempo di ritardo di accensione

V CC = 600V,I C =200A, R G =1. 1Ω,V GE =± 15V, T j = 25 o C

150

nS

t r

Tempo di risalita

32

nS

t d ((off)

Disattivamento Tempo di ritardo

330

nS

t f

Tempo di caduta

93

nS

E oN

Accendere Commutazione

Perdita

9.7

mJ

E oFF

Sconto di accensione

Perdita

11.3

mJ

t p (oN )

Tempo di ritardo di accensione

V CC = 600V,I C =200A, R G =1. 1Ω,V GE =± 15V, T j = 125 o C

161

nS

t r

Tempo di risalita

37

nS

t d ((off)

Disattivamento Tempo di ritardo

412

nS

t f

Tempo di caduta

165

nS

E oN

Accendere Commutazione

Perdita

20.2

mJ

E oFF

Sconto di accensione

Perdita

17.0

mJ

t p (oN )

Tempo di ritardo di accensione

V CC = 600V,I C =200A, R G =1. 1Ω,V GE =± 15V, T j = 150 o C

161

nS

t r

Tempo di risalita

43

nS

t d ((off)

Disattivamento Tempo di ritardo

433

nS

t f

Tempo di caduta

185

nS

E oN

Accendere Commutazione

Perdita

22.4

mJ

E oFF

Sconto di accensione

Perdita

19.1

mJ

Io SC

Dati SC

t P ≤10μs, V GE = 15V,

T j = 150 o C,V CC = 800V, V CEM ≤ 1200V

800

A

Il simbolo

Parametri

Condizioni di prova

Min.

Tipo.

Max.

Unità

V F

Diodo di avanzamento

Tensione

Io F =200A,V GE =0V,T j = 25 o C

2.40

2.90

V

Io F =200A,V GE =0V,T j =1 25o C

1.95

Io F =200A,V GE =0V,T j =1 50o C

1.80

Q r

Importo recuperato

V R = 600V,I F =200A,

-di/dt=4950A/μs,V GE - Sì. 15V T j = 25 o C

20.3

μC

Io RM

Verso il picco inverso

Corrente di recupero

160

A

E ricerca

Ritorno al recupero Energia

8.0

mJ

Q r

Importo recuperato

V R = 600V,I F =200A,

-di/dt=4950A/μs,V GE - Sì. 15V T j = 125 o C

38.4

μC

Io RM

Verso il picco inverso

Corrente di recupero

201

A

E ricerca

Ritorno al recupero Energia

14.2

mJ

Q r

Importo recuperato

V R = 600V,I F =200A,

-di/dt=4950A/μs,V GE - Sì. 15V T j = 150 o C

44.2

μC

Io RM

Verso il picco inverso

Corrente di recupero

212

A

E ricerca

Ritorno al recupero Energia

15.6

mJ

Il simbolo

Parametri

Min.

Tipo.

Max.

Unità

L CE

Induttanza di deflusso

20

nH

R CC+EE

Resistenza di Piombo del Modulo, Terminale a Chip

0.35

mΩ

R ilJC

Connessione con il caso (per IGB) T)

Giunzione-a-Cassa (per Di odo)

0.126

0.211

C/W

R thCH

Cassa-sink (per IGBT)

Caso-a-Radiatore (pe r Diode)

Caso-a-Radiatore (per M odulo)

0.032

0.053

0.010

C/W

M

Torsione di connessione terminale, Vite M6 Torsione di montaggio Vite M6

2.5

3.0

5.0

5.0

N.M

G

Peso di Modulo

300

g