Modulo diode, YMDBD1200-45, TFM1200XDM45-D200

符号

Il simbolo

nome del parametro

Parametri

condizioni di test

Condizioni di prova

valore

Valore

unità

Unità

V RRM

tensione di picco ripetitiva

Tensione ripetitiva

T C = 25 °C

4500

V

Io F

corrente continua in avanti

Corrente in avanti

CC

1200

A

Io MF

corrente di picco ripetitiva in avanti

Corrente di picco in avanti

t P = 1 millisecondo

2400

A

Io FSM

corrente di sovratensione

Corrente di sovratensione

V R =0V, t P = 10ms, T vj = 25 °C

DA DEFINIRE

A

Io 2t

Io 2t valore

Io 2t

V R =0V, t P = 10ms, T vj = 25 °C

530

kA 2s

V isolato

绝缘电压 (modulo )

Isolamento tensione - per modulo

collegare in corto tutti i terminali, applicare tensione tra i terminali e la base ( Terminali comuni a base piastra), AC RMS,1 min, 50Hz, T C = 25 °C

10200

V

Q PD

carica di scarica parziale (modulo )

Parziale scarica - per modulo

IEC1287. V 1=6900V, V 2=5100V, 50Hz

RMS ,T C = 25 °C

10

pC

符号

Il simbolo

nome del parametro

Parametri

条件

Condizioni di prova

最小值 Min.

valore tipico Tipo.

massimo valore

Max.

unità

Unità

Io RRM

corrente inversa ripetitiva

Ripetitiva inverso

corrente

V RM = V RRM

1

mA

V RM = V RRM , T C = 125 °C

50

mA

V F

tensione in avanti

Voltaggio di avanzamento

Io F = 1200A

2.70

V

Io F = 1200A, T vj = 125 °C

3.10

V

Q r

carica di recupero inversa

Inverso recupero

carica

V CC = 2800V, Io F = 1200A, - Sì. io F /dt = 3800A/μs,

R G ((ON) = 1,5Ω ,

C GE =220nF,

L S =150nH,

(T vj = 125 °C).

IGBT:

TIM1200ASM45-PSA011

T vj = 25 °C

1220

μC

T vj = 125 °C

1750

μC

Io r

corrente di recupero inversa

Inverso recupero

corrente

T vj = 25 °C

1320

A

T vj = 125 °C

1420

A

E ricerca

perdita di recupero inversa

Inverso recupero

energia

T vj = 25 °C

2.60

J

T vj = 125 °C

3.90

J