GD200HFX120C2SA_B36,Modulo IGBT,STARPOWER

Il simbolo

DESCRIZIONE

Valori

UNITÀ

V CES

Tensione tra collettore ed emittente

1200

V

V GES

Tensione del portatore-emittente

±20

V

Io C

Corrente del collettore @ T C=25o C

@ T C=100o C

340

200

A

Io Cm

Corrente Collettore a Impulso t p =1 ms

400

A

PD

Dissipation di potenza massima @ T j =175o C

1190

A

Il simbolo

DESCRIZIONE

Valori

UNITÀ

V RRM

Volt inverso di picco ripetitivo età

1200

V

Io F

Diode Corrente continua in avanti Cu renta

200

A

Io FM

Corrente in Avanti Massima del Diodo t p =1 ms

400

A

Il simbolo

DESCRIZIONE

Valori

UNITÀ

T jmax

Temperatura massima di giunzione

175

o C

T - Giappone

Temperatura di funzionamento della giunzione

-40 a +150

o C

T STG

Intervallo di temperatura di conservazione

-40 a +125

o C

V ISO

Tensione di Isolazione RMS,f=50Hz,t =1min

2500

V

Il simbolo

Parametro

Condizioni di prova

Min.

Tipo.

Max.

UNITÀ

V CE (sat)

Collettore all'emittente

Tensione di saturazione

Io C=200A,V GE = 15V, T j =25o C

1.70

2.15

V

Io C=200A,V GE = 15V, T j =125o C

1.95

Io C=200A,V GE = 15V, T j =150o C

2.00

V GE (th)

Limita di emissione della porta Tensione

Io C=8.0mA ,V CE =V GE , T j =25o C

5.6

6.2

6.8

V

Io CES

Collettore Tagliato -OFF

Corrente

V CE =V CES ,V GE =0V,

T j =25o C

1.0

mA

Io GES

Perforazione del portello Corrente

V GE =V GES ,V CE =0V, T j =25o C

400

nA

R Gint

Resistenza al cancello interno atteggiamento

3.75

ω

Cies

Capacità di ingresso

V CE = 25V, f=1MHz,

V GE =0V

20.7

nF

Cres

Trasferimento inverso

Capacità

0.58

nF

DG

Importo della porta

V GE =- 15…+15V

1.55

μC

t d (attivo )

Tempo di ritardo di accensione

V CC = 600V,I C=200A, R G=1. 1Ω,V GE =± 15V, T j =25o C

150

nS

t r

Tempo di risalita

32

nS

t d ((off)

Disattivamento Tempo di ritardo

330

nS

t f

Tempo di caduta

93

nS

Eattivo

Accendere Commutazione

Perdita

9.7

mJ

EoFF

Sconto di accensione

Perdita

11.3

mJ

t d (attivo )

Tempo di ritardo di accensione

V CC = 600V,I C=200A, R G=1. 1Ω,V GE =± 15V, T j =125o C

161

nS

t r

Tempo di risalita

37

nS

t d ((off)

Disattivamento Tempo di ritardo

412

nS

t f

Tempo di caduta

165

nS

Eattivo

Accendere Commutazione

Perdita

20.2

mJ

EoFF

Sconto di accensione

Perdita

17.0

mJ

t d (attivo )

Tempo di ritardo di accensione

V CC = 600V,I C=200A, R G=1. 1Ω,V GE =± 15V, T j =150o C

161

nS

t r

Tempo di risalita

43

nS

t d ((off)

Disattivamento Tempo di ritardo

433

nS

t f

Tempo di caduta

185

nS

Eattivo

Accendere Commutazione

Perdita

22.4

mJ

EoFF

Sconto di accensione

Perdita

19.1

mJ

Io SC

Dati SC

t P≤10μs, V GE = 15V,

T j =150o C,V CC = 800V, V CEM ≤ 1200V

800

A

Il simbolo

Parametro

Condizioni di prova

Min.

Tipo.

Max.

Unità

V F

Diodo di avanzamento

Tensione

Io F =200A,V GE =0V,T j =25o C

2.40

2.90

V

Io F =200A,V GE =0V,T j =125o C

1.95

Io F =200A,V GE =0V,T j =150o C

1.80

Dr

Importo recuperato

V R = 600V,I F =200A,

-di/dt=4950A/μs,V GE =- 15V T j =25o C

20.3

μC

Io RM

Verso il picco inverso

Corrente di recupero

160

A

Ericerca

Ritorno al recupero Energia

8.0

mJ

Dr

Importo recuperato

V R = 600V,I F =200A,

-di/dt=4950A/μs,V GE =- 15V T j =125o C

38.4

μC

Io RM

Verso il picco inverso

Corrente di recupero

201

A

Ericerca

Ritorno al recupero Energia

14.2

mJ

Dr

Importo recuperato

V R = 600V,I F =200A,

-di/dt=4950A/μs,V GE =- 15V T j =150o C

44.2

μC

Io RM

Verso il picco inverso

Corrente di recupero

212

A

Ericerca

Ritorno al recupero Energia

15.6

mJ

Il simbolo

Parametro

Min.

Tipo.

Max.

UNITÀ

LCE

Induttanza di deflusso

20

nH

R CC+EE

Resistenza di Piombo del Modulo, Terminale a Chip

0.35

mΩ

R ilJC

Connessione con il caso (per IGB) T)

Giunzione-a-Cassa (per Di odo)

0.126

0.211

C/W

R thCH

Cassa-sink (per IGBT)

Caso-a-Radiatore (pe r Diode)

Caso-a-Radiatore (per M odulo)

0.032

0.053

0.010

C/W

M

Torsione di connessione terminale, Vite M6 Torsione di montaggio Vite M6

2.5

3.0

5.0

5.0

N.M

G

Peso di Modulo

300

g